Студопедия
Новини освіти і науки:
МАРК РЕГНЕРУС ДОСЛІДЖЕННЯ: Наскільки відрізняються діти, які виросли в одностатевих союзах


РЕЗОЛЮЦІЯ: Громадського обговорення навчальної програми статевого виховання


ЧОМУ ФОНД ОЛЕНИ ПІНЧУК І МОЗ УКРАЇНИ ПРОПАГУЮТЬ "СЕКСУАЛЬНІ УРОКИ"


ЕКЗИСТЕНЦІЙНО-ПСИХОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ПОРУШЕННЯ СТАТЕВОЇ ІДЕНТИЧНОСТІ ПІДЛІТКІВ


Батьківський, громадянський рух в Україні закликає МОН зупинити тотальну сексуалізацію дітей і підлітків


Відкрите звернення Міністру освіти й науки України - Гриневич Лілії Михайлівні


Представництво українського жіноцтва в ООН: низький рівень культури спілкування в соціальних мережах


Гендерна антидискримінаційна експертиза може зробити нас моральними рабами


ЛІВИЙ МАРКСИЗМ У НОВИХ ПІДРУЧНИКАХ ДЛЯ ШКОЛЯРІВ


ВІДКРИТА ЗАЯВА на підтримку позиції Ганни Турчинової та права кожної людини на свободу думки, світогляду та вираження поглядів



Контакти
 


Тлумачний словник
Авто
Автоматизація
Архітектура
Астрономія
Аудит
Біологія
Будівництво
Бухгалтерія
Винахідництво
Виробництво
Військова справа
Генетика
Географія
Геологія
Господарство
Держава
Дім
Екологія
Економетрика
Економіка
Електроніка
Журналістика та ЗМІ
Зв'язок
Іноземні мови
Інформатика
Історія
Комп'ютери
Креслення
Кулінарія
Культура
Лексикологія
Література
Логіка
Маркетинг
Математика
Машинобудування
Медицина
Менеджмент
Метали і Зварювання
Механіка
Мистецтво
Музика
Населення
Освіта
Охорона безпеки життя
Охорона Праці
Педагогіка
Політика
Право
Програмування
Промисловість
Психологія
Радіо
Регилия
Соціологія
Спорт
Стандартизація
Технології
Торгівля
Туризм
Фізика
Фізіологія
Філософія
Фінанси
Хімія
Юриспунденкция






Біполярний транзисторний ключ.

Транзисторні ключі

 

Ключовий режим транзистора характеризується двома стаціонарними станами і перехідним процесом :

1) Режим відсічки

2) Режим насичення

3) Перехідний процес

Для отримання режиму відсічки (рисунок 2.1) необхідно виконати умову :

UБЕ=UУПР –IK0MAX Rб < 0 (2.1)

де IK0MAX – найбільше значення початкового струму колекторного переходу при IЕ=0.

Rб- результуючий опір в колі бази, включаючи також опір джерела управляючого сигналу UУПР.

Для надійного запирання транзистора з урахуванням дестабілізуючих факторів запираючу напругу UбЕ вибирають - (0,2 – 0,6) В. Колекторна напруга закритого транзистора

UВИХ= ЕК=UВХ - IK0RК (2.2)

Вихідний опір розімкнутого ключа RВИХ визначається паралельним з’єднанням опору транзистора для постійного струму UВХ/IK0 та опором RК.Так як UВХ>>>IK0RК, то RВИХ≈RК.

В замкнутому стані ключа транзистор повинен бути надійно насиченим. Для цього відпираюча напруга управління UУПР повинна бути такою, щоб базовий струм Iб1 був більше струму бази при насичені IбН.

Глибина насичення характеризується коефіцієнтом насичення

S= Iб1 /IбН >1 (2.3)

Колекторний струм в режимі насичення :

IКН =(UВХ - UКН )/RК≈ UВХ/RК (2.4)

 

Рисунок 2.1. Біполярний транзистор в ключовому режимі

При струмі бази IБ=IБН можна вважати, що транзистор працює ще в активному режимі, і звідси випливає (при IБН >>IK0 )

IКН ≈h21IБН (2.5)

Із співвідношень (2.3, 2.4, 2.5) можна визначити величину базового струму, необхідну для отримання надійного режиму насичення транзистора

IБ1 =S×IБН =S ×UВХ /h21×RК (2.6)

В залежності від величини очікуваних імпульсів завад та розкиду параметрів транзистора величину S вибирають в межах від 1,2 до 2.

В зв’язку з залежністю h21 від температури та значним розкидом його величини для різних транзисторів умова (2.6) повинна бути виконана при мінімальному значенні h21MIN. Необхідне значення IБ1 забезпечується відповідним вибором величини відпираючої напруги управління UУПР та опору RБ.


З рис. 2.1 випливає, що

IБ1 = UУПР /( Rб +rВХ) (2.7)

де rВХ –вхідний опір насиченого транзистора .

Для зменшення впливу нестабільної величини rВХ на значення струму IБ1, необхідно, щоб RБ >>rВХ.

Опір насиченого транзистора rH=UВИХ / IKH малий в порівнянні зRК і тому вихідний опір ключової схеми RВИХ≈ rH.

При переключенні транзистора з режиму відсічки в режим насичення створюється перепад напруги на колекторі :

ΔUВИХ = UВХ – IК0 RК ≈UВХ (2.8)

Наведені співвідношення допомагають вибрати статичний режим ключової схеми.


Читайте також:

  1. Однотранзисторний послідовний стабілізатор
  2. Транзисторний мультивібратор




Переглядів: 1381

<== попередня сторінка | наступна сторінка ==>
Задачі. | Перехідні процеси в транзисторному ключі.

Не знайшли потрібну інформацію? Скористайтесь пошуком google:

 

© studopedia.com.ua При використанні або копіюванні матеріалів пряме посилання на сайт обов'язкове.


Генерація сторінки за: 0.004 сек.