Студопедия
Новини освіти і науки:
МАРК РЕГНЕРУС ДОСЛІДЖЕННЯ: Наскільки відрізняються діти, які виросли в одностатевих союзах


РЕЗОЛЮЦІЯ: Громадського обговорення навчальної програми статевого виховання


ЧОМУ ФОНД ОЛЕНИ ПІНЧУК І МОЗ УКРАЇНИ ПРОПАГУЮТЬ "СЕКСУАЛЬНІ УРОКИ"


ЕКЗИСТЕНЦІЙНО-ПСИХОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ПОРУШЕННЯ СТАТЕВОЇ ІДЕНТИЧНОСТІ ПІДЛІТКІВ


Батьківський, громадянський рух в Україні закликає МОН зупинити тотальну сексуалізацію дітей і підлітків


Відкрите звернення Міністру освіти й науки України - Гриневич Лілії Михайлівні


Представництво українського жіноцтва в ООН: низький рівень культури спілкування в соціальних мережах


Гендерна антидискримінаційна експертиза може зробити нас моральними рабами


ЛІВИЙ МАРКСИЗМ У НОВИХ ПІДРУЧНИКАХ ДЛЯ ШКОЛЯРІВ


ВІДКРИТА ЗАЯВА на підтримку позиції Ганни Турчинової та права кожної людини на свободу думки, світогляду та вираження поглядів



Контакти
 


Тлумачний словник
Авто
Автоматизація
Архітектура
Астрономія
Аудит
Біологія
Будівництво
Бухгалтерія
Винахідництво
Виробництво
Військова справа
Генетика
Географія
Геологія
Господарство
Держава
Дім
Екологія
Економетрика
Економіка
Електроніка
Журналістика та ЗМІ
Зв'язок
Іноземні мови
Інформатика
Історія
Комп'ютери
Креслення
Кулінарія
Культура
Лексикологія
Література
Логіка
Маркетинг
Математика
Машинобудування
Медицина
Менеджмент
Метали і Зварювання
Механіка
Мистецтво
Музика
Населення
Освіта
Охорона безпеки життя
Охорона Праці
Педагогіка
Політика
Право
Програмування
Промисловість
Психологія
Радіо
Регилия
Соціологія
Спорт
Стандартизація
Технології
Торгівля
Туризм
Фізика
Фізіологія
Філософія
Фінанси
Хімія
Юриспунденкция






Прийняті скорочення

ВСТУП

Практичні рекомендації

Описані процеси являють собою деяку складність при засвоєнні, бо включають багато ілюстраційного матеріалу, який до здачі іспиту необхідно добре запам’ятати ( конспектами та іншими інформаційними матеріалами під час іспиту користуватися суворо заборонено ).

Тому студентам рекомендується повторювати даний матеріал ( з відтворенням необхідних формул, схем, рисунків ) до тих пір, доти зможуть подати відповідь на кожне питання безпомилково.

ЗМІСТ

1. Вступ………………………………………….…………..4

2. Основна частина………………………...………………..5

2.1 Послідовність формування та схема технологічного процесу дифузійно-планарних ІМ……….…............5

2.2 Послідовність формування та схема технологічного процесу епітаксійно-планарних ІМ………….…….8

2.3 Послідовність формування та схема технологічного процесу V-канальних НІМС……………………...11

2.4 Послідовність формування та схема технологічного процесу виготовлення НІМС з діелектричною ізоляцією……………………………………………15

2.5 Впровадження домішок у напівпровідники шляхом термічної ………………...........................................19

2.6 Впровадження домішок у напівпровідники шляхом іонної імплантації………………………………...23

2.7 Автоепітаксія кремнію як базовий технологічний процес виготовлення ІМС………………………....26

2.8 Загальна характеристика фотолітографічного процесу………….......................................................29

2.9 Схема технологічного процесу виготовлення товстоплівкових ГІМС. Характеристика та трафаретний друк товстоплівкових елементів…...34

2.10 Загальна характеристика методів та етапів складання ІМС……………………………………...38

3. Список рекомендованої літератури…………………...43

 

Дисципліна „Технологічні основи електроніки” пов’язана з вивченням студентами новітніх технологій виготовлення електронних приладів та процесів, що з ними пов’язані.

Становлення електроніки можна віднести до початку ХХ ст., коли було винайдено електронну лампу-діод ( 1904 р. ). Пізніше, в 1948 р., був винайдений напівпровідниковий транзистор, що сприяло розвиткові напівпровідникової електроніки.

Новий поштовх розвитку електроніки надали інтегральні мікросхеми, промисловий випуск яких розпочався в 60-х роках минулого століття.

Мікросхема являє собою діелектричну підкладку ( кераміка, алюмокераміка і ін. ), на якій розташовані пасивні та активні елементи, що утворюють електричну схему, яка виконує визначену функцію. До пасивних елементів відносяться провідники, контактні площинки, резистори, конденсатори, котушки індуктивності; до активних – напівпровідникові елементи ( діоди, тріоди, багатоелектродні елементи ). Товщина плівкових пасивних елементів в тонкоплівкових мікросхемах – біля одного мікрометра, в товстоплівкових – від 10 до 70 мкм.

Напівпровідникові прилади та інтегральні мікросхеми одержують шляхом формування елементів в тонкому шарі напівпровідникової пластини.

Сучасний розвиток технології та матеріалів дозволяє створювати надвеликі інтегральні схеми, які стали основними компонентами мікропроцесорів і електронних обчислювальних машин. Такі схеми широко використовуються в побутових, комунікаційних, медичних, енергетичних, транспортних, військових, космічних та інших приладах і системах. Безперервне вдосконалення техніки і технології виробництва, розроблення нових схем, систем і засобів проектування зумовило швидке зростання продуктивності і зменшення вартості мікросхем.

В даному посібнику подані варіанти відповідей на питання державного іспиту. Для розуміння викладеного матеріалу необхідні знання з фізики, фізичної хімії, фотохімії, технології виготовлення мікросхем, мікроелектроніки.

 

ІМС – інтегральна мікросхема;

НІМС – напівпровідникова інтегральна мікросхема;

ВІС – велика інтегральна мікросхема;

НВІС – надвелика інтегральна мікросхема;

ІЧ – інфрачервоне випромінювання;

УФ- промені – ультрафіолетові промені;

ВЧ - висока частота ;

НВЧ – надвисока частота.



Читайте також:

  1. БІОХІМІЯ М’ЯЗІВ І М’ЯЗОВОГО СКОРОЧЕННЯ
  2. Будова і скорочення м’язів
  3. В січні 1973 р. Великобританія, Данія, Ірландія прийняті в ЄС .
  4. Види скорочення м’язів.
  5. Властивості м’язового волокна. Механізми утворення та передачі збудження, скорочення скелетних м’язів.
  6. Енергетика м’язового скорочення. Теплоутворення.
  7. Лексичні та графічні скорочення
  8. Ліквідація або скорочення збиткового виду діяльності
  9. Методи обмеження та шляхи скорочення дефіциту бюджету.
  10. Методи скорочення тривалості виконання проекту.
  11. Методи скорочення тривалості виконання робіт за проектом
  12. Механізм скорочення




Переглядів: 675

<== попередня сторінка | наступна сторінка ==>
Оценим величину полученной конусности обработанной поверхности. При нормальной относительной точности биение торца относительно оси отверстия составит | ОСНОВНА ЧАСТИНА

Не знайшли потрібну інформацію? Скористайтесь пошуком google:

 

© studopedia.com.ua При використанні або копіюванні матеріалів пряме посилання на сайт обов'язкове.


Генерація сторінки за: 0.005 сек.