Студопедия
Контакти
 


Тлумачний словник

Реклама: Настойка восковой моли




Авто | Автоматизація | Архітектура | Астрономія | Аудит | Біологія | Будівництво | Бухгалтерія | Винахідництво | Виробництво | Військова справа | Генетика | Географія | Геологія | Господарство | Держава | Дім | Екологія | Економетрика | Економіка | Електроніка | Журналістика та ЗМІ | Зв'язок | Іноземні мови | Інформатика | Історія | Комп'ютери | Креслення | Кулінарія | Культура | Лексикологія | Література | Логіка | Маркетинг | Математика | Машинобудування | Медицина | Менеджмент | Метали і Зварювання | Механіка | Мистецтво | Музика | Населення | Освіта | Охорона безпеки життя | Охорона Праці | Педагогіка | Політика | Право | Програмування | Промисловість | Психологія | Радіо | Регилия | Соціологія | Спорт | Стандартизація | Технології | Торгівля | Туризм | Фізика | Фізіологія | Філософія | Фінанси | Хімія | Юриспунденкция

Хлоридний та силановий методи

Автоепітаксія кремнію як базовий технологічний процес виготовлення IMC

 

 

Епітаксійним нарощуванням або епітаксією називається процес орієнтованого нарощування шару речовини на початковий ( вихідний ) монокристал – підкладку.

Автоепітаксією ( гомоепітаксією ) називається орієнтоване нарощування речовини шару, що відрізняється від підкладки лише домішками. Орієнтоване нарощування речовини на інородні підкладки називається гетероепітаксією.

Напівпровідникові шари, одержані епітаксією, мають значно кращі електрофізичні властивості, ніж підкладка ( не містять домішок кисню і вуглецю, які є в монокристалах кремнію ).

Епітаксійне нарощування напівпровідникових шарів може проводитися з використанням процесів : 1) осадження з газової фази; 2) осадження з парової фази; 3) осадження з розчинів ( рідинна епітаксія ). При цьому використовують хлоридний метод, силановий метод та молекулярно – променеву епітаксію ( МПЕ ).

Велике розповсюдження в промисловості одержав хлоридний метод автоепітаксії. При цьому методі проводиться осадження кремнію з газової фази з використанням реакції відновлення воднем тетрахлориду кремнію:

Автоепітаксія кремнію здійснюється на установці, яка складається з реакційної камери і газової системи, що забезпечує подачу в камеру водню, азоту, їх суміші та хлористого водню ( рис.1 ).

 

 

 

 

Рисунок 1 - Установка для епітаксійного нарощування хлоридним методом

1 – реакційна камера; 2 – індуктор (нагрівальний електромагнітний пристрій); 3 - підставка для підкладок; 4 – підкладки ; 5 – вентилі.

 

Подача азоту передбачена необхідністю видалення повітря з газової системи та реакційної камери: суміш водню і хлористого водню вводиться в реакційну камеру для газової очистки поверхні підкладок безпосередньо перед епітаксійним нарощуванням.

Процес приєднання атомів кремнію, що утворюється в результаті реакції, до підкладки залежить від швидкості газового потоку та температури. Максимальний вихід кремнію спостерігається при температурі біля 1200˚ С.



Интернет реклама УБС

В технологічному процесі створення мікросхем використовують підкладки кремнію з епітаксійними шарами, які мають різні питомі опори та типи провідності. Для одержання епітаксійних шарів з заданими властивостями використовується процес легування елементами III і V груп.

При утворенні епітаксійних шарів відбувається інтенсивне впровадження домішки, яка є в підкладці, - в епітаксійний шар. Це особливо помітно при нарощуванні високоомних шарів на сильноліговані підкладки. Прикладом можуть слугувати біполярні мікросхеми, в яких епітаксійний шар n- типу нарощується на сильнолігований «скритий» n+- шар.

При автолегуванні впровадження домішки з підкладки обумовлено травленням підкладки ( при реакції з хлористим воднем ). В результаті такого травлення утворюються не тільки хлориди кремнію, але й хлориди домішок.

На рис.2 показано розподіл домішки в епітаксійному шарі, вирощеному на підкладці n+ - типу.

 

 

Рисунок 2 - Розподіл домішки в епітаксійному шарі товщиною , вирощеному на підкладці - типу.

 

Хлориновий ( хлоридний ) метод обмежує одержання тонких епітаксійних шарів. Для вирішення цієї задачі використовується силановий метод, в основі якого лежить реакція піролітичного розкладання моносилану:

 

При силановому методі використовують установки, аналогічні тим, що застосовуються при хлоридному методі. Реакція піролітичного розкладу починається при температурі . Ріст якісних шарів проходить при температурі біля . Переваги силанового методу: більш низька температура процесу. Крім того, при силановому методі не утворюється ніяких галогенідів, здатних травити підкладку і, тим самим, переносити домішку через газову фазу в зростаючий епітаксійний шар.

2.7.2 Молекулярно – променева епітаксія

 

Молекулярно – променева епітаксія ( МПЕ ) – це метод орієнтованого нарощування речовин при конденсації молекулярних пучків у вакуумі. При цьому методі нарощування епітаксійних шарів проходить при більш низьких температурах ( 400 ÷ 800˚С ). Це зменшує вплив дифузії домішок з підкладки. Крім того, цей метод дозволяє легко варіювати профіль легування.

Молекулярно – променева епітаксія проводиться в спеціальних установках, в яких використовуються два способи легування. Один з них основний на легуванні атомами домішки, які випаровуються ( рис.3 ), а другий – на іонній імплантації.

 

 


Рисунок 3 - Схема установки молекулярно – променевої епітаксії з легуванням на основі випаровування домішок

 

1- робоча камера; 2- тримач підкладки; 3- нагрівач; 4- підкладка; 5- заслінка; 6- потік домішки; 7- джерело домішки; 8- електронна гармата; 9- джерело кремнію; 10- потік електронів; 11- потік кремнію.

Після випаровування атоми кремнію і легуючої домішки досягають поверхні і вбудовуються в кристалічні гратки.

При другому методі легування нарощування епітаксійної плівки полягає в імплантації іонів із прискорених іонних пучків. Іонний пучок вводиться в робочу камеру, сканується в горизонтальному та вертикальному напрямках і змішується з пучком молекул кремнію на підкладці. Як звичайно, поверхня підкладки покрита шаром , тому початковий період росту епітаксійного шару може мати суттєві відміни.

 

 


Читайте також:

  1. Автоматизація водорозподілу на відкритих зрошувальних системах. Методи керування водорозподілом. Вимірювання рівня води. Вимірювання витрати.
  2. Агрегативна стійкість, коагуляція суспензій. Методи отримання.
  3. Адаптовані й специфічні методи дослідження у журналістикознавстві
  4. Адміністративні (прямі) методи регулювання.
  5. Адміністративні методи - це сукупність прийомів, впливів, заснованих на використанні об'єктивних організаційних відносин між людьми та загальноорганізаційних принципів управління.
  6. Адміністративні методи управління
  7. Адміністративні, економічні й інституційні методи.
  8. Адміністративно-правові (організаційно-адміністративні) методи мотивації
  9. Адміністративно-правові методи забезпечення економічного механізму управління охороною довкілля
  10. Аерометоди
  11. Активні групові методи
  12. Алгоритм розробки методичних основ бюджетування

Загрузка...



<== попередня сторінка | наступна сторінка ==>
Впровадження домішки у напівпровідники шляхом іонної імплантації | Технологічні процеси фотолітографії

Не знайшли потрібну інформацію? Скористайтесь пошуком google:


 

© studopedia.com.ua При використанні або копіюванні матеріалів пряме посилання на сайт обов'язкове.


Генерація сторінки за: 0.001 сек.