Новини освіти і науки:

G+

Тлумачний словник
Авто
Автоматизація
Архітектура
Астрономія
Аудит
Біологія
Будівництво
Бухгалтерія
Винахідництво
Виробництво
Військова справа
Генетика
Географія
Геологія
Господарство
Держава
Дім
Екологія
Економетрика
Економіка
Електроніка
Журналістика та ЗМІ
Зв'язок
Іноземні мови
Інформатика
Історія
Комп'ютери
Креслення
Кулінарія
Культура
Лексикологія
Література
Логіка
Маркетинг
Математика
Машинобудування
Медицина
Менеджмент
Метали і Зварювання
Механіка
Мистецтво
Музика
Населення
Освіта
Охорона безпеки життя
Охорона Праці
Педагогіка
Політика
Право
Програмування
Промисловість
Психологія
Радіо
Регилия
Соціологія
Спорт
Стандартизація
Технології
Торгівля
Туризм
Фізика
Фізіологія
Філософія
Фінанси
Хімія
Юриспунденкция

ЕЛЕМЕНТАРНІ КАСКАДИ ПІДСИЛЕННЯ

Елементарні підсилювальні каскади являють собою однокаскадні осередки. До таких каскадів на біполярних транзисторах відносять каскади із загальним емітером (ЗЕ), загальним колектором (ЗК) і загальною базою (ЗБ). Схема ЗЕ забезпечує як підсилення напруги, так і підсилення струму. Каскад за схемою з ЗК (емітерний повторювач) повторює на виході вхідну напругу, але із–за підсилення струму забезпечує підсилення потужності. Схема ЗБ повторює на виході струм, що надходить у вхідне коло каскаду (повторювач струму). Підсилення потужності в цьому каскаді забезпечується за рахунок підсилення напруги. Найбільше підсилення потужності має схема із ЗЕ.

Однокаскадні підсилювачі звичайно працюють в режимі малого сигналу. Тому для аналізу їх якостей і одержання динамічних параметрів – вхідного і вихідного опорів, коефіцієнтів підсилення за струмом і напругою – складають схему заміщення каскаду. При проведенні аналізу допускають, що на вхід каскаду подається стале синусоїдальне електричне коливання (для підсилювачів сигналів незмінної чи повільно змінної амплітуди) або миттєвий стрибок напруги (для підсилювачів імпульсних сигналів).

Крім біполярних транзисторів, в підсилювальних каскадах використовуються польові транзистори. По аналогії з каскадами на біполярних транзисторах елементарні каскади на польових транзисторах діляться на каскади із загальним витоком (ЗВ), загальним стоком (ЗС) та загальним затвором(ЗЗ).

Однокаскадний підсилювач за схемою ЗЕ (рис. 5.3, а). В цій схемі корисна вихідна потужність на опорі навантаження

R_H= R_СR_H/(R_С+ R_H)

зумовлена складовою колекторного струму за рахунок корисного сигналу з амплітудою І_Ст (або колекторної напруги з амплітудою U_Ст), майже повністю обумовлюється енергією джерела живлення Е_C, а не енергією вхідного сигналу.

Проаналізуємо роботу підсилювального каскаду в області середніх частот. Для цього скористаємося еквівалентною схемою каскаду (рис. 5.3, 6), одержаною із T–подібної схеми заміщення транзистора.

Рис. 5.3

Колекторний струм І_Cможна знайти, якщо врахувати, що струм, який надходить від генератора h_2ІЕІ_B, розгалужується в паралельні вітки, опір яких і R_С_н+ r_Е. Оскільки звичайно R_С_н >>r_Е, то опором r_Е можна знехтувати і для колекторного струму записати

І_С = h_2ІЕІ_B[ /( + R_С_н)]. (5.9)

Вхідний опір підсилювального каскаду визначається відношенням

U_вх/І_вх =U_BЕ/І_B. Оскільки через опір бази протікає струм І_B, а через опір r_Е – сума струмів І_Ві І_С, то вхідний опір

R_вх= r_В+ r_Е [1+ h_2ІЕ /( + R_С_н)]. (5.10)

Через те, що дуже часто >>R_С_н,вхідний опір підсилювального каскаду дорівнює вхідному опору транзистора, тобто

R_вх= h_11Е= r_В+ r_Е (h_2ІЕ + 1). (5.11)

Оскільки напруга на ділянці база–емітер залежить від теплового потенціалу φ_т, то

R_вх =h_11Е =U_BЕ/І_B ≈ φ_т/І_B = (h_21Е+ l) φ_т /І_Е.(5.12)

В режимі малих (мікроамперних) струмів, який характерний для підсилювальних каскадів в інтегральному виконанні, виміряний вхідний опір виявляється в півтора–два рази більшим, ніж обчислений за формулою (5.12). Тому в останню формулу вводять множник т = 1...2, який враховує зменшення h_21Ев режимі мікрострумів . При цьому

R_вх =h_11Е = (h_21Е+ l)(тφ_т /І_Е).(5.13)

Скориставшись рівнянням (5.11), одержимо

R_вх= h_11Е. (5.14)

Якщо в коло емітера в схемі на рис. 5.3, а ввімкнути резистор R_Е. то в еквівалентній схемі на рис. 5.3, б він 6уде ввімкнутий послідовно з опором емітерного переходу r_Е і вхідний опір каскаду з6ільшиться згідно з (5.11):

R_вх= r_B + (r_Е + R_Е )(h_21Е + 1). (5.15)

Якщо, наприклад, r_B = 100 Ом, r_Е = 20 Ом, R_Е= 300 Ом, h_21Е= 100, то R_вх, обчислене за формулами (5.11) і (5.15), дорівнює відповідно 2120 і 32420 Ом. Таким чином, введення негативного зворотного зв'язку за змінним струмом призводить до помітного підвищення вхідного опору підсилювального каскаду.

Коефіцієнт підсилення напруги за (5.9) і (5.10) такий:

(5.16)

В тих випадках, коли >> R_С_н, враховуючи (5.12), одержимо

(5.17)

Коли вхідний опір підсилювального каскаду порівняний з опором джерела вхідного сигналу R_дто вихідну напругу оцінюють не за відношенням U_вих/U_вх,а за U_вих /Е_д. Оскільки В цьому випадку справедливі рівняння:

U_вих = І_СR_С_н= – [h_21ЕІ_B /( + R_С_н)]R_С_н;

І_В = Е_д/(R_д+ R_вх),

то

(5.18)

Коефіцієнт підсилення за струмом з урахуванням формули (5.9)

К_пІ= І_С /І_B = h_21Е /( + R_С_н). (5.19)

Вихідний опір R_вихзнаходять як звичайно при відімкненому навантаженні і нульовому вхідному сигналі, і, якщо врахувати, що >>R_С, то

R_вих ≈ R_С. (5.20)

Однокаскадний підсилювач за схемою ЗБ (повторювач струму).Принципова схема підсилювального каскаду на біполярному транзисторі за схемою з ЗБ показана на рис. 5.4, а. Підсилення потужності за такою схемою менше порівняно зі схемою, підсилювача із ЗЕ і гірше відношення R_вх/R_вихв порівнянні з підсилювальним каскадом за схемою ЗК, тому її використовують рідше в приладах промислової електроніки. Але транзистор за схемою ЗБ має високу лінійність колекторної характеристики, що обумовлює низький рівень нелінійних спотворень підсилюваного сигналу.

Рис. 5.4

На відмінність від схеми із ЗЕ підсилювальний каскад за схемою ЗБ не інвертує фазу вхідного сигналу, оскільки дія, наприклад, позитивної півхвилі вхідного синусоїдального сигналу викликає зниження емітерного, а отже, колекторного струмів, що викликає приріст позитивного потенціалу на колекторі транзистора. Скориставшись Т–подібною еквівалентною схемою транзистора із ЗБ, складемо еквівалентну схему підсилювального каскаду (рис. 5.4, 6). Оскільки каскад охоплений глибоким негативним зворотним зв'язком за струмом, то коефіцієнт передачі за струмом

К_пІ= І_С /І_E = h_21B/(1+ R_С_н/r_C ). (5.21)

менший за одиницю і при r_C >>R_Сн дорівнює h_21B. Отже, вихідний струм повторює вхідний, звідси і назва – повторювач струму.

Паралельний зворотний зв'язок приводить до збільшення споживання струму у вхідному колі, що знижує вхідний опір каскаду

(5.22)

Низькоомний вхід знижує вплив паразитних ємностей у вхідному колі, що зменшує спотворення, які вносить каскад, в області високих частот. Коефіцієнт передачі за напругою з урахуванням рівняння (5.22)

(5.23)

Вихідний опір підсилювального каскаду за схемою ЗБ визначається рівнянням (5.20). як самостійні каскади підсилення за схемою ЗБ практично не використовуються. Але вони широко застосовуються як складові частини підсилювальних секцій, наприклад, як ключ диференційного підсилювача і т. п.

Однокаскадний підсилювач за схемою ЗК (повторювач напруги). Принципова схема підсилювального каскаду за схемою ЗК показана на рис. 5.5. Навантаження в підсилювачі вмикається в емітерне коло транзистора. Така схема має підвищений вхідний опір і знижений вихідний опір, що дозволяє використовувати її для узгодження або розділення високоомного джерела вхідного сигналу і низькоомного навантаження.

Рис. 5.5

Резистор R_Е єопором навантаження, що визначає динамічний режим роботи транзистора. Зовнішнє навантаження під'єднується у вигляді опору R_H. Загальний опір навантаження за струмом корисного сигналу

R_Е_н= R_ЕR_H /(R_Е+ R_H ). (5.24)

Вхідна і вихідна напруги підсилювального каскаду за схемою ЗК при такому вмиканні навантаження збігаються за фазою, оскільки при надходженні вхідної напруги позитивної полярності базовий струм підвищується, зумовлюючи підвищення емітерного струму. Це призводить до підвищення спаду напруги на опорі R_Е_ні зростання позитивного потенціалу емітера, з якого знімається вихідний сигнал.

Зі схеми видно, що U_вх= U_ВЕ + U_вих. Оскільки значення R_Е_н, на якому виділяється напруга U_вих, як правило, значно перевищує опір емітерного переходу, до якого прикладена напруга U_ВЕ, то Uвих >>UВЕ і Uвх ≈ U_вих.Зважаючи на те, що U_вих =U_вх – U_ВЕ, К_пU= U_вих /U_вхблизький до одиниці, але менший за неї. Таким чином, підсилювальний каскад лише повторює вхідну напругу за рівнем напруги і фазою, звідки і назва – емітерний повторювач. Але така схема дає підсилення за струмом і потужністю.

Порівнюючи схеми на рис. 5.3, а і 5.5, можна зробити висновок., що емітерний повторювач подібний до підсилювального каскаду за схемою ЗЕ, у якого R_С= 0, з резистором R_Е в емітерному колі. В такому разі вся напруга вихідного сигналу на резисторі R_Е_нпослідовно вводиться у вхідне коло підсилювача. Але через те, що U_вхі U_вихсинфазні, U_вихто віднімається від U_вх, знижуючи п. Тому в схемі існує 100 %– ний послідовний негативний зворотний зв'язок, що підвищує вхідний і зменшує вихідний опори емітерного повторювача.

Вхідний опір схеми із ЗК можна знайти з рівняння (5.15), замінивши R_Е на R_Е_н:

R_вх= r_B + (r_Е + R_Е_н)/(h_21Е + 1), (5.25)

який тим більший, чим більший R_Е_ні h_21Е транзистора. Вихідний опір емітерного повторювача

R_вих= r_Е + (r_B+ R_д )/(h_21Е+ 1) (5.26)

залежить від опору джерела вихідного сигналу і тим менший, чим більший коефіцієнт передачі струму бази транзистора. Якщо, наприклад, r_Е = 20 Ом, r_B = 200 Ом, R_д= 100 Ом і h_21Е = 100, то R_вих= 23 Ом. Коефіцієнт підсилення за напругою

(5.27)

Коефіцієнт підсилення за струмом

(5.28)

При виконанні нерівності >>R_Е_нК_пU= (h_21Е + 1)>> 1.

Наявність в емітерному повторювачі негативного зворотного зв'язку підвищує стабільність його характеристик, тобто зменшує частотні, фазові і нелінійні спотворення. Ця схема має широкий динамічний діапазон, що дозволяє використовувати її як вихідний каскад аналогових ІМС для передачі сигналу великої амплітуди.

Однокаскадні підсилювачі в інтегральному виконанні.Технологічно такі підсилювачі виконують у вигляді монолітно) схеми, яка містить всі необхідні елементи (транзистори, діоди, резистори та інше) в інтегральному виконанні і підсилює електричні сигнали без вмикання додаткових елементів. Інтегральна електроніка, використовуючи найновіші досягнення технології, дозволяє вагомо підвищити якість і надійність електронних підсилювачів, забезпечуючи )х так званою функціональною надлишковістю. Такі підсилювачі подібні до багатоцільових пристроїв, оскільки, змінюючи в них комутацію зовнішніх виводів, а також способи під'єднання джерела сигналів і навантаження, можна одержати підсилювачі з різними характеристиками. В окремих випадках інтегральні підсилювачі доповнюють навісними елементами.

Лінійні інтегральні підсилювачі можна поділити на три групи: одновходові, диференційні й операційні. Однокаскадні підсилювачі в інтегральному виконанні одновходові.

Рис. 5.6

На лис. 5.6, а показана принципова схема, а па рис. 5.6, б – схема вмикання попереднього підсилювача низької частоти серії 119 (Мікросхема 119 УH1), яка має такі параметри: Е_С = 6,3 В; – Е_к = – 6,3 В; R_вх= 5 к Ом; U_вих= 0,75 В при К_г≤ 10%.

Однокаскадний підсилювач виконаний на біполярному транзисторі за схемою ЗЕ. Якщо вихідну підсилену напругу знімають з виводу 5, то опором навантаження колекторного пола змінному струму є опір R_Е, тому що приєднаний до виводу 12 і корпусу навісний конденсатор ємністю 15,0 мкФ (рис. 5.6, б) шунтує за змінним струмом резистор R₂. Останній виконує функцію термостабілізації робочої точки. З виводів 5 та 11 можна одночасно знімати два протифазні вихідні сигнали.

На рис. 5.7, а показана принципова схема простого емітерного повторювача в інтегральному виконанні серії 218 (мікросхема 218 УЕ2). Вивід 13 мікросхеми (на рис. 5.7, а)можна використати як вхідний, якщо необхідно розширити частотну характеристику емітерного повторювача аж до частоти ω_н= 0.

Рис. 5.7

Однокаскадні підсилювачі на польових транзисторах. Польовий транзистор можна вмикати в підсилювальну схему трьома різними способами: з загальним витоком (ЗВ), загальним стоком (ЗС) і загальним затвором (ЗЗ). Найчастіше використовують схему ЗВ, аналогічну схемі ЗЕ на біполярному транзисторі.

На рис. 5.8, а показана схема підсилювального каскаду на польовому транзисторі з ізольованим затвором МДН–типу. Динамічний режим роботи польового транзистора забезпечується резистором в колі стоку R_D,з якого знімається корисний вихідний сигнал при наявності вхідного підсилювального сигналу. Як правило, R_D <<R_G ≈ R_вх,де R_G = R₁|| R₂. Тому, якщо навантаженням підсилювального каскаду на польовому транзисторі є вхідний опір аналогічного каскаду підсилення, то опори навантаження підсилювача постійній і змінній складовим струму стоку приблизно рівні:

R_D= = R_D~ = R_DR_н/(R_D+ R_н). (5.29)

Автоматичне зміщення в підсилювальних каскадах на польових МДН–транзисторах, у яких полярність напруги на стоку і затворі однакова, здійснюється, як і в каскадах на біполярних транзисторах. При цьому напруга зміщення на затвор для забезпечення режиму спокою подається від джерела стокового живлення Е_Dчерез резистивний подільник R_lі R₂,який повинен бути високоомним, щоб суттєво не знижувати вхідний опір підсилювального каскаду.

Для аналізу складемо еквівалентну схему підсилювального каскаду в області середніх частот (рис. 5.8, б)з врахуванням опору навантаження струму стоку R_D,але без опору R_G_,який впливає тільки на вхідний опір підсилювача. Коефіцієнт підсилення за напругою

(5.30)

де S – крутість характеристики польового МДН–транзистора; R_D знаходять за формулою (5.29). Як правило, R_і >>R_D, тому вираз (5.30) спрощується

(5.31)

Знак мінус у виразі (5.31) показує, що підсилювальний каскад з ЗВ міняє фазу підсилюваного сигналу на 180 ел. град.

У пристроях мікросхемотехніки застосовують підсилювальні каскади за схемою вмикання польового транзистора із ЗС. В такому каскаді із затвором у вигляді p-n-переходу (рис. 5.9) навантажувальний резистор R_нввімкнений у коло витоку, напруга підсилюваного сигналу з цього кола підводиться до зовнішнього навантаження.

За своїми якостями підсилювальний каскад за схемою ЗС аналогічний емітерному повторювачу. Він має великий вхідний і малий вихідний опори, його коефіцієнт підсилення за напругою близький до одиниці, а вхідна і вихідна напруги підсилюваного сигналу збігаються за фазою. Тому такий каскад називають витоковим повторювачем.

Рис. 5.8 Рис. 5.9

Підсилювальні каскади на польових транзисторах, завдяки їх великому вхідному опору (декілька мегаом), широко застосовують як вхідні каскади різних електронних пристроїв, в тому числі як підсилювачі в інтегральному виконанні.

Читайте також:

<== попередня сторінка	\|	наступна сторінка ==>
МЕТОДИ ЗАБЕЗПЕЧЕННЯ І СТАБІЛІЗАЦІЯ РЕЖИМУ РОБОТИ ТРАНЗИСТОРНОГО КАСКАДУ ПІДСИЛЕННЯ	\|	СКЛАДЕНИЙ ТРАНЗИСТОР

Не знайшли потрібну інформацію? Скористайтесь пошуком google:

Генерація сторінки за: 0.007 сек.