МАРК РЕГНЕРУС ДОСЛІДЖЕННЯ: Наскільки відрізняються діти, які виросли в одностатевих союзах
РЕЗОЛЮЦІЯ: Громадського обговорення навчальної програми статевого виховання ЧОМУ ФОНД ОЛЕНИ ПІНЧУК І МОЗ УКРАЇНИ ПРОПАГУЮТЬ "СЕКСУАЛЬНІ УРОКИ" ЕКЗИСТЕНЦІЙНО-ПСИХОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ПОРУШЕННЯ СТАТЕВОЇ ІДЕНТИЧНОСТІ ПІДЛІТКІВ Батьківський, громадянський рух в Україні закликає МОН зупинити тотальну сексуалізацію дітей і підлітків Відкрите звернення Міністру освіти й науки України - Гриневич Лілії Михайлівні Представництво українського жіноцтва в ООН: низький рівень культури спілкування в соціальних мережах Гендерна антидискримінаційна експертиза може зробити нас моральними рабами ЛІВИЙ МАРКСИЗМ У НОВИХ ПІДРУЧНИКАХ ДЛЯ ШКОЛЯРІВ ВІДКРИТА ЗАЯВА на підтримку позиції Ганни Турчинової та права кожної людини на свободу думки, світогляду та вираження поглядів Контакти
Тлумачний словник |
|
||||||||||||||||
Розрахунок завадостійкоcті функціонування виробу
Метою розрахунку електромагнітної сумісності є визначення працездатності пристрою в умовах дії перехресних перешкод в лініях зв'язку, а також зовнішніх електромагнітних полів. Розрахунок перехресних перешкод в лініях зв'язку. Схема виникнення перехресних перешкод між сусідніми провідниками представлена на рис. 2. 13. Рисунок 2.13- Схема виникнення перешкоди
Початкові дані для розрахунку являються: Е - напруга генератора в активній лінії зв'язку, ; w- кругова частота генератора; R1, R2, R3- опори навантажень в активній і пасивній лініях; тип електричних з'єднань; er - відносна діелектрична проникність середовища між провідниками; s - відстань між провідниками (конструкційні параметри ліній зв'язку приведені в таблиці 4.1 ); завадостійкість мікросхем Uп довжина області зв'язку провідників l. Діелектрична проникність середовища між провідниками, розташованими на зовнішніх поверхнях плати, покритої лаком, , (2. 40) де і - діелектрична проникність матеріалу плати і лаку (для склотекстоліту =6 для лаків УР 231 і ЕП 9114 = 4). Порядок розрахунку наступний: 1. Обчислюємо опір ізоляції між провідниками активної та пасивної ліній зв'язку. Для провідників, розташованих на одній поверхні ПП (2. 41) Опір ізоляції між провідниками, які розташовані в об'ємі багатошарової друкованої плати на внутрішніх шарах або на протилежних сторонах двосторонньої плати, визначається з вираження (2. 42) де h - товщина проміжку між провідниками: F - площа проекції одного провідника на іншій; - питомий об'ємний опір діелектрика основи ДП. 2 . Визначаємо взаємні ємності C12 і індуктивності М12 ліній зв'язку по формулах, приведених в таблиці. 2.8, для заданого типу електричних з’єднань. 3 . Визначаємо діючу напругу перешкоди на опорах R2 і R3. При розрахунку завадостійкості друкованих вузлів навантаженням пасивної і активної ліній можна рахувати вхідний опір мікросхем. Розрахунок можна провести по вираженню: (2. 43) У стані логічної "1" перешкода слабо впливає на спрацьовування логічного елемента, тому розглядається випадок коли на вході мікросхеми логічний "0". Тоді можна визначити вхідний і вихідний опори , , 4. Порівняємо діючу напругу перешкоди в пасивній лінії із завадостійкістю мікросхеми. Якщо, . то необхідно змінити конструкційні параметри ДП або електричного монтажу. Таблиця 2.8- Розрахункові співвідношення для визначення С12 та М12
Читайте також:
|
|||||||||||||||||
|