МАРК РЕГНЕРУС ДОСЛІДЖЕННЯ: Наскільки відрізняються діти, які виросли в одностатевих союзах
РЕЗОЛЮЦІЯ: Громадського обговорення навчальної програми статевого виховання ЧОМУ ФОНД ОЛЕНИ ПІНЧУК І МОЗ УКРАЇНИ ПРОПАГУЮТЬ "СЕКСУАЛЬНІ УРОКИ" ЕКЗИСТЕНЦІЙНО-ПСИХОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ПОРУШЕННЯ СТАТЕВОЇ ІДЕНТИЧНОСТІ ПІДЛІТКІВ Батьківський, громадянський рух в Україні закликає МОН зупинити тотальну сексуалізацію дітей і підлітків Відкрите звернення Міністру освіти й науки України - Гриневич Лілії Михайлівні Представництво українського жіноцтва в ООН: низький рівень культури спілкування в соціальних мережах Гендерна антидискримінаційна експертиза може зробити нас моральними рабами ЛІВИЙ МАРКСИЗМ У НОВИХ ПІДРУЧНИКАХ ДЛЯ ШКОЛЯРІВ ВІДКРИТА ЗАЯВА на підтримку позиції Ганни Турчинової та права кожної людини на свободу думки, світогляду та вираження поглядів Контакти
Тлумачний словник |
|
|||||||||
Явища на контакті метал напівпровідникВступ Сонячні елементи – це напівпровідникові фотоелектричні пристрої, які призначені для перетворення сонячної енергії в електричну. Їх ще називають фотоперетворювачами. Вони входять у великий клас напівпровідникових приладів, які називають фотоелементами. Основними показниками якості сонячних елементів є коефіцієнт перетворення світлової енергії в електричну, термічна стабільність, радіаційна стійкість. Найчастіше сонячний елемент являє собою твердотільну конструкцію із напівпровідникових матеріалів, які добре поглинають світло, а також металевих та діелектричних шарів. В основі функціонування сонячного елементу лежить явище вентильного фотоефекту. Поглинуті напівпровідником світлові кванти звільнюють електрони і дірки від внутрішніх кристалічних зв’язків і переводять їх в рухомий стан. Після, протилежно заряджені вільні носії заряду просторово розділяються переміщуючись в протилежних напрямках за рахунок дифузії, або дрейфу в силововому полі. Це силове поле повинно існувати в напівпровіднику. Такі ділянки в напівпровіднику, де на вільні носії діє сила струму називаються бар’єрами. Механізм розділення носіїв відіграє роль своєрідного вентиля, який протидіє безпосередній взаємодії збуджених світлом вільних електронів і дірок. Щоб прорекомбінувати, вони повинні пройти по зовнішньому колу, де їх надлишкова потенціальна енергія, яка отримана внаслідок поглинання світла, перетворюється в кінетичну енергію рухомого заряду (електричний струм). Незважаючи на те, що механізм вентильного фотоефекту відомий з 1839 р. і був відкритий Бекерелем, початком його практичного застосування можна вважати п’ятидесяті роки 20 ст., коли були створені батареї сонячних елементів для забезпечення енергією штучних супутників Землі і космічних лабораторій. Вважається, що практичне використання в енергетиці можуть знаходити лише фотоперетворювачі з ККД > 10%. Зараз створені сонячні елементи з Основним матеріалом для сонячних батарей в даний час є кремній. Ефективність сонячних елементів на основі кремнію складає 15 ÷ 16% при прямому опромінюванні в умовах навколоземного космосу. У наземних умовах ккд кремнієвих елементів складає близько 20% при прямому сонячному опромінюванні і до 25 ÷ 27% при (30 ÷ 50) - кратній концентрації сонячного випромінювання. Основним недоліком кремнієвих елементів є значне зменшення ккд при збільшенні робочої температури. Великі значення ккд і високу радіаційну стійкість мають сонячні елементи на основі гетероструктур. На даний час у світі освоєний випуск гетероперехідних елементів з кількома p-n-переходами (каскадні сонячні елементи), ккд яких наближається до 40%. Такі сонячні елементи створені на основі GaAs, який належить до сполук А 3В 5.
Розділ 2. Характеристика електричних процесів на контакті метал- напівпровідник
Розглянемо контакт напівпровідника n-типу з металом. Їх розділяє тонкий вакуумний шар. Робота виходу з напівпровідника менша ніж робота виходу з металу WHП < WM.
Рис. 1. Діаграма енергетичних зон металу і напівпровідника у початковий момент зближення.
Якщо метал і напівпровідник привести в електричний контакт, то між ними буде відбуватися обмін електронами. Електрони, які виходять з металу внаслідок термоелектронної емісії потрапляють в напівпровідник, а електрони які виходять з напівпровідника потрапляють в метал внаслідок тієї ж причини. Однак оскільки термодинамічна робота виходу електронів з металу більша ніж з напівпровідника, то густина потоку електронів із металу в напівпровідник буде менша jМ < jНП. В результаті цього буде відбуватися перенесення електронів із напівпровідника в метал і метал буде заряджатися від'ємно, а напівпровідник додатньо. Такий перехід електронів із напівпровідника в метал буде відбуватися до того часу, поки рівні Фермі в металі і напівпровіднику не вирівняються, тобто встановиться стан термодинамічної рівноваги. Між металом і напівпровідником виникне електричне поле і контактна різниця потенціалів φК. φК = (WМ - WНП) / e. (1)
Рис. 2. Енергетична діаграма структури метал-напівпровідник у стані термодинамічної рівноваги.
Електрони, які виходять з напівпровідника, щоб потрапити в метал, мають подолати додатковий потенціальний бар'єр величиною eφК. Відповідно робота виходу електронів з напівпровідника в метал збільшиться на величину eφК, а потік електронів з напівпровідника зменшиться і в стані термодинамічної рівноваги густини струмів з металу в напівпровідник і з напівпровідника в метал зрівноважаться. В реальному випадку величина φК може змінюватися від 0,1 до 1,5В і не перевищує ширини забороненої зони напівпровідника. У приповерхневому шарі напівпровідника товщиною dn залишається нерухомий об'ємний заряд додатньо іонізованих донорів і цей шар буде збіднений на основні носії заряду, тобто цей шар буде являтися діелектриком. Через малі розміри вакуумної щілини в подальшому ми її розглядати не будемо. Оскільки опір приповерхневого шару напівпровідника товщиною dn буде великим порівняно з об'ємом напівпровідника, то цей шар називають запірним або областю просторового заряду.
Вигин зонВиникнення запірного шару, де створюється додатній нерухомий об'ємний заряд, приводить до вигину зон у цьому шарі, еквівалентному виникненню контактної різниці потенціалів. Максимальне значення вигину зон рівне величині eφk, а хід зон в цьому шарі являє собою хід потенціальної енергії електрона. Поскільки ширина забороненої зони в області контакту метал-напівпровідник не змінюється, то стеля валентної зони зміщується еквівалентно до зміщення дна зони провідності. Ширина забороненої зони залишається постійною. В даному випадку зони вигинаються вверх. Основні носії заряду, в даному випадку електрони, будуть скочуватися в об'єм напівпровідника. А дірки, які є неосновними носіями заряду будуть підходити з об'єму напівпровідника до поверхневого шару.
Рис. 3 Енергетична діаграма випрямляючого контакту метал-напівпровідник у стані термодинамічної рівноваги.
При протилежному співвідношенні термодинамічних робіт виходу WHП > WM в напівпровіднику n-типу провідності виникає збагачений електронами приповерхневий шар. Тобто виникає область напівпровідника збагачена основними носіями заряду, опір якої значно нижчий ніж в об'ємній частині напівпровідника. Така система не являється випрямляючою і зони в напівпровіднику тепер будуть вигинатися вниз. Такий контакт називається антизапірним і його використовують для отримання омічних контактів металу з напівпровідником. Енергетична діаграма системи метал-напівпровідник у цьому випадку буде мати такий вигляд:
Рис. 4 Енергетична діаграма контакту метал-напівпровідник n-типу провідності у випадку утворення анти запірного шару.
В даному випадку електрони із об'єму напівпровідника скочуються в область просторового заряду, дірки ж навпаки з приповерхневого шару рухаються в об'єм напівпровідника. Аналогічні процеси будуть відбуватися в області контакту металу з напівпровідником р-типу провідності. Однак, оскільки в напівпровіднику р-типу основними носіями є дірки, то при співвідношеннях WHП >WM, в напівпровіднику р-типу буде виникати запірний шар і такий контакт буде випрямляючим. Якщо WHП < WM, то для р-типу провідності буде виникати антизапірний шар і ефекту випрямлення спостерігатися не буде.
Читайте також:
|
||||||||||
|