Зміна зонної схеми контакту напівпровідник-метал при накладенні постійного зовнішнього поля

При відсутності зовнішнього поля (в рівноважних умовах) вигин зон рівний , а при накладанні зовнішнього поля вигин зон змінююється на величину , на яку зміщуються і рівні Фермі. При

вигин зон зменшується, при - збільшується, а в цілому вигин зон рівний .

Рис. 2.5. Зонна схема контакту метал- напівпровідник в стані термодинамічної рівноваги.

При під`єднанні зовнішнього джерела плюсом до металу, а мінусом до напівпровідника спостерігається зсув рівнів Фермі Еф_н_/_п і рівнів E_co, E_io, E_vo вверх, а рівня Eф_м- вниз, так що Еф_н_/_п- Eф_м=eV.

Таке включення зовнішнього електричного поля приводить до віднімання зовнішнього поля від контактного і до зменшення викривлення зон у збідненому шарі, що відповідає прямому включенню зовнішньої напруги.

Рис. 2.6. Зонна схема контакту метал- напівпровідник при прямому під`єднанні зовнішньої напруги.

Напруженість поля в будь-якому перерізі збідненого шару при прямому включенні менше, ніж в рівноважних умовах для того ж перерізу.

Рис. 2.7. Зонна схема контакту метал- напівпровідник при зворотному зміщенні.

При під`єднанні зовнішнього джерела мінусом до металу і плюсом до напівпровідника спостерігається зсув рівнів Еф_н/п, E_co, E_io, E_vo вниз, а Eф_м -вверх, так що Eф_м- Еф_н/п=eV . Це приводить до додавання контактного і зовнішнього полів і до збільшення вигину зон в запірному шарі, що відповідає зворотньому включенню. Допускаючи, що V<0, можна записати загальний вигин зон як e(V_k-V).

Читайте також:

<== попередня сторінка	\|	наступна сторінка ==>
Залежність напруженості поля і електростатичного потенціалу від віддалі в запірному шарі і від концентрації електронів в об`ємі напівпровідника	\|	Товщина запірного шару

Не знайшли потрібну інформацію? Скористайтесь пошуком google:

Генерація сторінки за: 0.004 сек.