Теоретичні відомості

Напівпровідниковим діодом називається прилад, який складається з двох структур р та п і призначений для випрямлення змінного струму. Напівпровідник струк тури п дістають, додаючи в основний елемент (кремній або германій) невелику кількість домішки (п'ятивалентний елемент - миш'як або сурму), що дає змогу здобути велику кількість вільних електронів.. Щоб дістати недостачу електронів (дірок), у напівпровідники додають домішку індію або галію, що спричинює збіль шення кількості дірок і зменшення кількості електронів. Таким чином в одному напівпровіднику вдається створити дві області з різною електропровідністю (р та п). На межі між двома структурами різної електропровідності утворюється електронно-дірковий перехід - замикаючий або запірний, що має однобічну провідність. Якщо до напівпровідника прикласти зовнішню напругу (рис. 1,а)так, щоб негативний полюс джерела живлення GBбув приєднаний до структури п, а позитивний - до структури р, то основні носії заряду (електрони зі структури п, а дірки - зі структури р) переміщатимуться до запірного шару й переходитимуть через нього. При цьому запірний шар зменшується і через нього проходить великий прямий струм І_пр (рис. 1,б). Якщо поміняти місцями полюси джерела живлення (рис. 1,в), то основні носії заряду будуть відтягуватися від запірного шару і він зростатиме. Його опір збільшується, а зворотний струм І_зв, який проходить, зменшується (рис. 1,г).Звідси можна зробити висновок, що струм через запірний шар проходить тільки в одному напрямку. Промисловістю випускається велика кількість різноманітних напівпровідникових приладів. Для того щоб відрізнити їх один від одного

а) б)

в) г

ці прилади кодують, використовуючи буквено-цифровий код.

Перший елементозначає напівпровідниковий матеріал (буква або цифра):

Г або 1 - германій;

К або 2 - кремній;

А або 3 - сполуки галію;

И або 4 - сполуки індію

Другий елемент(буква) вказує тип напівпровідникових діодів:

Д - діоди випрямні та імпульсні;

Ц - випрямні стовпи та блоки;

В - варикапи;

И - тунельні діоди;

А - надвисокочастотні діоди;

С - стабілітрони та стабістори;

Г - генератори шуму;

Л - випромінюючі оптоелектронні прилади;

О - оптопари;

Н - діодні тиристори;

У - тріодні тиристори.

Третій елемент(цифра) визначає якісні можливості приладу. Кожний тип приладу утворює кілька підкласів:діоди - дев'ять підкласів; випрямні стовпи та блоки -чотири підкласи;варикапи - два підкласи; тунельні діоди - чотири підкласи;

надвисокочастотні діоди - вісім підкласів; стабілітрони та стабістори -дев'ять підкласів; генератори шуму - два підкласи; оптопари - чотири підкласи; діодні тиристори - два підкласи.

Випромінюючі оптоелектронні прилади поділяються на джерела інфрачервоного випромінювання та прилади візуального подання інформації; тріодні тиристори -на незапірні, запірні та симетричні.

Четвертий елементозначає порядковий номер розробки (від 01 до 99).

П'ятий елемент(буква) встановлює класифікацію приладу, що виготовлений за єдиною технологією. Як класифікаційна літера використовуються букви російського алфавіту, а як додаткові елементи - символи, що складаються із цифр (1...9) і букв.

Приклади позначень напівпровідникових діодів:

КД202А - кремнієвий випрямний діод, струм випрямлення не більше 10А, номер розробки 2, група А.

АИ201И - арсенідогалієвий тунельний генераторний діод, номер розробки І, група И.

АЛ307А - арсенідогалієвий випромінюючий діод, номер розробки 7, група А.

<== попередня сторінка	\|	наступна сторінка ==>
Лабораторна робота № 5	\|	Порядок виконання роботи

Не знайшли потрібну інформацію? Скористайтесь пошуком google:

Генерація сторінки за: 0.003 сек.