Польові транзистори з керуючим переходом

Фізичні явища та принцип дії ПТ

У транзисторі з n-каналом основними носіями заряду в каналі є електрони, які рухаються уздовж каналу від джерела з низьким потенціалом до стоку з більшим потенціалом створюючи струм стоку . Між затвором і витоком прикладена напруга, що замикає перехід, утворений n-областю каналу й р-областю затвора (рис1.18). Таким чином, у польовому транзисторі з n-каналом полярності прикладених напруг наступні: , . У транзисторі з р-каналом основними носіями заряду є дірки, які рухаються в напрямку зниження потенціалу, тому полярності прикладених напруг повинні бути іншими: , . Розглянемо більш докладно роботу польового транзистора з n-каналом. Транзистори з р-каналом працюють аналогічно.

Рисунок 1.18 - Конструкція польового транзистора

з керуючим переходом

При подачі напруги запирання на перехід між затвором і каналом на границях каналу утвориться рівномірний шар, об'єднаний носіями заряду й володіючий високим питомим опором. Напруга, прикладена між стоком і витоком приводить до появи нерівномірного збідненого шару, тому що різниця потенціалів між затвором і каналом збільшується в напрямку від витоку до стоку, і найменший перетин каналу розташований поблизу стоку. Якщо одночасно подати напруга , , то товщина збідненого шару, а значить і перетину каналу будуть визначатися дією цих двох напруг.

Рисунок 1.19 - Схема включення польового транзистора з

керуючим переходом

При цьому мінімальний перетин каналу визначається їхньою сумою. Коли сумарна напруга досягає напруги запирання: , об'єднані області замикаються й опір каналу різко росте.

Залежності струму стоку від напруги при постійній напрузі на затворі позначають вихідні або стокові характеристики польового транзистора. На початковій ділянці характеристик , струм стоку росте зі збільшенням . При підвищенні напруги стік-виток до відбувається перекриття каналу й подальший ріст струму припиняється (ділянку насичення) Негативна напруга між затвором і витоком зміщує момент перекриття каналу убік менших значень напруги й токи . Ділянка насичення є робочою областю вихідних характеристик польового транзистора.

Подальший ріст напруги приводить до пробою переходу між затвором і каналом і виводить транзистор з ладу. По вихідних характеристиках може бути побудована передатна характеристика . На ділянці насичення вона практично не залежить від напруги . Вхідна характеристика польового транзистора — залежність струму джерела затвора від напруги затвор-виток, звичайно, не використовується, тому що при перехід між затвором і каналом закритий і струм затвора дуже малий, тому в більшості випадків його можна не приймати до уваги.

Читайте також:

<== попередня сторінка	\|	наступна сторінка ==>
Польовий транзистор із керуючим переходом - польовий транзистор, у якого затвор електрично відділений від каналу закритим р-n переходом.	\|	Польові транзистори з ізольованим затвором

Не знайшли потрібну інформацію? Скористайтесь пошуком google:

Генерація сторінки за: 0.004 сек.