МДН-транзистори з вбудованим каналом

Розглянемо особливості МДН-транзисторів з вбудованим каналом. Конструкція такого транзистора з каналом n-типу показана на рисунку У вихідній пластині кремнію р-типу за допомогою дифузійної технології утворені областівитоку, стоку й каналу n-типу. Шар окисла SiO₂ виконує функцію захисту поверхні, що близько лежить до витокуй стоку, а також ізоляції затвора від каналу. Вивід подложки (якщо він є) іноді приєднують до витоку.

Рисунок 1.20 - Конструкція МДН-транзистора з вбудованим каналом

Зовнішня напруга прикладена до ділянки виток- стік позитивним полюсом до стоку. Оскільки , через прилад протікає струм, що визначається вихідною провідністю каналу. Спочатку, коли падіння напруги в каналі мало, залежність близька до лінійного. Далі падіння напруги в каналі приводить до істотного впливу його звуження на провідність каналу. Розглянемо вплив напруги затвор - витокна хід характеристики транзистора.

У випадку прикладання до затвора напруги () поле затвора робить відштовхуючу дію на електрони - носії зарядів у каналі, що приводить до зменшення їхньої концентрації в каналі й провідності каналу. Внаслідок цього стокові характеристики при розташовується нижче кривій, що відповідає . Режим роботи транзистора (), при якому відбувається зменшення концентрації заряду в каналі, називається режимом збідніння.

При подачі на затвор напруги поле затвора притягає електрони в канал з р-області напівпровідникової пластини. Концентрація носіїв заряду в каналі збільшується, що відповідає режиму збагачення каналу носіями.

Провідність каналу зростає, струм збільшується. Стокові характеристики при розташовуються вище вихідної кривої ().

Читайте також:

<== попередня сторінка	\|	наступна сторінка ==>
Польові транзистори з ізольованим затвором	\|	МДН- транзистори з індукованим каналом.

Не знайшли потрібну інформацію? Скористайтесь пошуком google:

Генерація сторінки за: 0.005 сек.