МАРК РЕГНЕРУС ДОСЛІДЖЕННЯ: Наскільки відрізняються діти, які виросли в одностатевих союзах
РЕЗОЛЮЦІЯ: Громадського обговорення навчальної програми статевого виховання ЧОМУ ФОНД ОЛЕНИ ПІНЧУК І МОЗ УКРАЇНИ ПРОПАГУЮТЬ "СЕКСУАЛЬНІ УРОКИ" ЕКЗИСТЕНЦІЙНО-ПСИХОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ПОРУШЕННЯ СТАТЕВОЇ ІДЕНТИЧНОСТІ ПІДЛІТКІВ Батьківський, громадянський рух в Україні закликає МОН зупинити тотальну сексуалізацію дітей і підлітків Відкрите звернення Міністру освіти й науки України - Гриневич Лілії Михайлівні Представництво українського жіноцтва в ООН: низький рівень культури спілкування в соціальних мережах Гендерна антидискримінаційна експертиза може зробити нас моральними рабами ЛІВИЙ МАРКСИЗМ У НОВИХ ПІДРУЧНИКАХ ДЛЯ ШКОЛЯРІВ ВІДКРИТА ЗАЯВА на підтримку позиції Ганни Турчинової та права кожної людини на свободу думки, світогляду та вираження поглядів Контакти
Тлумачний словник |
|
|||||||||||
МНОН - транзисториМНОН-транзистори (метал-нітрид-оксид-напівпровідник) має наступну конструкцію: на поверхні кристала перебуває тонкий шар діоксида кремнію, зверху на нього нанесений шар нітриду кремнію, що набагато більше шару діоксида кремнію а далі металевий затвор. МНОН-транзистори як і ЛІЗМОН-транзистори застосовуються для побудови пам'яті. Елемент пам'яті, побудований на МНОН-транзисторі, може працювати в тих же режимах, що й ЛІЗМОН-транзистор (програмування, зберігання, зчитування й стирання інформації).
а) б) Рисунок 1.23 – МНОН-Транзистор: а) - структурна схема; б) - ВАХ МНОН-транзистора.
МНОН-транзистори з каналом -типу працюють у такий спосіб. До затвора МНОН-транзистора, у якому створюється заряд, подають позитивний імпульс напруги амплітудою близько 20 В. На електрони діє сильне електричне поле й вони розвивають достатню енергію, щоб пройти з підкладки через тонкий шар оксиду товщиною близько 5 нм у шар нітриду. У результаті в нітриді з’являється нерухливий негативний заряд. Цей заряд виконує функцію носія інформації. Наявність заряду свідчить про логічний нуль, а відсутність заряді – логічній одиниці. Транзистор, у якому відсутній заряд, відкривається робочим сигналом. На рисунку 1.23, б зображена характеристика МНОН-транзистора , що показує, що в МНОН-транзисторі заряд екранує дія позитивної напруги на затвор, у результаті чого підвищується гранична напруга настільки, що робочий сигнал не може відкрити транзистор. Занесення заряду під затвор транзистора називається процесом програмування. Процес зчитування інформації в МНОН-транзисторах здійснюється також як і в ЛІЗМОН-транзисторах. Режим стирання забезпечується в такий спосіб: якщо в діелектрику транзистора є заряд (тобто транзистор перебуває в стані логічного нуля), те для переходу в стан логічної одиниці цей заряд виштовхують із під затвора негативним імпульсом напруги величиною 30-40 В, що подається на затвор щодо підкладки.
Читайте також:
|
||||||||||||
|