Етапи проектування. Технічне завдання.

Тема 2. Етапи проектування засобів обчислювальної техніки.

И новозаведённые школы напоила и израстила”.

Вся Росия источник премудрости почерпнула

Складна доля Києво-Могилянської академії. З кінця ХУІІІ ст. її значення в науковому світі зменшується. Це обумовлено відкриттям у 1755 році Московського університету. Центром культури в Україні стає Харківський університет (1805 р.).

У 1817 році за царським наказом академію закривають. У 1819 році відкривають як духовну семінарію. У такій ролі вона проіснувала до 1920 року. Через 72 роки в 1992 році академія поновлює свою роботу як Незалежний міжнародний університет “Києво-Могилянська академія”. Він пропонує нову модель вищої освіти, що об’єднує позитивні риси американської і західної системи освіти.

(4 год.)

1. Етапи проектування. Технічне завдання.

2. Функціонально-логічне проектування.

3. Схемотехнічне проектування.

4. Топологічне проектування.

5. Фізико-топологічне проектування.

6. Шляхи удосконалення процесу проектування ВІС

Процедури, які виконуються на різних етапах проектування, складають основу маршрутів розробки ВІС (див. рисунок 3.1). Існує також етап, що раніше у вітчизняній літературі не розглядався − це складання технічного завдання (специфікації). Чим складніша ВІС, тим складніше розробити ТЗ на неї.

Рисунок 3.1 − Етапи (рівні) проектування засобів обчислювальної техніки.

Розробка специфікації на проектування ВІС включає процедури проектування алгоритму функціонування ВІС та вихідні тестові послідовності, моделювання алгоритму й одержання вихідних послідовностей, що задовольняють ТЗ. Отримана специфікація записується в базу даних проекту і служить основою для перевірки коректності наступних етапів проектування. Крім того, на цьому етапі в базу даних проекту у формалізованому вигляді вводяться вимоги до конструкції ВІС (розмір кристала, розташування виводів, конструкція корпусу), необхідні відомості про технологічні процеси, вимоги на вихідні електричні параметри і т.д.

Технологічні можливості виготовлення ВІС практично однозначно обумовлюють складність і граничні технічні характеристики схем, що можуть бути реалізовані у вигляді ВІС. На рисунку 3.2 наведена крива, що характеризує залежність відсотка виходу придатних ВІС (у) від площі (х), що займає одна схема. При зменшенні площі, відсоток виходу придатних ВІС малий через обмежену роздільну здатність технологічного устаткування, що використовується для виготовлення фотошаблонів і процесу фотолітографії. З іншого боку, зі збільшенням розмірів ВІС відсоток виходу придатних також падає через збільшення імовірності появи дефектів в активних областях компонентів.

Рисунок 3.2 − Залежність відсотка виходу придатних ВІС від площі кристалла

Читайте також:

<== попередня сторінка	\|	наступна сторінка ==>
Методи навчання	\|

Не знайшли потрібну інформацію? Скористайтесь пошуком google:

Генерація сторінки за: 0.006 сек.