Підсилювальний КАСКАД зі спільним емітером

1.Схема з фіксованим струмом зміщення.

Підсилювач змінного струму:

Опір R_B зміщує характеристику транзистора в лінійну ділянку.

Опір R_C – колекторне навантаження, з нього змінюється вихідний сигнал

Конденсатори С₁ і С₂ – розділюючи, вони розділяють кола змінного і постійного струму, їхній опір для змінного струму малий.

Вхідна напруга призводить до зміни базового струму.

Базовий струм підсилюється в β разів і ми одержуємо пропорційну зміну колекторного струму.

Вихідна напруга буде пропорційною до добутку зміни колекторного струму на опір R_C, але при цьому міняється фаза вихідної напруги, тому що при зростанні колекторного струму зменшується спадок напруги на транзисторі і навпаки.

Недоліки такого підсилювача:

- При зміні температури навколишнього середовища міняється режим роботи і ми можемо попасти на нелінійну ділянку.

- Для кожного транзистора потрібно індивідуально підбирати R_B

2.Схема з фіксованою напругою зміщення.

Для того щоб не підбирати резистори, які задають зміщення для кожного транзистора в колі бази встановлюють подільник
І_П = (2÷5)І_В – це знижує вхідний опір схеми

Недолік – режим роботи схеми міняється при зміні температури.

Методи температурної стабілізації режимів роботи підсилювальних каскадів на БТ транзисторах

1. Колекторна стабілізація

2. Емітерна стабілізація

3. Змішана стабілізація

При Т↑→І_В↑→І_С↑

При колекторній стабілізації опір, що задає зміщення вмикають між базою і колектором транзистора.

Таке ввімкнення опору R_B створює від’ємний зворотній зв'язок

Т↑→І_В↑→І_С↑→U_RC↑→↓U_CE→I_B↓→I_C

Недолік: треба індивідуально підбирати R_B для кожного транзистора.

При емітерній стабілізації в коло емітера вмикають додатковий опір, який створює від’ємний зворотній зв'язок по постійному струму.

R_e≤R_C

T↑→I_c↑→I_e↑→U_Re↑→(U_BB’’-U_Re)=U_Be↓→I_c↓
Недолік: Для одержання такого самого підсилення потрібна вижча напруга живлення на спад R_e

<== попередня сторінка	\|	наступна сторінка ==>
Зворотні зв’язки в підсилювачах	\|	Схема зміщення біполярного транзистора на низьких частотах і розрахунок її параметрів

Не знайшли потрібну інформацію? Скористайтесь пошуком google:

Генерація сторінки за: 0.007 сек.