З Загальні відомості

На відміну від біполярних транзисторів, у яких перенос струму здійснюється електронами і дірками, у польових транзисторах у переносі струму беруть участь тільки електрони або тільки дірки; це залежить від того, з якого матеріалу виконаний провідний канал 1 див. рисунок 2.

У роботі досліджується транзистор КП101 з каналом р-типу. На бічну поверхню каналу нанесені шари напівпровідника електронної провідності 5, що із зовнішньої сторони покриті тонким шаром металу 2. Відвід від металу називається притвір. У такий спосіб між металевим покриттям і каналом утвориться р-n перехід.

У загальному випадку говорять, що притвір у такому польовому транзисторі представлений р-п переходом.

Від каналу зроблені виводи - стік і витік, витік Извичайно заземлюють, а на стік 3 подають напругу, при якої основні носії заряду спрямовуються до нього.

У транзисторі з каналом р-типа на стік подається негативна напруга, а на притвір - напруга, при якій перехід притвір - канал закритий і струму не проводить.

У такий спосіб р- n перехід притвора завжди включається назад.

Вихідний струм польового транзистора - струм стоку І_с залежить від напруги на каналі U_сві з його ростом збільшується. Крім той струм стоку І_с залежить від напруги на притворі U_пв, що керує глибиною проникнення збідненого шару 5 в області каналу, а отже, його поперечним перерізом.

Іншими словами, при збільшенні зворотної напруги на притворі, прикордонний шар р-п переходу розширюється (він збіднений носіями заряду) і зменшує поперечний переріз каналу.

При напрузі U_св=0 В напруга U_пв викликає зменшення поперечного переріза каналу див. рисунок 3 і збільшення його опору. Поява напруги U_св змінює конфігурацію збідненого шару, причому перетин каналу з наближенням до стоку зменшується, оскільки збільшується різниця потенціалів між притвором і каналом. При деякій напрузі U_св, визначеній для кожного значення напруги U_пв, збіднені шари стуляються (точка А на рисунку 4) і настає насичення.

Не знайшли потрібну інформацію? Скористайтесь пошуком google:

Генерація сторінки за: 0.021 сек.