КЛЮЧОВИЙ РЕЖИМ РОБОТИ БІПОЛЯРНИХ ТРАНЗИСТОРІВ

Основою усіх схем імпульсної техніки є ключова схема, яка являє собою транзисторний підсилювальний каскад, що працює у ключовому режимі. Транзистор у ключовій схемі (рис. 8.3, а)виконує функцію безконтактного ключа в послідовному колі з резистором R_С та джерелом живлення Е_С. Якість такого ключа визначається здебільшого залишковою напругою на транзисторі в замкненому (відкритому) стані, а також залишковим струмом транзистора у вимкнутому (закритому) стані.

Аналіз процесів у схемі транзисторного ключа легко проводити графоаналітичним методом, скориставшись лінією аб навантаження постійним струмом (рис. 8.3, 6), збудованою на ряді статистичних характеристик транзистора при опорі навантаження R та напрузі джерела живлення Е_С.Ключова схема виконана на транзисторі за схемою із ЗЕ.

Рис. 8.3

Якщо робоча точка р не виходить за межі ділянки BF навантажувальної прямої, то такий режим роботи транзистора навивають лінійним або підсилювальним. При цьому зі зміною вхідного (базового) струму пропорційно змінюється вихідний (колекторний) струм На рис. 8.3, б лінійний режим відзначений як активна область І. Якщо вхідний струм досягне І_В_mах = І_ВНАС (точка В на рис. 8.3, б),то подальше підвищення не призведе до зростання колекторного струму, який досягає струму насичення І_СНАС.

При цьому напруга на колекторі U_СЕНАС невелика (звичайно кілька десятків мілівольт), отже, U_СЕНАС << Е_C, Параметр І_ВНАС називають струмом бази на межі насичення. У режимі насичення на вхід подається відкриваючий позитивний стрибок напруги U_вх(полярність по казана без дужок на рис. 8.3, а),емітерний та колекторний переходи транзистора зміщуються у прямому напрямі. Тому умова насичення транзистора, виражена через напругу, має вигляд

U_ВЕ > 0; U_ВС > 0, (8.1)

а транзистор можна зобразити у вигляді замкненого ключа (рис. 8.3, в). Зі схеми видно, що транзистор в режимі насичення можна розглядати як еквіпотенційну точку з однаковими потенціалами всіх електродів. Безперечно, в цьому випадку струми в транзисторі визначаються лише параметрами зовнішніх елементів схеми. Умовою насичення транзистора, яка виражена через струм, є нерівність

І_В ≥ І_ВНАС= І_СНАС /h_21Е . (8.2)

Читайте також:

<== попередня сторінка	\|	наступна сторінка ==>
ОСОБЛИВОСТІ ІМПУЛЬСНОГО РЕЖИМУ ЕЛЕКТРОННИХ ПРИСТРОЇВ	\|	При цьому струм колектора в режимі насичення

Не знайшли потрібну інформацію? Скористайтесь пошуком google:

Генерація сторінки за: 0.005 сек.