МАРК РЕГНЕРУС ДОСЛІДЖЕННЯ: Наскільки відрізняються діти, які виросли в одностатевих союзах
РЕЗОЛЮЦІЯ: Громадського обговорення навчальної програми статевого виховання ЧОМУ ФОНД ОЛЕНИ ПІНЧУК І МОЗ УКРАЇНИ ПРОПАГУЮТЬ "СЕКСУАЛЬНІ УРОКИ" ЕКЗИСТЕНЦІЙНО-ПСИХОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ПОРУШЕННЯ СТАТЕВОЇ ІДЕНТИЧНОСТІ ПІДЛІТКІВ Батьківський, громадянський рух в Україні закликає МОН зупинити тотальну сексуалізацію дітей і підлітків Відкрите звернення Міністру освіти й науки України - Гриневич Лілії Михайлівні Представництво українського жіноцтва в ООН: низький рівень культури спілкування в соціальних мережах Гендерна антидискримінаційна експертиза може зробити нас моральними рабами ЛІВИЙ МАРКСИЗМ У НОВИХ ПІДРУЧНИКАХ ДЛЯ ШКОЛЯРІВ ВІДКРИТА ЗАЯВА на підтримку позиції Ганни Турчинової та права кожної людини на свободу думки, світогляду та вираження поглядів Контакти
Тлумачний словник |
|
|||||||
Електрична модель та частотні властивості НД
Співвідношення ВАХ виражає зв’язок між струмом і напругою у статичному режимі ( за постійним струмом). Їх можна використовувати для аналізу і розрахунку електричних схем НД, якщо діє змінна напруга невеликої частоти. Проте, якщо частота напруги на діоді висока, потрібно враховувати тривалість процесів накопичення і роззосередження нерівноважного заряду в базі діода і нескомпенсованого об’ємного заряду в його ЕДП. Режим, в якому період зміни напруги стає сумірним з тривалістю цих процесів, називаються динамічним. Зі збільшенням або зменшенням прикладеної напруги в діоді накопичується або роззосереджується заряд, тобто діод має ємнісні властивості. Ці властивості здебільшого визначаються ємнісними властивостями електричного переходу (2.8.). У напівпровідникових діодах з p-n‑переходами розрізняють дві складові ємності переходу діода Сj : бар’єрну Сб і дифузійну Сдф. При цьому Сj = Сб + Сдф . Бар’єрна ємність відображає процеси зменшення – збільшення нескомпенсованого заряду безпосередньо в р-п‑переході, дифузійна – характеризує накопичення нерівноважного заряду в базі. Навіть, якщо прямий струм невеликий, Сдф може досягати значень десятки тисяч пікофарад, що значно перевищує значення Сб (десятки – coтнi пікофарад). Тому у разі прямого зміщення необхідно враховувати лише Сдф, а у разі зворотного – Сдф = 0. Наявність ємнісних властивостей обумовлює інерційність діода. На дуже високих частотах амплітуди прямого і зворотного струмів робочих сигналів стають сумірними i діод втрачає властивість односторонньої провідності. Якщо НД використовують у радіоелектронних пристроях, в яких важливою є смуга частот (наприклад, у радіоприймачах), то ємнісні властивості визначають граничну частоту – верхнє значення частоти інформаційного сигналу, за якої забезпечуються задані струми або напруги. Цей параметр є важливим для випрямних та високочастотних діодів. Розглянуті процеси впливають на тривалість перемикання у пристроях імпульсної техніки, в яких імпульсні діоди використовуються як ключі. Такі пристрої досліджуються в часовій області та оцінюються за допомогою перехідних характеристик ( 1.4.). Перехідними процесами називають процеси встановлення напруг (або струмів) напівпровідникових приладів під впливом імпульсу струму (або напруги). Тривалість перехідних процесів визначає швидкодію імпульсних і цифрових пристроїв.
Читайте також:
|
||||||||
|