Статична пам’ять

EDO DRAM – цей режим іноді називають гіперсторінковим режимом обміну HPM (Hyper Page mode). Це вдосконалений тип пам’яті FPM. Мікросхеми пам’яті EDO враховують перекриття синхронізації між черговими операціями доступу.

BEDO DRAM – у мікросхемах даного типу додатково міститься внутрішній лічильник адреси колонок для пакетного циклу.

2. Синхронна пам’ять.

SDRAM (Synchronous DRAM) – синхронна DRAM. Ефективність SDRAM набагато вища, ніж у її попередників.

DDR SDRAM – (Dual Data Rate – подвоєна швидкість даних) є подальшим розвитком пам’яті, яка за багатьмах параметрами та способами виготовлення мало чим відрізняється від звичної пам’яті SDRAM. У мікросхем DDR SDRAM дані усередині пакету передаються з подвоєною швидкістю – вони перемикаються по обох фронтах синхроімпульсів. На частоті 100 Мгц DDR SDRAM мають пікову продуктивність 200 Мбит/пін, що у складі 8-байтних модулів DIMM дає продуктивність 1600 Мбайт/с. На високих тактових частотах (100 - 133 Мгц) подвійна синхронізація висуває дуже високі вимоги до точності тимчасових діаграм DR DRAM (Rambus).

VC DRAM – ідея архітектури пам’яті з віртуальними каналами (Virtual Channel Memory Architecture), яка полягає в розташуванні між масивом осередків, що запам’ятовують, і зовнішнім інтерфейсом мікросхеми пам’яті набору канальних буферів. При цьому операції обміну даними розділяються на два процеси: “фасадний” обмін даними з каналами і “тиловий” обмін між каналами та масивом осередків, що запам’ятовують. Обидва процеси виконуються по командам з боку зовнішнього інтерфейсу, майже незалежно один від одного.

Статична пам’ять – SRAM (Static Random Access Memory) здатна зберігати інформацію в статичному режимі, тобто скільки завгодно довго за відсутності обігу (але за наявності живлячої напруги). Але це не єдина її перевага. SRAM має більш високу швидкодію, ніж DRAM, і може працювати на тій же частоті, що й сучасні процесори.

Елементи статичної пам’яті реалізуються на тригерах – елементах з двома стійкими станами. Швидкодія та енергоспоживання статичної пам’яті визначаються технологією виготовлення та схемотехнікою запам’ятовуючих осередків.

Час доступу в пам’яті SRAM - не більший 2 нс; це означає, що така пам’ять може працювати синхронно з процесорами на частоті 500 МГц і вище. Однак для зберігання кожного біта в конструкції SRAM використовується кластер з шести транзисторів. Використання транзисторів без будь-яких конденсаторів означає, що немає необхідності у регенерації. Адже якщо немає конденсаторів, то і заряди не втрачаються. Поки подається живлення, SRAM буде пам’ятати те, що збережено.

У порівнянні з DRAM швидкодія SRAM набагато вища, але щільність її набагато нижча, а ціна досить висока. Більш низька щільність означає, що мікросхеми SRAM мають великі габарити, хоча їх інформаційний об’єм набагато менший. Велике число транзисторів і їх кластерезоване розміщення не тільки збільшує габарити мікросхем SRAM, але і значно підвищує вартість технологічного процесу в порівнянні з аналогічними параметрами для мікросхем DRAM. Наприклад, об’єм модуля DRAM може дорівнювати 64 Мбайт або більше, в той час як об’єм модуля SRAM приблизно того ж розміру становить лише 2 Мбайт, причому їх вартість буде однаковою. Таким чином, габарити SRAM в середньому в 30 разів перевищують розміри DRAM, те ж саме можна сказати і про вартість. Все це не дозволяє використовувати пам’ять типу SRAM в якості оперативної пам’яті в персональних комп’ютерах.

Незважаючи на це, розробники все таки застосовують пам’ять типу SRAM для підвищення ефективності ПК. Але щоб уникнути значного підвищення вартості, встановлюється тільки невеликий обсяг високошвидкісної пам’яті SRAM, яка використовується як кеш-пам’ять. Кеш-пам’ять працює на тактових частотах, близьких або навіть рівних тактовим частотам процесора, причому зазвичай саме ця пам’ять безпосередньо використовується процесором при читанні та записі. Під час операцій читання дані у високошвидкісну кеш-пам’ять заздалегідь записуються з оперативної пам’яті з низькою швидкодією, тобто з DRAM.

Читайте також:

<== попередня сторінка	\|	наступна сторінка ==>
Динамічна пам’ять	\|	Виявлення та виправлення помилок пам’яті

Не знайшли потрібну інформацію? Скористайтесь пошуком google:

Генерація сторінки за: 0.004 сек.