МАРК РЕГНЕРУС ДОСЛІДЖЕННЯ: Наскільки відрізняються діти, які виросли в одностатевих союзах
РЕЗОЛЮЦІЯ: Громадського обговорення навчальної програми статевого виховання ЧОМУ ФОНД ОЛЕНИ ПІНЧУК І МОЗ УКРАЇНИ ПРОПАГУЮТЬ "СЕКСУАЛЬНІ УРОКИ" ЕКЗИСТЕНЦІЙНО-ПСИХОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ПОРУШЕННЯ СТАТЕВОЇ ІДЕНТИЧНОСТІ ПІДЛІТКІВ Батьківський, громадянський рух в Україні закликає МОН зупинити тотальну сексуалізацію дітей і підлітків Відкрите звернення Міністру освіти й науки України - Гриневич Лілії Михайлівні Представництво українського жіноцтва в ООН: низький рівень культури спілкування в соціальних мережах Гендерна антидискримінаційна експертиза може зробити нас моральними рабами ЛІВИЙ МАРКСИЗМ У НОВИХ ПІДРУЧНИКАХ ДЛЯ ШКОЛЯРІВ ВІДКРИТА ЗАЯВА на підтримку позиції Ганни Турчинової та права кожної людини на свободу думки, світогляду та вираження поглядів Контакти
Тлумачний словник |
|
|||||||
Системи позначеньДля позначення застосовується букво – цифровий код 1.елемент – це буква, або цифра (буква – широкого застосування, цифра – спеціального, або промислового застосування) Г, або 1 – Германій К, або 2 – Кремній А, або 3 – Арсенід Галію І, або 4 – Індій, або сполуки 2.Т – біполярний транзистор П – польовий транзистор 3.Цифра, яка визначає функціональні можливості по розсіювальній потужності і частоті. 5.Класифікаційна літера, яка означає відмінність між основними параметрами в одному типі транзисторів Найчастіше по β, або по UBR / Використовуються букви, які не похожі на цифри. А=β=40 – 60 Б=β=60 – 100 В=β=100 – 120 Іноді є додаткові позначення При нормальному режимі ввімкнення між емітером і базою прикладена напруга прямої полярності – опір емітерно базового переходу невеликий, спадок напруги малий (0.5 – 0.7 В) в емітерному колі буде протікати струм іе Між колектором і базою прикладена напруга зворотної полярності, велини її порядку 10 ÷ 30 В, цей перехід закритий, опір його великий. При протіканні прямого струму основні носії з емітерного шару (дірки) почнуть активно рухатися в шар бази, товщина шару бази є дуже мала, невеличка частина дірок рекомбінує з електронами за рахунок цього утвориться невеликий базовий струм Іб, а в самій базі виникає велика концентрація неосновних носіїв (дірок). Далі шляхом дифузії дірки починають рухатися в різні бази і попадуть в шар колектора. Поле між базою і колектором. Для них буде прискорюючим і всі дірки, котрі попали в шар колектора почнуть рухатися назустріч електронам, які туди поступають туди від колекторного джерела, вони рекомбінують і виникає колекторний струм Ік, який майже рівний емітерному струму. Такий процес переходу дірок з шару емітера в шар колектора називається передачею струму з кола емітера в коло колектора для схеми зі спільною базою Він характеризується коефіцієнтом передачі струму для схеми зі спільною базою α або h21B α – Вижчий, чим тонша база
|
||||||||
|