МАРК РЕГНЕРУС ДОСЛІДЖЕННЯ: Наскільки відрізняються діти, які виросли в одностатевих союзах
РЕЗОЛЮЦІЯ: Громадського обговорення навчальної програми статевого виховання ЧОМУ ФОНД ОЛЕНИ ПІНЧУК І МОЗ УКРАЇНИ ПРОПАГУЮТЬ "СЕКСУАЛЬНІ УРОКИ" ЕКЗИСТЕНЦІЙНО-ПСИХОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ПОРУШЕННЯ СТАТЕВОЇ ІДЕНТИЧНОСТІ ПІДЛІТКІВ Батьківський, громадянський рух в Україні закликає МОН зупинити тотальну сексуалізацію дітей і підлітків Відкрите звернення Міністру освіти й науки України - Гриневич Лілії Михайлівні Представництво українського жіноцтва в ООН: низький рівень культури спілкування в соціальних мережах Гендерна антидискримінаційна експертиза може зробити нас моральними рабами ЛІВИЙ МАРКСИЗМ У НОВИХ ПІДРУЧНИКАХ ДЛЯ ШКОЛЯРІВ ВІДКРИТА ЗАЯВА на підтримку позиції Ганни Турчинової та права кожної людини на свободу думки, світогляду та вираження поглядів Контакти
Тлумачний словник |
|
|||||||
Автоматизація проектування напівзамовлених ВІС.
У цілому проектування напівзамовлених ВІС залежить від можливостей замовника і виробника. Зростання складності проектів ВІС і самих ЕОМ майже виключає можливість використання ручних методів для їх проектування. Найбільше поширення одержала концепція базового матричного кристала (БМК), коли при розробці ВІС використовується спеціальна заготовка – базовий кристал (БК), що представляє собою матрицю комірок незкомутованих елементів. Для реалізації проекту необхідно розробити індивідуальну систему міжз`єднань цих елементів, тобто, щоб реалізувати ВІС на базовому кристалі досить спроектувати і виготовити тільки фотошаблони для шарів комутації. Виготовлену в такий спосіб напівзамовлену ВІС називають матричною (МаВІС). Технологічний маршрут проектування матричних ВІС складається з чотирьох основних етапів: 1) розробка принципової електричної схеми МаВІС; 2) розробка топології змінних шарів МаВІС; 3) контроль проекту МаВІС; 4) розробка технічної документації − програм тестової перевірки працездатності МаВІС і керуючих програм для виготовлення фотошаблонів. Розробка принципової електричної схеми здійснюється за допомогою підсистеми функціонально-логічного моделювання. Розробник (схемотехнік) спочатку малює ескіз принципової електричної схеми, потім описує її спеціальною мовою. Опис є одним з розділів завдання для моделювання ВІС на ЕОМ. Інші розділи завдання містять інформацію про впливи, при яких повинне здійснюватися моделювання, опис зовнішніх виводів МаВІС, контрольних точок для друку часових діаграм і т.п. Текст завдання проходить синтаксичний і семантичний контроль з видачею діагностичних повідомлень про помилки. Після виправлення всіх помилок у вихідному описі починається процес моделювання МаВІС. Розробник контролює правильність функціонування проекту за часовими діаграмами у контрольних точках. При виявленні помилки здійснюється доробка схеми і виправлення тексту її опису. Етап функціонально-логічного моделювання завершується коли при усіх вхідних впливах на виходах схеми з`являються необхідні сигнали (реакції на впливи). Таким чином, змодельований текст опису схеми стає еталонним, а система впливів і реакцій − вихідною інформацією для програм топологічного проектування. Етап розробки змінних шарів топології може бути реалізований трьома способами − шляхом ручного проектування з наступною машинною обробкою, автоматизованого проектування з наступною ручною дорозводкою і шляхом автоматичного синтезу. При автоматичному синтезі досягається повна реалізація топології проекту в автоматичному режимі і тому відпадає необхідність у проведенні контролю. Оскільки цей процес може бути реалізований при тому ж інформаційному забезпеченні, що і логічне моделювання, то з'являється можливість атестувати працездатність проекту МаВІС із врахуванням його топологічної реалізації. Для цього за допомогою спеціальною програми-екстрактора по топології відновлюється електрична схема МаВІС. Вибір маршруту топологічного проектування визначається кількістю елементів та кількістю виводів елементів. Найбільш розповсюдженим критерієм оцінки якості отриманої топології є критерій максимуму щільності заповнення базового кристала, що дорівнює відношенню кількості елементів МаВІС до кількості комірок (посадкових місць) кристала. При щільності заповнення 90...100% застосовують ручне проектування, при щільності 80...90 % − автоматизоване, а при щільності менше 80 % − автоматичний синтез. Відповідно міняються терміни розробки топології. На етапі контролю відбувається порівняння вихідної і відновленої принципових схем, а також контролюється дотримання конструкторських і технологічних правил і норм проектування. Підсистема контролю реалізується на високопродуктивних ЕОМ. При підготовці технічної документації здійснюється компіляція магнітних стрічок з інформацією про тести для контрольно-вимірювального устаткування і з програмами керування електронно-променевими чи оптичними генераторами зображення.
Читайте також:
|
||||||||
|