МАРК РЕГНЕРУС ДОСЛІДЖЕННЯ: Наскільки відрізняються діти, які виросли в одностатевих союзах
РЕЗОЛЮЦІЯ: Громадського обговорення навчальної програми статевого виховання ЧОМУ ФОНД ОЛЕНИ ПІНЧУК І МОЗ УКРАЇНИ ПРОПАГУЮТЬ "СЕКСУАЛЬНІ УРОКИ" ЕКЗИСТЕНЦІЙНО-ПСИХОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ПОРУШЕННЯ СТАТЕВОЇ ІДЕНТИЧНОСТІ ПІДЛІТКІВ Батьківський, громадянський рух в Україні закликає МОН зупинити тотальну сексуалізацію дітей і підлітків Відкрите звернення Міністру освіти й науки України - Гриневич Лілії Михайлівні Представництво українського жіноцтва в ООН: низький рівень культури спілкування в соціальних мережах Гендерна антидискримінаційна експертиза може зробити нас моральними рабами ЛІВИЙ МАРКСИЗМ У НОВИХ ПІДРУЧНИКАХ ДЛЯ ШКОЛЯРІВ ВІДКРИТА ЗАЯВА на підтримку позиції Ганни Турчинової та права кожної людини на свободу думки, світогляду та вираження поглядів Контакти
Тлумачний словник |
|
||||||||||
Ключі на польових транзисторах (ПТ).В польовому транзисторі провідністю каналу керує електричне поле, створене прикладеною до затвору напругою. В даному випадку немає зміщених р-п переходів, тому найбільш важливою характеристикою польових транзисторів є відсутність струму затвору, як наслідок маємо високий вхідний опір (до 1014 Ом і більше). Це суттєво спрощує проектування схем. Дуже вдале використання ПТ в схемах аналогових перемикачів та підсилювачів з великим вхідним опором. Самі по собі або в комбінації з біполярними транзисторами ПТ чудово реалізується в інтегральних схемах. Переваги ключів на польових транзисторах : 1) Відсутність залишкової напруги при відкритому транзисторі; 2) Високе відношення : 3) мала потужність у колі управління;
4) можна використовувати безтрансформаторну схему управління польовими транзисторами “відірваними” від загальної шини. Недоліки таких ключів – це нижча швидкодія порівняно з ключами на біполярних транзисторах. Найбільш просто схемотехнічно вирішується задача управління ключами для польових транзисторів з індукованим затвором. Схема паралельного ключа на МОН- транзисторі зображена на рис. 2.9. Коли Uз-в=0 (напруга затвор-виток) –транзистор закритий. Якщо Uз-В>Uпор (порогова напруга), то транзистор відкривається. Перехідні процеси зумовлені ємністю С=См+Снав+Сс-в, де См – ємність монтажу, Снав – ємність навантаження, Сс-в – ємність переходу стік – витік. При цьому стала часу розряду приблизно визначається як tроз» С×rC-B , стала часу заряду tзар»С×R×RH/(R+Rн), rс-в – опір переходу стік-витік. Перезаряд буде проходити приблизно за експонентою
У схемі послідовно-паралельного ключа використовують польові транзистори різної провідності (комплементарна пара МОН– транзисторів) При подачі Uупр>0 нижній транзистор відкривається, верхній- запирається і навпаки, при Uупр<0 нижній транзистор запирається, а верхній- відкривається, (рис. 2.10). В статичному режимі струм від Uвх майже не протікає, енергія використовується тільки на перезаряд ємності С, тому схема дуже економічна. Схема має високу швидкодію, бо перезаряд ємності С відбувається через малий опір відкритого транзистора верхнього або нижнього. Читайте також:
|
|||||||||||
|