Підвищення швидкодії ТК.

Підвищити швидкодію транзисторного ключа можна за допомогою форсованого ланцюга в колі бази (рис 2.7).

При „стрибку” U_упр струм бази спочатку визначається U_упр і R₁, а після закінчення перехідного процесу струм дорівнює

U_упр/( R₁+R₂).

Недолік схеми : через температурний вплив неможливо задати транзистору малий

коефіцієнт насичення.

У більш досконалій схемі використовують діод у колі зворотного зв’язку (рис 2.8).

В початковий момент часу діод закритий. При надходженні імпульсу U_упр виникає струм в базовому колі і транзистор починає відкриватися. Потенціал емітера знижується. Коли потенціал точки А більший за U_вих, діод відкривається, схема охоплюється від’ємним зворотнім зв’язком, коефіцієнт підсилення всієї схеми падає і основна частина всього струму з ланцюга управління надходить через діод і лише мала його частина потрапляє на базу. Транзистор знаходиться на границі насичення, температурний вплив малий.

Читайте також:

<== попередня сторінка	\|	наступна сторінка ==>
Покращення характеристик транзисторних ключів (ТК).	\|	Ключі на польових транзисторах (ПТ).

Не знайшли потрібну інформацію? Скористайтесь пошуком google:

Генерація сторінки за: 0.004 сек.