Товщина запірного шару

Розглядаючи розподіл величини електростатичного потенціалу в запірному шарі, ми отримали:

. (2.38)

Звідси товщина запірного шару d_n буде дорівнювати :

, (2.39)

якщо n₀=Nd

Із (2.39) видно, що товщина запірного шару зростає із зростанням величини V_k - контактної різниці потенціалів, яка визначається різницею робіт виходу і зменшується при збільшенні концентрації домішки.

Формула (2.39) буде справедливою і при накладенні зовнішнього електричного поля.

Для прямого включення зовнішнього електричного поля висота потенціального бар`єру зменшується на величину зовнішньої напруги e(V_k-V).

В цьому випадку товщина запірного шару буде:

, (2.40)

тобто величина d_n буде зменшуватися з ростом величини V.

Навпаки при V<0 , тобто для зворотнього включення, товщина шару збільшується з ростом абсолютного значення V. Якщо V позначити через V_звор_., то формулу (2.40) можна переписати так:

, (2.41)

Збіднений шар з постійним об`ємним зарядом здатний змінювати свою товщину по формулі типу ( 2.39 ) називають фізичним запірним шаром або шаром (бар`єром) Шотткі.

Відмітимо залежність товщини бор`єру Шотткі від концентрації носіїв заряду і, відповідно, від концентрації легуючих домішок.

Із збільшенням n₀ товщина шару зменшується , і навпаки. Відповідно, чим слабше легований напівпровідник, тим більше d_n при заданому значенні V. Наприклад, для германію n -типу, який має =16, V_k=0,3eB при n₀=10¹⁴см^-3 в рівноважному стані, тобто при V=0 маємо d_n=2,3^.10^-4см, а при n₀=10¹⁶ см^-3, відповідно d_n= 2,3^.10^-5см.

Звичайно порядок товщини шару Шотткі при V=0 буде в межах 10^-⁵-10^-3см.

Читайте також:

Якщо молярна концентрація і товщина поглинаючого шару розчину дорівнюють одиниці, то

<== попередня сторінка	\|	наступна сторінка ==>
Зміна зонної схеми контакту напівпровідник-метал при накладенні постійного зовнішнього поля	\|	Теорія випрямлення на контакті напівпровідник-метал

Не знайшли потрібну інформацію? Скористайтесь пошуком google:

Генерація сторінки за: 0.005 сек.