МАРК РЕГНЕРУС ДОСЛІДЖЕННЯ: Наскільки відрізняються діти, які виросли в одностатевих союзах
РЕЗОЛЮЦІЯ: Громадського обговорення навчальної програми статевого виховання ЧОМУ ФОНД ОЛЕНИ ПІНЧУК І МОЗ УКРАЇНИ ПРОПАГУЮТЬ "СЕКСУАЛЬНІ УРОКИ" ЕКЗИСТЕНЦІЙНО-ПСИХОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ПОРУШЕННЯ СТАТЕВОЇ ІДЕНТИЧНОСТІ ПІДЛІТКІВ Батьківський, громадянський рух в Україні закликає МОН зупинити тотальну сексуалізацію дітей і підлітків Відкрите звернення Міністру освіти й науки України - Гриневич Лілії Михайлівні Представництво українського жіноцтва в ООН: низький рівень культури спілкування в соціальних мережах Гендерна антидискримінаційна експертиза може зробити нас моральними рабами ЛІВИЙ МАРКСИЗМ У НОВИХ ПІДРУЧНИКАХ ДЛЯ ШКОЛЯРІВ ВІДКРИТА ЗАЯВА на підтримку позиції Ганни Турчинової та права кожної людини на свободу думки, світогляду та вираження поглядів Контакти
Тлумачний словник |
|
|||||||
Алгоритм розрахунку температури поверхні чипу ІМС процесораЛекція №5 Для розрахунку температури поверхні чипу необхідно у визначеній загальній тепловій схемі (Рис. 5) знайти значення теплових опорів окремих теплових елементів. Далі шляхом еквівалентних перетворень схеми привести до виду: Де R∑ - сумарний тепловий опір системи охолодження поверхні чипу; θ1 – температура поверхні чипу, яку необхідно визначити; Р – потужність, яка виділяється на поверхні чипу. На основі схеми Рис. 6. складаємо рівняння: θ1 – θ2 = Р · R∑ , звідси θ1 = Р · R∑ + θ2 Виникає питання, від чого залежить потужність, що виділяється на поверхні чипу в сучасних цифрових ІМС. Відомо, що сучасні цифрові ІМС побудовані на основі комплементарних метало-окисел напівпровідникових (КМНО) структур, в яких основні витрати енергії визначаються витратами на перезарядку паразитних електричних ємностей, що визначаються елементами діелектричної ізоляції елементів самих структур. Розглянемо крайній випадок. Електричну ємність визначимо площею чипу, наприклад S = 1 см2, та товщиною діелектрика, наприклад d = 0,1 мкм, матеріал діелектрика SiO2, ε ≈ 4, то: Тактова частота ft = 2 ГГц = 2·109 Гц; Напруга переминання U = 1В. Відомо, що енергія, яка необхідна на заряд конденсатора С від джерела постійного струму з напругою U складе CU2; причому половину цієї енергії CU2/2 витрачається на схемі заряду ємності, половина накопичується на конденсаторі, яка після витрачається на елементах електричної схеми при розряді конденсатора. При наведених даних потужність Р, що буде виділятись на чипі наближено в крайньому випадку можна визначити: Р = ft ·CU2 = 2·10-9·3,5·10-8 ≈ 70 Вт Наведене показує, що енергії, пов’язаної з пере зарядом паразитних ємностей чипу суттєво залежить від рівня технології (проектно технологічних норм – товщини діелектрика), тактової частоти та розмірів чипу. І для швидкодіючих чипів вона складає не менше одиниці ват. Визначення Rч кондукцією від поверхні чипа до його основи. де hч – товщина; Sч – площа; λч – коефіцієнт теплопровідності матеріалу чипу (кремнію λSi = 150 [Вт/м°С]). Приймаємо hч = 0,7 мм; Sч = 1 см2, тоді Визначення Rкр теплового опору кришки від зони її з’єднання з основою до протилежної поверхні: де hк – товщина; Sч – площа; λч – коефіцієнт теплопровідності матеріалу кришки (корпусу). Приймаємо hк = 2 мм; Sч = 25 см2; λк = 8 [Вт/м°С], матеріал 22ХС – кераміка на основі окислів Al2O3, тоді: Визначення теплового опору шару Rш між поверхнею кришки та поверхнею радіатора. Тут можна розглядати різні варіанти передачі теплової енергії між поверхнями кришки та радіатора: ü шар може бути у вигляді тонкого газового або рідинного прошарку, який забезпечує передачу тепла між поверхнями конвекцією; ü шар може бути у вигляді тонкого прошарку теплопровідної пасти у вигляді гелю, який між поверхнями передає тепло кондукцією. Для першого випадку тепловий опір конвекцією, нехтуючи товщиною шару і тепловим опором його кондукцією, тепловий опір можна визначити: де Sш – площа шару; αкш, αкш – коефіцієнти тепловіддачі конвекцією кришка–шар (αкш), та шар–радіатор (αкш). Враховуючи малу товщину шару, та високий при цьому градієнт температури в шарі, то можуть створюватися умови передачі теплової енергії від природних до примусових конвекцією як для газу, так і для рідини. Тому коефіцієнти тепловіддачі αкш і αкш можуть знаходитися в діапазоні значень: - для газового шару 2÷150 [Вт/м°С]; - для шару рідини 200÷3000 [Вт/м°С]. Якщо обмежимося можливими реальними значеннями для газового шару 30÷100 [Вт/м°С] та шару рідини 300÷1000 [Вт/м°С], то: Наведені значення опорів Rш рід та Rш газу показують можливі реально значення Rш коли має місце якісний тепловий контакт між радіатором і корпусом ІМС, або він втрачений в процесі експлуатації. Тепловий опір радіатора R р. Обмежимося тільки опором конвекцією між поверхнею радіатора та середовищем (опором кондукцією по матеріалу радіатора знехтуємо). де Sр – площа поверхні радіатора, що віддає тепло; αр – коефіцієнти тепловіддачі. Приймаємо αр = 10÷100 Вт/м2·°С; Sр = 50÷300 см2, тоді: Визначення теплового опору основи Rос від зони її з’єднання з кришкою до протилежної сторони (зони виводів): де hос – товщина; Sк – площа основи корпусу; λос – коефіцієнт теплопровідності матеріалу основи корпусу. Приймаємо hос = 2 мм; Sк = 25 см2; λос = 8 Вт/м°С, тоді: Тепловий опір виводів Rв: де hв – довжина; Sв – площа перетину; Nв – число виводів; λв – коефіцієнт теплопровідності матеріалу виводів. Приймаємо Nв = 400 одиниць; hв = 1 мм; Sв = 1 мм2; λв = 120 Вт/м°С, тоді: Тепловий опір ділянки контактної зони друкованої плати Rдп 11 кондукцією з однією на протилежну її сторону: де hдп – довжина; Sз – площа зони контактів друкованої плати; λдп – коефіцієнт теплопровідності плати. Приймаємо hдп = 3 мм; Sз = 25 см2; λдп = 10 Вт/м°С, тоді: Тепловий опір конвекцією контактної зони друкованої плати Rдп 12: де αдп 12 – коефіцієнти тепловіддачі ділянки контактної зони друкованої плати; Sз – площа зони; Приймаємо αдп 12 = 5 Вт/м2°С, тоді: Тепловий опір кондукцією ділянки друкованої плати Rдп 21 від зони контактів до зовнішнього периметру ділянки друкованої плати, який відноситься до ІМС. де Dпв – ефективний діаметр зони контактів; Dпз – ефективний діаметр ділянки плати ІМС. Dпз = , де Sn – площа плати, що відноситься до ІМС. Приймаємо Dпв/Dпв = 2, тоді: Тепловий опір ділянки друкованої плати конвекцією за межами ділянки контактної зони: де αдп 22 – коефіцієнти тепловіддачі ділянки за межами контактної зони; Sп – площа ділянки друкованої плати, що відноситься до ІМС. Приймаємо αдп 22 = 10÷100 Вт/м2·°С; Sп = 100 см2, тоді: Приведемо еквівалентну схему з визначеними величинами теплових опорів. θ1 = θ2 + Р · R∑ = 20 + (10 ÷ 100) = 30 ÷ 120 °С Читайте також:
|
||||||||
|