МАРК РЕГНЕРУС ДОСЛІДЖЕННЯ: Наскільки відрізняються діти, які виросли в одностатевих союзах
РЕЗОЛЮЦІЯ: Громадського обговорення навчальної програми статевого виховання ЧОМУ ФОНД ОЛЕНИ ПІНЧУК І МОЗ УКРАЇНИ ПРОПАГУЮТЬ "СЕКСУАЛЬНІ УРОКИ" ЕКЗИСТЕНЦІЙНО-ПСИХОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ПОРУШЕННЯ СТАТЕВОЇ ІДЕНТИЧНОСТІ ПІДЛІТКІВ Батьківський, громадянський рух в Україні закликає МОН зупинити тотальну сексуалізацію дітей і підлітків Відкрите звернення Міністру освіти й науки України - Гриневич Лілії Михайлівні Представництво українського жіноцтва в ООН: низький рівень культури спілкування в соціальних мережах Гендерна антидискримінаційна експертиза може зробити нас моральними рабами ЛІВИЙ МАРКСИЗМ У НОВИХ ПІДРУЧНИКАХ ДЛЯ ШКОЛЯРІВ ВІДКРИТА ЗАЯВА на підтримку позиції Ганни Турчинової та права кожної людини на свободу думки, світогляду та вираження поглядів Контакти
Тлумачний словник |
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Загальні відомості.Електронно-дірковий перехід Лекція 2 Тема 2 Напівпровідникові прилади 1 Загальні відомості 2 Утворення переходу 3 Контакт метал – напівпровідник Залежно від провідності електричного струму всі матеріали діляться на діелектрики, провідники й напівпровідників. Діелектричні матеріали мають великий питомий опір і майже зовсім не проводять електричний струм. Провідникові матеріали мають малий питомий опір і гарно проводять електричний струм. Напівпровідникові матеріали в чистому виді характеризуються більшим питомим опором і їх можна віднести до класу діелектриків. Провідність напівпровідника обумовлена присутністю домішок - матеріалів з більшою або меншою валентністю в порівнянні з напівпровідником. Найбільше поширення одержали германієві й кремнієві матеріали. Схематичне зображення кристалічних ґрат ідеального провідника на (рис. 1.1,а.). Між атомами напівпровідника здійснюється ковалентний зв'язок, тобто валентні електрони кожного атома беруть участь в одержанні валентних оболонок інших атомів. При введенні в кристалічні ґрати п’ятивалентного елемента (рисунок 1.1,б), чотири електрони домішки беруть участь у ковалентному зв'язку із сусідніми атомами, а п'ятий електрон уже при температурі вище нуля розриває зв'язок зі своїм атомом і стає вільним електроном, що може брати участь в утворенні електричного струму, а атоми домішок перетворюються в позитивні іони. Такі домішки називаються донорними, а напівпровідники – n-типу. При впровадженні в кристалічні ґрати напівпровідника тривалентних елементів (рисунок 1.1,в) при температурі вище нуля відсутній четвертий електрон приєднуються від сусідніх атомів, створюючи негативний іон домішки й відсутність електрона в сусідньому атомі — "дірку". Такі домішки називаються акцепторними, а напівпровідники р-типа. "Дірка" має позитивний заряд, дорівнює заряду електрона. Такі домішкі називаються акцепторними, а напівпровідники - з дірковою провідністю. Таблиця 1.1
У таблиці 1.1 наведено основні особливості й властивості переходу.
а) б) в)
Рисунок 1.1 - Схематичне зображення кристалічних ґрат
Читайте також:
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|