Студопедия
Новини освіти і науки:
МАРК РЕГНЕРУС ДОСЛІДЖЕННЯ: Наскільки відрізняються діти, які виросли в одностатевих союзах


РЕЗОЛЮЦІЯ: Громадського обговорення навчальної програми статевого виховання


ЧОМУ ФОНД ОЛЕНИ ПІНЧУК І МОЗ УКРАЇНИ ПРОПАГУЮТЬ "СЕКСУАЛЬНІ УРОКИ"


ЕКЗИСТЕНЦІЙНО-ПСИХОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ПОРУШЕННЯ СТАТЕВОЇ ІДЕНТИЧНОСТІ ПІДЛІТКІВ


Батьківський, громадянський рух в Україні закликає МОН зупинити тотальну сексуалізацію дітей і підлітків


Відкрите звернення Міністру освіти й науки України - Гриневич Лілії Михайлівні


Представництво українського жіноцтва в ООН: низький рівень культури спілкування в соціальних мережах


Гендерна антидискримінаційна експертиза може зробити нас моральними рабами


ЛІВИЙ МАРКСИЗМ У НОВИХ ПІДРУЧНИКАХ ДЛЯ ШКОЛЯРІВ


ВІДКРИТА ЗАЯВА на підтримку позиції Ганни Турчинової та права кожної людини на свободу думки, світогляду та вираження поглядів



Контакти
 


Тлумачний словник
Авто
Автоматизація
Архітектура
Астрономія
Аудит
Біологія
Будівництво
Бухгалтерія
Винахідництво
Виробництво
Військова справа
Генетика
Географія
Геологія
Господарство
Держава
Дім
Екологія
Економетрика
Економіка
Електроніка
Журналістика та ЗМІ
Зв'язок
Іноземні мови
Інформатика
Історія
Комп'ютери
Креслення
Кулінарія
Культура
Лексикологія
Література
Логіка
Маркетинг
Математика
Машинобудування
Медицина
Менеджмент
Метали і Зварювання
Механіка
Мистецтво
Музика
Населення
Освіта
Охорона безпеки життя
Охорона Праці
Педагогіка
Політика
Право
Програмування
Промисловість
Психологія
Радіо
Регилия
Соціологія
Спорт
Стандартизація
Технології
Торгівля
Туризм
Фізика
Фізіологія
Філософія
Фінанси
Хімія
Юриспунденкция






Між характеристичними та внутрішніми параметрами транзистора для кожної схеми вмикання існує певний зв’язок.

Біполярний транзистор в динамічному режимі. В практичних при­строях промислової електроніки найбільшого поширення набула схе­ма ЗЕ, що має найбільше підсилення потужності. При цьому в коло вихідного електрода транзистора вмикається опір навантаження RС , а в коло вхідного електрода – джерело вхідного сигналу з електрорушійною силою ед(рис. 1.19, а). Лише при наявності опору наванта­ження можливий процес підсилення напруги і потужності вхідного сигналу.

Рис. 1.19

В схемі на рис. 1.19, а зміни колекторного струму транзистора за­лежать не лише від змін базового струму, а й від змін напруги на колекторі

U = ЕC - ІCRC , (1.23)

яка, в свою чергу, визначається змінами як базового, так і колектор­ного струмів. Таким чином, одночасно змінюються всі струми і напру­ги в транзисторі. Такий режим роботи транзистора називають динамічним, а характеристики, що визначають зв'язок між струмами і на­пругами транзистора при наявності опору навантаження, динамічними характеристиками.

Динамічні характеристики будують на сім’ї статичних характе­ристик за заданими значеннями напруги джерела живлення колек­торного кола ЕС та опору навантаження RС . Для побудови вихідної динамічної характеристики (рис. 1.19, 6) використовують рівняння динамічного режиму (1.23), яке являє собою рівняння прямої, оскільки при змінній величині ІС стоїть сталий коефіцієнт, що дорівнює чи­сельно RС. Тому достатньо знайти відрізки, що відсікаються прямою на осях координатної системи (ІC , UСЕ).

Якщо ІC = 0, то UСЕ = ЕC і при UСЕ = 0 ІC = ЕC /RC . Відклавши на відповідних осях напругу, що дорівнює ЕC , і струм, що дорівнює ЕC /RC , через одержані точки проводять пряму АG, яку назива­ють лінією навантаження. Вихідна динамічна характеристика є гео­метричним місцем точок перетину лінії навантаження зі статичними характеристиками. Використовуючи динамічну колекторну харак­теристику, можна для будь-якого значення колекторного струму знай­ти відповідні значення напруги на колекторі та струму у вхідному колі ІB . Лінію навантаження можна побудувати також, якщо з точки G провести пряму лінію під кутом ψ = arctg RC .

Для визначення напруги на базі транзистора UВЕ (вхідної напру­ги) будують вхідну динамічну характеристику простим перенесенням точок IВ , UСЕ з вихідної динамічної характеристики на сім'ю статич­них вхідних характеристик (рис. 1.19, в). Значення відповідних базо­вих напруг визначаються абсцисами цих точок (на рис. 1.19, в зображе­но лише ділянки С' D' вхідної динамічної характеристики).

Точку перетину лінії навантаження зі статичною характеристи­кою при заданому струмі IB2 = I, що визначається джерелом зміщення ЕB , називають робочою точкою, а її початкове положення на лінії навантаження (за відсутності вхідного змінного сигналу) - точ­кою спокою р. Точка спокою визначає струм спокою вихідного кола I0C та напругу спокою U0C . При цьому рівняння динамічного ре­жиму має вигляд

U0C = ЕC - I0C RC .

Місцезнаходження точки спокою визначається призначенням схе­ми, в якій використовується транзистор, значенням та формою вхідно­го сигналу і т. д. Якщо, наприклад, вхідний сигнал симетричний (нарис. 1.19 показаний такий сигнал синусоїдальної форми) з амплітудою вхідної напруги U та амплітудою вхідного струму I, то точку спокою р вибирають приблизно посередині лінії навантаження. При цьому в колекторному колі протікає струм з амплітудою I, а на ко­лекторі виділяється напруга з амплітудою UСт .

Якщо в вихідне коло транзистора ввімкнути зовнішнє навантаження (на рис. 1.19. а це коло показане пунктирною лінією), то, оче­видно, що загальним опором колекторного навантаження змінному струмові буде опір R’H= RC RH /(RC + RН), і динамічну характеристи­ку змінного струму слід провести через точку спокою під кутом ψ’ = arctg R’H (пунктирна лінія на рис. 1.19, 6).

Режим роботи транзистора, за якого робоча точка не виходить за межі ділянки ВF лінії навантаження, називають лінійним, або підси­лювальним режимом. При цьому зі зміною вхідного (базового) струму пропорційно змінюється вихідний (колекторний) струм.

Біполярні транзистори широко використовують у пристроях під­силення, генерації та перетворення електричних сигналів як безперервної, так і імпульсної дії. Вони є також основою інтегральних мікросхем.

 


Читайте також:

  1. D називається обмеженою зверху (знизу), якщо існує число М
  2. IV. На четвертому етапі, виходячи із позиції кожної СОБ на матриці АДЛ, вибирають для неї відповідну стратегію.
  3. VІ. Структурно-логічні схеми
  4. Алгоритми та блок-схеми
  5. Але відмінні від значення функції в точці або значення не існує, то точка називається точкою усувного розриву функції .
  6. Базовою для інтегрального числення є така теорема: ТЕОРЕМА 2. Якщо функція неперервна, то для неї існує
  7. Блоки схеми алгоритму
  8. Будова та принцип дії польового транзистора з p-n-переходом
  9. Будова, характеристики і параметри біполярного транзистора
  10. В межах наукового підходу існує велика кількість концепцій, але найбільш переконлива – еволюційна теорія.
  11. В цілому сукупність суспільного продукту – це сукупність благ і послуг, вироблених суспільством за певний період часу (як правило, за рік).
  12. В цілому сукупність суспільного продукту – це сукупність благ і послуг, вироблених суспільством за певний період часу (як правило, за рік).




Переглядів: 439

<== попередня сторінка | наступна сторінка ==>
БІПОЛЯРНІ ТРАНЗНСТОРИ | ПОЛЬОВІ ТРАНЗНСТОРИ

Не знайшли потрібну інформацію? Скористайтесь пошуком google:

 

© studopedia.com.ua При використанні або копіюванні матеріалів пряме посилання на сайт обов'язкове.


Генерація сторінки за: 0.006 сек.