Студопедия
Контакти
 


Тлумачний словник

Реклама: Настойка восковой моли




Авто | Автоматизація | Архітектура | Астрономія | Аудит | Біологія | Будівництво | Бухгалтерія | Винахідництво | Виробництво | Військова справа | Генетика | Географія | Геологія | Господарство | Держава | Дім | Екологія | Економетрика | Економіка | Електроніка | Журналістика та ЗМІ | Зв'язок | Іноземні мови | Інформатика | Історія | Комп'ютери | Креслення | Кулінарія | Культура | Лексикологія | Література | Логіка | Маркетинг | Математика | Машинобудування | Медицина | Менеджмент | Метали і Зварювання | Механіка | Мистецтво | Музика | Населення | Освіта | Охорона безпеки життя | Охорона Праці | Педагогіка | Політика | Право | Програмування | Промисловість | Психологія | Радіо | Регилия | Соціологія | Спорт | Стандартизація | Технології | Торгівля | Туризм | Фізика | Фізіологія | Філософія | Фінанси | Хімія | Юриспунденкция

Транзистори

Загрузка...

Транзистор це тришарова структура з двох р-п-переходів. Основою приладу є пластина монокристала п-германію, яку називають базою. З двох боків у базу вплавлені таблетки індію. На межі поділу індію й германію в процесі вплавлення утворюється шар напівпровідника з дірковою провідністю. Отже, на межі вплавлення виникають електронно-діркові переходи. Перехід, що діє при прямому зміщенні, називається емітерним, а крайній р-шар, який інжектує основні носії в базу,— емітером. Перехід, що діє при зворотному зміщенні, називається колекторним, а крайній р-шар, який збирає інжектовані носії, що пройшли через шар бази,— колектором.

База повинна мати малу товщину W, щоб виконувалась умова W<L, де L — дифузійна хвиля неосновних носіїв (дірок у базі). Якщо ця умова не виконується, то інжектовані носії в процесі переміщення через базу встигають рекомбінувати. Достатньо мала товщина бази (W << L) є умовою взаємодії р-п-переходів у транзи­сторі. Звичайно ступінь легування бази значно нижчий від ступеня легування емітера і колектора. До емітера, бази і колектора припаяні виводи, що утворюють з цими електродами омічний (невипрямний) контакт.

Такий транзистор називають транзистором р-п-р типу. Транзи­стори, в яких базою є р-напівпровідник, а емітером і колектором n-напів-провідники, називають транзисторами п-р-п типу.

У тран­зисторах р-п-р-типу робочими носіями є дірки, а в транзисторах п-р-п типу електрони. Полярності напруг на електродах тран­зисторів цих типів зворотні.

Умовні позначення транзисторів на електричних схемах згідно з ГОСТ 2.730—73 подано на рисунку 8.1.

Основні властивості транзистора визначаються процесами в базі. Рух інжектованих носіїв у базі дифузійний і дрейфовий. Дифузійний рух зумовлюється зміною концентрації неосновних носіїв у базі в напрямі від емітера до колектора. Дрейфові рухи є наслідком електричного поля в базі. Транзистори без власного поля бази називаються дифузійними, а з власним полем—дрейфовими.


Читайте також:

  1. ЛІЗМОН-транзистори
  2. МДН- транзистори з індукованим каналом.
  3. МДН-транзистори з вбудованим каналом
  4. МЕН-транзистори (транзистори Шотки)
  5. МНОН - транзистори
  6. Польові транзистори з ізольованим затвором
  7. Польові транзистори з керуючим переходом
  8. Складені транзистори в компенсаційних стабілізаторах
  9. Транзистори
  10. Транзистори
  11. Транзистори Шотки

Загрузка...



<== попередня сторінка | наступна сторінка ==>
Хід роботи | Основні процеси в транзисторі

Не знайшли потрібну інформацію? Скористайтесь пошуком google:


 

© studopedia.com.ua При використанні або копіюванні матеріалів пряме посилання на сайт обов'язкове.


Генерація сторінки за: 0.005 сек.