СКЛАДЕНИЙ ТРАНЗИСТОР

Складений транзистор широко використовується в диференційних каскадах, які є основою операційних підсилювачів. Він складається з комбінації двох транзисторів, з’єднаних відповідним чином (схема Дарлiнгтона). Ця схема (рис. 5.10, а)має два транзистори, з’єднані колектори яких являють собою загальний колектор складеного транзистора, а до бази транзистора VТ2 під'єднаний емітер транзистора VТl. При цьому база транзистора VТl і емітер транзистора VТ2 являють собою відповідно загальну базу і загальний емітер складеного транзистора.

На практиці такий складений транзистор створюють у процесі монтажу зовнішніх виводів двох дискретних транзисторів. При виробництві аналогових ІМС складений транзистор створюють в одній пластині напівпровідника з внутрішніми з’єднаннями в необхідних точках.

Особливістю складеного транзистора є високий коефіцієнт передачі струму бази h_21Ес . Оскільки

dІ_С₁ = h_21Е₁dІ_В₁

dІ_С2 = h_2ІЕ2dІ_B2 = h_21Е2dІ_Е1= h_21Е2(h_21Е1 +l )dІ_B1,

то

dІ_С = dІ_С1 + dІ_С2 = h_21Е2dІ_В1+ h_21Е2(h_21Е1 +l )dІ_B1.

Приймаючи до уваги, що dІ_В1 = dІ_В ,запишемо коефіцієнт передачі струму бази складеного транзистора

h_21Ес = dІ_С /dІ_В = h_21Е1 + h_21Е2 + h_21Е1·h_21Е2 = (h_21Е1 + 1)(h_21Е2 + 1) – 1. (5.32)

Оскільки звичайно виконуються нерівності h_21Е1 >>1 і h_21Е2 >>1, то

h_21Ес ≈ h_21Е1·h_21Е2. (5.33)

У формулах (5.32) і (5.33) індекс "1" стосується параметрів транзистора VТl, а індекс "2" – транзистора VТ2

Рис. 5.10

Коефіцієнт підсилення за струмом складеного транзистора найповніше можна визначити за формулою (5.33), якщо номінальний вхідний струм транзистора VТ2 дорівнює номінальному вихідному струму транзистораVТ1, тобто І_В2 = І_С1 ≈ І_Е1 Тому транзистор VТ2 необхідно вибирати потужнішим (з більшою площею колектора).

Можна використовувати в складеному транзисторі однотипні транзистори VТl і VТ2 (рис. 5.10, б) одного рівня потужності. Для зменшення постійної складової струму бази транзистора VТ2 застосовують струмовідвідну ланку з низькоомного резистора R і транзистора VТ3. Останній працює в активному режимі, запобігаючи шунтуванню резистором R змінних складових сигналів в базі транзистора VТ2, що забезпечує високий h_21Ес,крім того, транзистор в діодному ввімкненні має високу термостабільність режиму складеного транзистори за постійним струмом.

Читайте також:

<== попередня сторінка	\|	наступна сторінка ==>
ЕЛЕМЕНТАРНІ КАСКАДИ ПІДСИЛЕННЯ	\|	ДИФЕРЕНЦІЙНІ КАСКАДИ ПІДСИЛЕННЯ

Не знайшли потрібну інформацію? Скористайтесь пошуком google:

Генерація сторінки за: 0.004 сек.