МАРК РЕГНЕРУС ДОСЛІДЖЕННЯ: Наскільки відрізняються діти, які виросли в одностатевих союзах
РЕЗОЛЮЦІЯ: Громадського обговорення навчальної програми статевого виховання ЧОМУ ФОНД ОЛЕНИ ПІНЧУК І МОЗ УКРАЇНИ ПРОПАГУЮТЬ "СЕКСУАЛЬНІ УРОКИ" ЕКЗИСТЕНЦІЙНО-ПСИХОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ПОРУШЕННЯ СТАТЕВОЇ ІДЕНТИЧНОСТІ ПІДЛІТКІВ Батьківський, громадянський рух в Україні закликає МОН зупинити тотальну сексуалізацію дітей і підлітків Відкрите звернення Міністру освіти й науки України - Гриневич Лілії Михайлівні Представництво українського жіноцтва в ООН: низький рівень культури спілкування в соціальних мережах Гендерна антидискримінаційна експертиза може зробити нас моральними рабами ЛІВИЙ МАРКСИЗМ У НОВИХ ПІДРУЧНИКАХ ДЛЯ ШКОЛЯРІВ ВІДКРИТА ЗАЯВА на підтримку позиції Ганни Турчинової та права кожної людини на свободу думки, світогляду та вираження поглядів
Контакти
Тлумачний словник Авто Автоматизація Архітектура Астрономія Аудит Біологія Будівництво Бухгалтерія Винахідництво Виробництво Військова справа Генетика Географія Геологія Господарство Держава Дім Екологія Економетрика Економіка Електроніка Журналістика та ЗМІ Зв'язок Іноземні мови Інформатика Історія Комп'ютери Креслення Кулінарія Культура Лексикологія Література Логіка Маркетинг Математика Машинобудування Медицина Менеджмент Метали і Зварювання Механіка Мистецтво Музика Населення Освіта Охорона безпеки життя Охорона Праці Педагогіка Політика Право Програмування Промисловість Психологія Радіо Регилия Соціологія Спорт Стандартизація Технології Торгівля Туризм Фізика Фізіологія Філософія Фінанси Хімія Юриспунденкция |
|
|||||||
ФОТОПРИЙМАЧІ
Фотоприймачі в системах оптоелектроніки призначені для перетворення світлових сигналів в електричні. Їх робота базується на фотоелектричних явищах (фотоефектах). У напівпровідникових фотоелектричних приймачах використовується внутрішній фотоефект, який характеризується тим, що при опроміненні електрони напівпровідникового тіла набувають додаткової енергії, що необхідна для вивільнення їх від міжатомних зв'язків. Тому в напівпровідниках з'являються додаткові носії електричного заряду, які збільшують електропровідність. 3в'язок між енергією кванта нν, роботою виходу електрона еφ0та початковою швидкістю електрона υ визначається формулою Ейнштейна нν = еφ0 + mυ2/2 , (3.6) де н - стала Планка; ν - частота світлових коливань; е - заряд; т - маса електрона. Отже, для переходу електрона в зону провідності необхідно йому надати енергію, яка дорівнює або перевищує енергію забороненої зони ΔЕ. Частота коливань оптичного випромінювання ν0 при якій виконується рівність нν0= еφ0, являв собою граничну частоту фотоефекту, а відповідна довжина хвилі λ0 = с/ν0називається пороговою. Світловий потік з довжиною хвилі вище порогової не може спричинити фотоефекту. Для кремнію з ΔЕ = 1,12 еВ, межа фотоефекту лежить в інфрачервоній області (λ0≈ 1,1 мкм). Вимоги, які ставляться до фотоприймачів оптоелектронних систем: спектральна чутливість, швидкодія, велике відношення сигнал/шум. При цьому важливо, щоб чутливість фотоприймача була максимальною на робочій довжині хвилі джерела випромінювання. Як фотоприймачі найбільш широко використовують фоторезистори, фотодіоди, фототранзистори, фототиристори. Фоторезистори. Фоторезисторами називають напівпровідникові пристрої, електричний опір яких змінюється під дією світлового потоку або проникаючого випромінювання. При опроміненні світловим потоком в об'ємі напівпровідникового матеріалу з’являється надлишкова концентрація носіїв заряду за рахунок переходу електронів у зону провідності, внаслідок чого змінюється електропровідність напівпровідника (фотоефект). Рис. 3.7 Конструктивно фоторезистор (рис. 3.7, а) складається з діелектрика 3, на який нанесено світлочутливий шар напівпровідника 1, і зовнішніх електродів 2. Для захисту від вологи світлочутливий шар покривається прозорим лаком. Підкладка а напівпровідниковим шаром вміщується в металевий або пластмасовий корпус, який має вікно для проходження світлового потоку. Фоторезистори для інтегральних мікросхем випускаються в безкорпусному варіанті або технологічно суміщеними з іншими елементами оптичних інтегральних схем. Матеріалом для виготовлення світлочутливого шару служать сульфід свинцю, сульфід кадмію та селенід кадмію. Схема вмикання фоторезистора в електричне коло показана на рис. 3.7, б. Вмикання джерела Е не залежить від полярності, оскільки фоторезистор не має вентильних властивостей. При відсутності освітлення (світловий потік Ф = 0) фоторезистор має великий темновий електричний опір RТЕMН тому темновий струм ІТЕMН малий і визначається виразом ІТЕMН = Е /( RТЕMН + RН ).(3.7) Рис. 3.8 При наявності світлового потоку (Ф > 0) електричний опір його зменшується до величини RCB, тому ІСВ = Е /( RCB+ RН), (3.8) Різниця струмів ІСВ – ІТЕMН визначає фотострум . (3.9) Вольт-амперні характеристики фоторезистора при освітленні (лінія 1) та затемненні (лінія 2), що відповідають рівнянням (3.7) та (3.8), показанi на рис. 3.8, а. В робочому діапазоні напруг вони лінійні. Інтегральна чутливість фоторезисторів Кф = Іф /Ф. Оскільки фотострум визначається не лише світловим потоком, а і прикладеною напругою, то використовують поняття питомої чутливості . (3.10) Зі спектральних характеристик, приведених на рис. 3.8, б, видно, що максимальне значення фотострумів для сульфідно-кадмієвих фоторезисторів відповідає видимій області спектра (крива 1) та червоній і інфрачервоній областям відповідно для селенідо-кадмієвих та сульфідно-свинцевих (криві 2 та 3). Дискретні фоторезистори мають малі розміри, високу чутливість та практично необмежений строк дії. Вони широко застосовуються в колахпостійного, змінного та імпульсного струму як перетворювачі світлових сигналів автономних джерел випромінювання в електричні. Фоторезистори в 6езкорпусному та інтегральному варіанті з такою самою метою застосовуються в оптронах. Фотодіоди. Фотодіод, що має один p-n-перехід з двома зовнішніми виводами, є фотоелектронним пристроєм, в якому від6уваеться перетворення світлової енергії в електричну (внутрішній фотоефект). Під дією світла (випромінювання) в області p-n-переходу від6уваетьсяіонізація атомів основної речовини та домішків, в результаті чого генеруються пари носіїв заряду електрон та дірка. В зовнішньому колі, під'єднаному до p-n-переходу,виникає струм, зумовлений рухом цих носіїв (фотострум Іф). Промисловістю випускаються германієві та кремнієві фотодіоди в дискретному і в інтегральному виконанні. Інтегральні фотодіоди оптоелектронних систем виготовляються лише на основі кремнію. Рис. 3.9 На рис. 3.9, а показано схематичне зображення фотодіода, а на рис. 3.9, б - його конструкцію. Противідбивне покриття 1 на 30 % збільшує випромінювання, що поглинається. Технологія виготовлення фотодіодів по суті не відрізняється від стандартної мікроелектронної технології. Фотодіоди можуть працювати у вентильному (фотогенераторному) та фотодіодному (фотоперетворювальному) режимах. Від вентильного фотодіодний режим відрізняється тим, що припускає наявність зовнішнього джерела живлення. Схема роботи фотодіода у фотогенераторному режимі показана на рис. 3.10, а. На контакті двох напівпровідників n- і p-типів, на їх спільній межі, виникає контактна різниця потенціалів φк (див. рис. рис. 1.5, 6). При відсутності світлового потоку (Ф = 0) і навантаження (ключ S розімкнуто) дифузійний струм p-n-переходу Ідиф зрівноважується дрейфовою складовою струму Ідр, що визначається густиною струму неосновних носіїв. Тому Ідиф + Ідр = 0. При освітленні напівпровідника в області p-n-переходу генеруються додаткові пари носіїв заряду. Поле об’ємного заряду p-n-переходу розділяє ці пари: дірки дрейфують в р-область. а електрони в n-область. В результаті цього густина дрейфових складових струмів збільшується, і дрейфовий струм Ідр набуває деякого приросту, який називають фотострумом Іф. При цьому повний дрейфовий струм дорівнює Ідр + Іф = І0+ Іф(складова повного дрейфового струму Ідр являє собою тепловий струм І0 , обумовлений неосновними носіями при відсутності освітлення). Оскільки в області напівпровідника p-типу накопичуються надлишкові носії з позитивним зарядом, а в області напівпровідника n-типу - з негативним зарядом, то між зовнішніми електродами з’являється різниця потенціалів (див. рис. 3,10, а),тобто фото ЕРС Еф. Ця ЕРС зменшує висоту потенціального бар’єра φк, збільшуючи дифузійну частину струму: . У стані термодинамічної рівноваги виконується рівність: , (3.11) звідки визначається фотоЕРС у режимі холостого ходу . (3.12) ФотоЕРС не перевищує значення, яке чисельно дорівнює ширині забороненої зони напівпровідника. При вмиканні навантаження (ключ S замкнуто) тече струм Ін , і напруга на зовнішніх контактах фотодіода зменшується до деякого значення Uфд< Еф. Струм У навантаженні при цьому дорівнює (3.13) звідки видно, що в режимі короткого замикання (Uфд= 0) І0 = Іф. Рис. 3.10 Коли ввімкнути зовнішнє джерело (фотоперетворювальний режим, рис. 3.10, б) і немає освітлення, через p-n-перехід дрейфують лише власні неосновні носії заряду, які зумовлюють дрейфовий струм Ідр = І0 . Відсутність дифузійної складової струму пояснюється тим, що під дією зовнішнього джерела Е внутрішнє поле, що визначається фотоЕРС, компенсується, і потенціальний бар’єр різко зростає. При цьому більша частина напруги джерела Е спадає на великому опорі зворотнозміщеного p-n-переходу Uфд.При освітленні p-n-переходувідбувається процес іонізації атомів кристала, генеруються додаткові пари носіїв заряду, які, дрейфуючи через p-n-перехід у тому самому напрямі, що й неосновні носії, зумовлюють фотострум Іф. Таким чином, через навантаження протікає струм Іфд≈ І0+ Іф. Залежність струму фотодіода від прикладеної до нього напруги Іфд = ƒ (Uфд), тобто вольт-амперну характеристику, показано на рис. 3.11, а. За світловою характеристикою Іфд = φ(Ф) (рис. 3.11, б)визначається інтегральна чутливість фотодіода Кд = Іфд/Ф. (3.14) Фотострум діода залежить також від довжини хвилі світлового випромінювання. Максимальна фоточутливість різних типів фотодіодів лежить в діапазоні довжин хвиль від 0,63 до 0,92 мкм. Фотоприймачі з внутрішнім підсиленням. До таких фотоприймачів належать фототранзистори та фототиристори. Фототранзистори, як правило, n-p-n-типу, та фототиристори виготовляються на основі стандартної планарної технології кремнієвих інтегральних структур. Фототранзистором називається фотоелектронний напівпровідниковий пристрій з двома р-n-переходами. Крім перетворення світлової енергії в електричну з утворенням фотоструму, як у фотодіодах, фототранзистор ще й підсилює цей фотострум. Розглянемо роботу фототранзистора за схемою із заземленим емітером у режимі з відімкнутою базою (ІВ = 0). Схема ввімкнення фототранзистора показана на рис. 3.12, а. Якщо зовнішній світловий потік Ф дорівнює нулю, то через фототранзистор протікає невеликий прохідний струм колектора І*С , який називають темновим і визначають за формулою І*С = І0 (н21Е+ 1). (3.15) При освітленні області бази (Ф > О) в ній генеруються нерівноважні пари носіїв заряду - електрони та дірки, які дифундують до емітерного та колекторного переходів. При цьому електричне поле колекторного переходу втягує в колектор електрони, які в області бази є неосновними носіями заряду, але затримує в базі дірки, розділяючи тим самим парні заряди. Електрони, які пішли в колекторне коло, підвищують зворотний струм колектора І’С = Іф(режим фотодіода), а дірки, які залишилися, при відімкненій базі створюють в ній позитивний заряд, який зміщує емітерний перехід в прямому напрямі. Це створює умов и для інжекції з eмітepa в базу додаткової кількості електронів, як і в звичному біполярному транзисторі, які дифундують через базу до колекторного переходу, де й захоплюються його полем, зумовлюючи приріст колекторного струму І”С . Оскільки дірки, які з'являються в базі в результаті внутрішнього фотоефекту, відіграють роль керуючого струму бази звичайного транзистора, то цей приріст колекторного струму дорівнює н21ЕІф.
|
||||||||
|