МАРК РЕГНЕРУС ДОСЛІДЖЕННЯ: Наскільки відрізняються діти, які виросли в одностатевих союзах
РЕЗОЛЮЦІЯ: Громадського обговорення навчальної програми статевого виховання ЧОМУ ФОНД ОЛЕНИ ПІНЧУК І МОЗ УКРАЇНИ ПРОПАГУЮТЬ "СЕКСУАЛЬНІ УРОКИ" ЕКЗИСТЕНЦІЙНО-ПСИХОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ПОРУШЕННЯ СТАТЕВОЇ ІДЕНТИЧНОСТІ ПІДЛІТКІВ Батьківський, громадянський рух в Україні закликає МОН зупинити тотальну сексуалізацію дітей і підлітків Відкрите звернення Міністру освіти й науки України - Гриневич Лілії Михайлівні Представництво українського жіноцтва в ООН: низький рівень культури спілкування в соціальних мережах Гендерна антидискримінаційна експертиза може зробити нас моральними рабами ЛІВИЙ МАРКСИЗМ У НОВИХ ПІДРУЧНИКАХ ДЛЯ ШКОЛЯРІВ ВІДКРИТА ЗАЯВА на підтримку позиції Ганни Турчинової та права кожної людини на свободу думки, світогляду та вираження поглядів
Контакти
Тлумачний словник Авто Автоматизація Архітектура Астрономія Аудит Біологія Будівництво Бухгалтерія Винахідництво Виробництво Військова справа Генетика Географія Геологія Господарство Держава Дім Екологія Економетрика Економіка Електроніка Журналістика та ЗМІ Зв'язок Іноземні мови Інформатика Історія Комп'ютери Креслення Кулінарія Культура Лексикологія Література Логіка Маркетинг Математика Машинобудування Медицина Менеджмент Метали і Зварювання Механіка Мистецтво Музика Населення Освіта Охорона безпеки життя Охорона Праці Педагогіка Політика Право Програмування Промисловість Психологія Радіо Регилия Соціологія Спорт Стандартизація Технології Торгівля Туризм Фізика Фізіологія Філософія Фінанси Хімія Юриспунденкция |
|
||||||||||||||||
МікроелектронікуПідвищення рівня інтеграції мікросхем І пов'язане з ним зменшення розмірів елементів мають свої межі. Наприклад, Інтеграція більш як 10е елементів в 1 см3 кристала стає вже економічно недоречною та технологічно утрудненою. Тому досить перспективним напрямом подальшого розвитку елементної бази радіоелектроніки є функціональна мікроелектроніка, в якій без застосування стандартних базових елементів реалізують деякі функції радіоелектроніки безпосереднім використанням фізичних явищ у твердому тілі чи рідині. У пристроях функціональної електроніки локальному об'ємові речовини надають властивостей, необхідних для виконання заданої функції. Матеріалом для побудови функціональних пристроїв можуть бути не тільки напівпровідники, а й надпровідники, сегнетоелектрики, діелектрики, рідини тощо. Для перетворення Інформації у функціональних пристроях застосовуються фізичні явища, не обов'язково пов'язані з електропровідністю, такі як оптичні, магнітні, механічні тощо. Найпоширеніше практичне використання з сучасних напрямів функціональної електроніки мають магнето-, кріо-, хемо-, акусто-, опто-, біоелектроніка тощо. Магнетоелектроніка використовує фізичні властивості топких магнітних плівок, застосування магнітних матеріалів як носіїв інформації спирається на їхню властивість перебувати в одному зі стійких станів: магнітної насиченості та залишкової намагніченості. Першими застосуваннями магнетоелектроніки були елементи пам'яті на феритових осердях, але вони потребували багато енергії на перемагнічування і мали низьку швидкодію. Поява тонкоплівкових елементів не тільки вирішила цю проблему, а й зробила технологію виготовлення магнітних елементів сумісною з загальною технологією інтегральних мікросхем. Крім того, в магнітних плівках спостерігається гальваномагнітний ефект взаємодії носіїв заряду з магнітним полем плівки. Найчастіше магнітні плівки виготовляють з пермалою методом вакуумного випаровування. На рис. 3.26 як приклад зображено будову матриці пам'яті на тонких магнітних плівках. На скляну підкладку 4 наносять мідну плівку 5, на якій методом випарювання у вакуумі створюють магнітну плівку 6 із пермалою завтовшки 0,01 мкм. Поверх неї накладають діелектричну плівку 3, а потім поліамідну 2, на яких з обох боків
Рис.3.26. Будова матриці пам’яті на тонких магнітних плівках формують взаємно перпендикулярні числові 7 та сигнально-розрядні 1 шини завширшки 0,07 мм з кроком 0,14 мм. Якщо тепер по двох взаємно перпендикулярних шинах пропустити імпульс струму, то в їх перетині відбудеться перемагнічування ділянки магнітної плівки. Це локальне положення намагніченості можна прийняти за логічну 1. Стан локальної намагніченості досить стійкий в часі, що забезпечує зберігання інформації. Для її відтворення (читання) в числову шину подається змінний струм частотою 10МГц, який зумовлює коливання магнітного домену з тією самою частотою відносно сигнально-розрядної шини. В результаті складова повного магнітного потоку домену змінюється між максимальним за модулем і нульовим значеннями з подвійною частотою. Внаслідок цього утворюється (наводиться) сигнал на виході сигнально-розрядної шини з частотою 20 МГц. Здобутий сигнал порівнюється з сигналом опорної шини, розташованої над комірками, що зберігають стан логічного 0. Якщо в комірці, через яку пройшов зчитувальний сигнал, записано логічний 0, то він за частотою та фазою збігатиметься з опорним і вихідна Різницева напруга дорівнюватиме нулю. Якщо ж комірку намагнічено, то зчитувальний сигнал відносно опорного має подвійну частоту та протилежну фазу (зсув фаз на 180°). Внаслідок цього амплітуда різницевої напруги буде вдвічі більшою, ніж амплітуда опорного сигналу. На таких магнітних плівках можна будувати не тільки елементи пам'яті, а й логічні елементи, магнітні підсилювачі тощо [7]. Кріоелектроніка використовує фізичні явища в напівпровідниках при температурі нижче 20К. Відомо, що провідність будь-яких металів із зниженням Температури зростає. Проте в деяких металів і сплавів спостерігається незвичайне явище: при температурах нижче 20 К їхня провідність прямує до нескінченності, а магнітна Індукція — до нуля. Такі матеріали називають надпровідниками. Якщо до них підвести зовнішнє магнітне поле, напрямок вектора напруженості якого збігається з напрямком струму, то при деякій його критичній напруженості провідність надпровідника стрибком зменшується (ефект Мейснера). Це явище і покладено в основу побудови кріотронів.
Рис. 3.27. Схематичне зображення кріотрона
Кріотрон — це надпровідниковий дріт (наприклад, танталовий), розташований в соленоїді з іншого дроту, наприклад ніобієвого (рис. 3.27). Танталовий дріт називають вентильним (його критична температура 4,4 К), а ніобієвий — керувальним (його критична температура 8 К). Зміна зовнішнього магнітного поля створює індукційний струм на поверхні надпровідника. Цей поверхневий струм і магнітне поле проникають у надпровідник на глибину 0,1...0,01 мкм, що зумовлює зростання опору. Напруженість зовнішнього магнітного поля в кріотроні змінюється під дією керувального струму , який проходить по соленоїду. Залежно від значення цього струму змінюється струм у вентильному дроті від ІВmax та до Іmin. Відношення змін цих струмів називається коефіцієнтом передачі кріотрона за струмом: . (3.31) Час переходу кріотрона з одного стану в інший становить частки мікросекунди, тобто прилад має високу швидкодію. На основі кріотронів можна побудувати підсилювачі, перемикачі, логічні елементи, елементи пам'яті, фільтри, резонатори, лінії затримування сигналів тощо [5]. Тонкоплівкові кріотрони досить мініатюрні: на 1 см2 площі підкладки їх розміщується до кількох тисяч штук. Однак широке застосування таких приладів обмежують технологічні умови роботи, пов'язані з необхідністю їх глибокого охолодження. Діелектрична електроніка використовує для побудови елементів функціональної електроніки специфічні явища, що виникають у тонких плівках. наприклад у плівковій структурі метал — діелектрик. У цій структурі (рис. 3.28, а) приконтактна зона діелектрика збагачується електронами, які перейшли з металу. В масивних зразках діелектрика ця вузенька приконтактна зона підвищеної концентрації носіїв заряду практично не впливає на їхню провідність. Інша справа — в тонкій плівці порядку 1...10 мкм. Тут додаткові носії заряду суттєво змінюють електропровідність діелектрика. Якщо тепер прикласти до збагаченого носіями заряду діелектрика різницю потенціалів, то через нього піде струм, значення якого залежатиме від кількості електронів, що перейшли з металу в діелектрик. Це явище дало змогу створити новий клас мікроелектронних приладів, які стали основою побудови діелектричної електроніки. Розглянемо як приклад принцип дії найпростіших діелектричного діода і транзистора. Діелектричний діод (рис. 3.28, б) — це плівкова структура типу метал — діелектрик — метал. Металеві плівки виготовляються з металів, що мають різну роботу виходу електронів (наприклад, золото та індій), діелектрична плівка — це осаджений на металі тонкий шар сульфіду кадмію СdS. Ефект однобічної провідності в діелектричному діоді створюється завдяки різниці робіт виходу з витоку В та стоку С. Тому в прямому напрямку виникає прямий струм Іпр, який в 104 разів і більше може перевищувати зворотний струм Ізв. У діелектричному транзисторі (рис. 3.28, в) є три електроди: витік В, стік С та затвор З. плівкові витік і стік можуть бути виготовлені з металу, або, як показано на рисунку, зі збагаченого електронами силіцію п-типу. Шар затвору з діелектрика або напівпровідника р-типу збідненої діркової провідності — високоомний. Конструкція затворного шару й електропровідності окремих ділянок транзистора вибираються таким чином, щоб імітувати дію керувальної сітки в електровакуумному тріоді. Керувальна напруга на затворі змінює струм між витоком і стоком. Прилади, побудовані на основі елементів діелектричної електроніки, мікромініатюрні, малоінерційні, мають низький рівень власного шуму, мало чутливі до зміни температури та радіації. Створення емісійних струмів у них не потребує витрат енергії. Тому діелектричні електронні пристрої дуже економічні. Хемотроніка, на відміну від усіх розглянутих видів функціональної мікроелектроніки, використовує фізичні явища, що відбуваються не в твердому тілі, а в рідинах з іонною провідністю. Вона сформувалася на межі Досліджень з електрохімії та електроніки.
Рис. 3.28. Схематичне зображення приконтактної зони діелектрика (а) і структури діелектричних діода (б) та транзистора (в) Слід відразу ж обмовитись, що мала рухливість носіїв заряду (вона це перевищує 5-10-4 см2/(В с)) обмежує використання пристроїв хемотроніки тільки при дуже низьких частотах сигналів ( 1 кГц). Рідинні системи мають багато специфічних переваг перед твердотільними. Вони працюють при напругах до 1В і струмах у кілька мікроамперів, що забезпечує високу їхню економічність. Нелінійна частина ВАХ цих систем лежить у межах 5...50 мВ, завдяки чому досягається висока чутливість побудованих на них нелінійних перетворювачів сигналу. Всі фізико-хімічні процеси при цьому відбуваються в тонкому шарі речовини (1...10 мкм), що забезпечує мікромініатюрне виконання всіх елементів. Серед хемотронних приладів найпоширенішими є керовані резистори, точкові та площинні електрохімічні діоди і транзистори, інтегратори, каскади підсилення постійного струму, блоки пам'яті ЕОМ тощо. Спільність принципу дії хемотронних приладів й електрохімічних механізмів сприйняття, перетворення та зберігання інформації в системах живих організмів (у тому числі нейронах людини) дає змогу розраховувати на створення в майбутньому на основі поєднання хемотроніки і біоелектроніки рідинних біоперетворювачів інформації — своєрідних моделей людського інтелекту.
Рис. 3.29. Схематичне зображення мімістора
З різноманітних технічних засобів хемотроніки розглянемо конструкцію та принцип дії мімістора (електрохімічного керованого резистора), схематичне зображення якого показано на рис. 3.29. Фізичною основою його роботи є зміна опору провідника від катодного осадження на нього металу. Можливе використання також зворотного процесу — анодного розчинення. Мімістор, в якому використовується мідний електроліт, складається зі скляного герметичного корпусу 1, внутрішню порожнину якого заповнено електролітом 2(CuSО4 +Н2SО4 + етанол). На дно напилено електропровідну підкладку 3 з контактними виводами 4 і 5 за межами електролітичної ванночки. Остання закривається електродом 6, що має контактний вивід 7. Зовнішній сигнал подається між електродами 5 та 7, а в схему мімістор вмикається виводами 4 і 5. Залежно від полярності вхідного сигналу на підкладці 3 мідь з електроліту буде або гальванічно осаджуватись, або анодно розчинятись, унаслідок чого змінюється опір мідної плівки, яка утворюється на підкладці 3. Такий мімістор має діапазон зміни опору 0...103Ом, діапазон струмів 0,05…1 мА, потужність керувального сигналу 10-3...10-6 Вт, об'єм 0,2...0,4 см3, масу до кількох грамів, інтервал робочих температур становить від – 15 до+100°С. Хемотронні прилади стійкі до вібрації та ударних навантажень. Усі ці якості забезпечують перспективність їх застосування в автоматиці, обчислювальній і вимірювальній техніці. Вони використовуються для побудови реле часу, лічильників імпульсів, інтегрувальних пристроїв, самоналагоджуваних систем автоматики тощо. Акустоелектроніка – це напрям функціональної мікроелектроніки, фізичною основою якого є використання п'єзоелектричного ефекту та явиш взаємодії електричних полів з хвилями акустичних напруг у п'єзоелектричному напівпровідниковому матеріалі. Акустоелектроніка забезпечує взаємне перетворення акустичних сигналів фізичної природи на електричні сигнали і навпаки. У радіоелектроніці вже давно застосовується прямий та зворотний п'єзоефекти. Перший полягає в тому, що механічна деформація кристала кварцу зумовлює появу на його кінцях різниці потенціалів, а другий — у тому, що під дією зовнішньої напруги в кристалі виникають механічні коливання, резонансна частота яких залежить від розмірів кристала і напрямку коливань. При цьому коливальна система має дуже високу добротність та стабільність. Це явище в дискретній радіоелектроніці давно використовується для побудови кварцових резонаторів, перетворення механічних коливань голки електрофона на електричні тощо. Застосування п'єзоефектів у мікроелектроніці забезпечило створення якісно нових функціональних пристроїв. Одним із них є електроакустичні підсилювачі, які різняться залежно від типу підсилювальної хвилі — об'ємної або поверхневої. На рис.3.30 зображено схему електроакустичного підсилювача на об’ємних хвилях. Він складається з напівпровідникового звуководу З, до кінців якого приєднано п'єзоелектричні перетворювачі П. Останні мають омічні контакти К, якими вони з одного боку приєднуються до звуководу, а з іншого — до вхідних та вихідних гнізд. Зміна напруги на вході збуджує у вхідному перетворювачі акустичну хвилю, яка поширюється у звуководі. В тому самому напрямку під дією джерела живлення по звуководу рухаються електрони, які внаслідок взаємодії з хвилею підсилюють її завдяки п’єзодефекту. Такі підсилювачі при загальному об'ємі до 1 см3 можуть за безпечити вихідну потужність
Рис.3.30. Схематичне зображення електро- акустичного підсилювача на об’ємних хвилях
сигналу до кількох ватів у смузі пропускання до 300 МГц. Однак у підсилювачах на об'ємних хвилях значна потужність розсіюється у звуководі. Тому більш перспективним є підсилювач на поверхневих хвилях, схематичне зображення якого показано на рис. 3.31, а. За допомогою вхідного ґратчастого п'єзоперетворювача Пгр (рис.3.31, б), напиленого на поверхню п'єзоелектричного кристала Пе, в ньому збуджується акустична хвиля. На деякій ділянці поверхня п'єзокристала дотикається до поверхні напівпровідникової пластини, в якій завдяки джерелу живлення Еж рухаються електрони. На ділянці поверхневого контакту п’єзокристала з напівпровідниковою пластиною відбувається взаємодія акустичної хвилі та потоку електронів, що зумовлює акустичне підсилення сигналу, який потім знімається з вихідного перетворювача у вигляді підсиленої змінної напруги, причому цей перетворювач працює в режимі зворотного п'єзоефекту. Особливість поверхневого електроакустичного підсилювача полягає в тому, що матеріали напівпровідника і п'єзоелектрика забезпечують оптимальну ефективність використання їхніх фізичних властивостей: перший має високу рухливість електронів, другий — високі п'єзоелектричні властивості. Напівпровідником у таких підсилювачах найчастіше буває кремнієвий монокристал я-типу завтовшки 1мкм, вирощений на сапфірній підкладці. Довжина робочої частини електроакустичного підсилювача – приблизно 10 мм, ширина – 1,25 мм, потужність джерела живлення — 0,7 Вт. Застосування акустоелектричних підсилювачів особливо перспективне в широкосмугових радіоелектронних пристроях, що працюють у діапазоні надвисоких частот. Оптоелектроніка ґрунтується на електронно-оптичному принципі передавання, оброблення, зберігання і виведення інформації. Носієм ЇЇ є електрично нейтральний фотон. Оптоелектроніка охоплює Інфрачервону, видиму й ультрафіолетову частини діапазону електромагнітних коливань когерентного та некогерентного випромінювання. Отже, поняття «оптоелектроніка» поширюється також на лазерну техніку, волоконну оптику, голографію, електронну світлову індикацію, фактично охоплюючи перетворення інформації з електричної форми (електричні заряди) на оптичну (фотони) і навпаки. Поєднання в оптоелектронних функціональних пристроях двох способів оброблення та передавання інформації забезпечує надвисоку швидкість процесу і щільність розміщення Рис. 3.31. Схематичне зображення електроакустичного підсилювача на поверхневих хвилях (а) і будова його п'єзоперетворювача (б)
інформації, створення високоефективних засобів її відображення. Важливою перевагою елементів оптоелектроніки є те, що вони оптично зв'язані, але електрично ізольовані один від одного. Це забезпечує надійне узгодження різноманітних оптоелектронних кіл, сприяє односпрямованій передачі інформації та високій захищеності каналів передачі інформації від завад. Технічні пристрої оптоелектроніки (фотоелементи, фоторезистори, фотодіоди, фототранзистори, фототиристори, фотоелектронні помножувачі, світлодіоди тощо) мають досить широке застосування в дискретній електроніці. Отже, виготовлення напівпровідникових елементів оптоелектроніки — оптронів — сумісне з інтегральною технологією і тому може входити в єдиний технологічний цикл виробництва інтегральних мікросхем. Оптрон — це чотириполюсник, до складу якого входять фотовипромі-нювач і фотоприймач, поміщені в герметичний непрозорий корпус. У всіх оптронах фотовипромінювач є світлодіодом, а залежно від виду фотоприймача оптрони (рис. 3.32) бувають резисторні (а), діодні (б), транзисторні (в) та тиристорні (г). В електричних колах оптрон може виконувати функції перемикача, підсилювача, узгоджувача, перетворювача, індикатора тощо. На рис. 3.33 показано деякі найпростіші застосування оптронів. Наприклад, у техніці виникає потреба в керованих резисторах (найпростіший випадок — дистанційне керування коефіцієнтом підсилення радіоелектронного пристрою). Використання винесених ручних потенціометрів У професійній апаратурі іноді неможливе, особливо при значних відстанях, тому що при будь-якому екрануванні виникають наведені струми і завади. Схема на рис. 3.33, а не має цих недоліків. Під дією вхідної напруги змінюються прямий струм світлодіода та яскравість його випромінювання. Відповідно змінюється опір фоторезистора і, як наслідок,
Рис.3.32. Умовні графічні позначення оптронів Рис.3.33. Деякі найпростіші застосування оптронів розподіл напруги джерела на фоторезисторі та вихідному резисторі. На рис. 3.33, б зображено найпростішу схему використання діодного оптрона в ключовому (імпульсному) режимі. Напруга на виході є частиною відносно великої напруги джерела живлення Еж і залежить від струму фотодіода. Значенням цього струму, в свою чергу, керує світловий потік світлодіода, що змінюється за законом зміни імпульсного вхідного сигналу. При цьому амплітуда вхідних імпульсів може бути значно меншою від напруги на виході. Розглянута схема, а також транзисторні та тиристорні оптрони можуть використовуватись як аналоги таких поширених елементів, як імпульсні трансформатори і перемикачі. Принцип здійснення оптичного зв'язку на оптронах ілюструє рис. 3.33, в. На передавальному кінці лінії зв'язку головним елементом є випромінювач світла (світлодіод або лазер), а на приймальному — фотоприймач (фотодіод або фототранзистор). Зв'язок здійснюється по спеціальному світловоду — волоконно-оптичному кабелю, який забезпечує завадостійкість, надійність і таємність зв'язку. Такий оптичний канал зв'язку має надзвичайно широку смугу пропускання: понад 106 телевізійних програм або понад 1010 телефонних розмов одночасно. Аналогічні лінії зв'язку (оптичні шини) можуть застосовуватись в обчислювальній техніці для передачі великих масивів інформації. Розробляються нові покоління ЕОМ, в яких оптичний спосіб оброблення цифрової інформації є основним. Для таких машин розроблено оптичні елементи пам'яті, в яких використовується голографічний спосіб запису і зберігання оптичної інформації. Ємність пам'яті голографічних запам'ятовувальні пристроїв досягає 108 біт/с[10]. Сучасні пристрої відображення інформації в цифровій та знаковій . формах теж побудовано з застосуванням засобів оптоелектроніки. Якщо перші такі пристрої були газорозрядними й електровакуумними, то нині використовують напівпровідникові та рідкокристалічні індикатори, а також багаторозрядні люмінесцентні та плазмові монодисплеї. Напівпровідникові знакові індикатори побудовані на світлодіодах, бувають двох типів: сегментні і матричні. їхню структуру зображено на рис.3.34. Сегментні індикатори складаються із світлодіодів прямокутної форми. Індикатор, складений з семи світлодіодів, здатний висвітлювати всі цифри та деякі літери. Восьмий світлодіод індикатора, структуру якого показано на рис.3.34, а, висвітлює точку. Якщо індикатор має 16 світлодіодів, то він може відтворювати необмежену кількість знаків. Керування світло-діодами індикаторів здійснюється ключовими схемами з дешифраторами. Матричні індикатори (рис. 3.34, б) складаються з 35 світлодіодів (7 х 5) і дають змогу відтворити всі цифри, літери і знаки стандартного коду обміну інформацією.
Рис.3.34. Структура сегментних (а) і матричних (б) знакових індикаторів світлодіодах
У радіоелектронних пристроях, для питання економної витрати енергії джерела живлення є одним із провідних серед інших конструктивних та експлуатаційних вимог, сегментні індикатори будують на рідких кристалах. Останні за фізичними властивостями займають проміжне положення між твердим і рідким станами речовини: вони характеризуються плинністю рідини та молекулярною впорядкованістю кристалів. Рідкі кристали складаються з ланцюжкових органічних молекул, витягнутих у лінійні структури, як диполі. У звичайних умовах (за відсутності електричного поля) орієнтація цих молекул у просторі довільна.
Рис. 3.35. Схематичне зображення Рис.3.36. Зовнішній вигляд рідкокристалічного елемента рідкокристалічного індикатор
Рис. 3.37. Фрагмент ключової схеми для керування рідкокристалічним елементом
Робота індикатора на рідких кристалах ґрунтується на тому, що під дією електричного поля органічні ланцюжкові молекули рідкого кристала орієнтуються впорядковано, завдяки чому змінюється коефіцієнт заломлення рідини. Рідкий кристал, не прозорий у звичайному стані, під дією електричного поля стає прозорим. Оскільки рідкі кристали самі світло не випромінюють, їх використовують разом з будь-яким зовнішнім джерелом світла. Якщо цим джерелом є зовнішнє освітлення, то за цифровим сегментом розташовують дзеркальний електрод, а коли ним є підсвітлювальна лампочка, то задня стінка матово чорна. Конструктивно елементарний рідкокристалічний елемент (рис.3.35) складається з двох скляних пластин 5, на які нанесено електроди 1 і 4. Між пластинами розташовано рідкий кристал 2, товщина якого 8...25мкм. Верхній електрод прозорий, а нижній може бути прозорим, якщо індикатор пропускає світло, або дзеркальним, якщо він діє у відбитих променях. Електроди 1 та 4 розділені між собою ізоляційним прошарком 3. Основною експлуатаційною відмінністю індикаторів на рідких кристалах є низька напруга живлення і надзвичайна економічність у споживанні електроенергії. Один індикатор потребує потужності не більш як10-4Вт. Зовнішній вигляд рідкокристалічних елементів (рис.3.36) такий, як і діодних сегментних індикаторів. Керування їх роботою здійснюється за спеціальними програмами з використанням ключових схем. Приклад однієї з них показано на рис. 3.37.
|
|||||||||||||||||
|