МАРК РЕГНЕРУС ДОСЛІДЖЕННЯ: Наскільки відрізняються діти, які виросли в одностатевих союзах
РЕЗОЛЮЦІЯ: Громадського обговорення навчальної програми статевого виховання ЧОМУ ФОНД ОЛЕНИ ПІНЧУК І МОЗ УКРАЇНИ ПРОПАГУЮТЬ "СЕКСУАЛЬНІ УРОКИ" ЕКЗИСТЕНЦІЙНО-ПСИХОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ПОРУШЕННЯ СТАТЕВОЇ ІДЕНТИЧНОСТІ ПІДЛІТКІВ Батьківський, громадянський рух в Україні закликає МОН зупинити тотальну сексуалізацію дітей і підлітків Відкрите звернення Міністру освіти й науки України - Гриневич Лілії Михайлівні Представництво українського жіноцтва в ООН: низький рівень культури спілкування в соціальних мережах Гендерна антидискримінаційна експертиза може зробити нас моральними рабами ЛІВИЙ МАРКСИЗМ У НОВИХ ПІДРУЧНИКАХ ДЛЯ ШКОЛЯРІВ ВІДКРИТА ЗАЯВА на підтримку позиції Ганни Турчинової та права кожної людини на свободу думки, світогляду та вираження поглядів Контакти
Тлумачний словник |
|
|||||||
Напівпровідникові тензодатчикиНапівпровідникові тензодатчики були винайдені компанією Bell Telephone Laboratories, як результат дослідів за розробки транзистора. П’єзорезистивні властивості напівпровідникових матеріалів кремнію та германію були досліджені у 1959 році, а з 1960 року розпочалось серійне виробництво напівпровідникових тензодатчиків. Основним елементом напівпровідникового тензодатчика є тонка прямокутна плівка (волосінь) монокристалу кремнію, яка для зручності в користуванні, закріплена на тонкій основі. Оскільки, опір кремнію приблизно в раз більший за опір константану, що використовується в фольгових тензодатчиках, в напівпровідникових тензодатчиках не використовується конфігурація решітки для створення початкового опору в діапазоні 100 – 1000 Ом. Конструкцію напівпровідникових тензодатчиків зображено на рис. 2.5.
Рис. 2.5. Конструкція напівпровідникового тензодатчика: 1 – монокристал; 2 – вивідні провідники. Напівпровідникові тензодатчики (у порівнянні з дротяними і фольговими) мають чимало істотних переваг. Чутливість їх у 50 - 60 разів перевищує чутливість дротяних, розміри набагато менші, а високий рівень вихідного сигналу вимірюваних схем не потребує застосування складних і дорогих підсилювачів. Окрім того, за одних і тих же розмірів, опір тензодатчика, внаслідок введення відповідних присадок і зміни технології виготовлення, може змінюватись у широкому діапазоні ( від 100 Ом до 50 кОм) за коефіцієнта тензочутливості від 100 до 200. Головною відмінністю напівпровідникових тензодатчиків від дротяних є більша (до 50 %) зміна опору тензоперетворювача внаслідок деформування. Найсильніше тензоефект виражений у германію, кремнію, антимоніда індію, арсеніда галію та ін. Але для масового виготовлення тензодатчиків застосовують лише кремній і германій. Вони мають високу тензочутливість, хімічно інертні, витримують нагрівання до 500°…540°С і дають змогу виготовляти тензодатчики різної форми. Властивості і характеристики напівпровідникових тензодатчиків визначаються застосованим матеріалом, питомим опором і типом провідності. Знак тензоефекту (за розтягання) у напівпровідниках n- типу від’ємний , а p- типу - додатній. Коефіцієнт тензочутливості малогабаритних кремнієвих тензодатчиків становить 100±10; номінальний робочий струм 15мА; максимальний робочий струм 15 мА; граничнодопустима деформація 0.3%. Тензодатчики розраховані на роботу в діапазоні температур від -60° до +115°С. Наклеюють напівпровідникові тензодатчики на досліджувану поверхню за допомогою лаку ВЛ-931 (ГОСТ 10402-63). Головними недоліками напівпровідникових тензодатчиків є малі механічна міцність і гнучкість. Хороші характеристики цих тензодатчиків реалізувати досить складно через обмежену лінійність, високу чутливість до впливу зовнішніх умов (температури, освітлення тощо) та істотну різницю параметрів кожного датчика.
Читайте також:
|
||||||||
|