Студопедия
Новини освіти і науки:
МАРК РЕГНЕРУС ДОСЛІДЖЕННЯ: Наскільки відрізняються діти, які виросли в одностатевих союзах


РЕЗОЛЮЦІЯ: Громадського обговорення навчальної програми статевого виховання


ЧОМУ ФОНД ОЛЕНИ ПІНЧУК І МОЗ УКРАЇНИ ПРОПАГУЮТЬ "СЕКСУАЛЬНІ УРОКИ"


ЕКЗИСТЕНЦІЙНО-ПСИХОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ПОРУШЕННЯ СТАТЕВОЇ ІДЕНТИЧНОСТІ ПІДЛІТКІВ


Батьківський, громадянський рух в Україні закликає МОН зупинити тотальну сексуалізацію дітей і підлітків


Відкрите звернення Міністру освіти й науки України - Гриневич Лілії Михайлівні


Представництво українського жіноцтва в ООН: низький рівень культури спілкування в соціальних мережах


Гендерна антидискримінаційна експертиза може зробити нас моральними рабами


ЛІВИЙ МАРКСИЗМ У НОВИХ ПІДРУЧНИКАХ ДЛЯ ШКОЛЯРІВ


ВІДКРИТА ЗАЯВА на підтримку позиції Ганни Турчинової та права кожної людини на свободу думки, світогляду та вираження поглядів



Контакти
 


Тлумачний словник
Авто
Автоматизація
Архітектура
Астрономія
Аудит
Біологія
Будівництво
Бухгалтерія
Винахідництво
Виробництво
Військова справа
Генетика
Географія
Геологія
Господарство
Держава
Дім
Екологія
Економетрика
Економіка
Електроніка
Журналістика та ЗМІ
Зв'язок
Іноземні мови
Інформатика
Історія
Комп'ютери
Креслення
Кулінарія
Культура
Лексикологія
Література
Логіка
Маркетинг
Математика
Машинобудування
Медицина
Менеджмент
Метали і Зварювання
Механіка
Мистецтво
Музика
Населення
Освіта
Охорона безпеки життя
Охорона Праці
Педагогіка
Політика
Право
Програмування
Промисловість
Психологія
Радіо
Регилия
Соціологія
Спорт
Стандартизація
Технології
Торгівля
Туризм
Фізика
Фізіологія
Філософія
Фінанси
Хімія
Юриспунденкция






Напівпровідникові тензодатчики

Напівпровідникові тензодатчики були винайдені компанією Bell Telephone Laboratories, як результат дослідів за розробки транзистора. П’єзорезистивні властивості напівпровідникових матеріалів кремнію та германію були досліджені у 1959 році, а з 1960 року розпочалось серійне виробництво напівпровідникових тензодатчиків.

Основним елементом напівпровідникового тензодатчика є тонка прямокутна плівка (волосінь) монокристалу кремнію, яка для зручності в користуванні, закріплена на тонкій основі. Оскільки, опір кремнію приблизно в раз більший за опір константану, що використовується в фольгових тензодатчиках, в напівпровідникових тензодатчиках не використовується конфігурація решітки для створення початкового опору в діапазоні 100 – 1000 Ом. Конструкцію напівпровідникових тензодатчиків зображено на рис. 2.5.

 

Рис. 2.5. Конструкція напівпровідникового тензодатчика:

1 – монокристал; 2 – вивідні провідники.

Напівпровідникові тензодатчики (у порівнянні з дротяними і фольговими) мають чимало істотних переваг. Чутливість їх у 50 - 60 разів перевищує чутливість дротяних, розміри набагато менші, а високий рівень вихідного сигналу вимірюваних схем не потребує застосування складних і дорогих підсилювачів. Окрім того, за одних і тих же розмірів, опір тензодатчика, внаслідок введення відповідних присадок і зміни технології виготовлення, може змінюватись у широкому діапазоні ( від 100 Ом до 50 кОм) за коефіцієнта тензочутливості від 100 до 200.

Головною відмінністю напівпровідникових тензодатчиків від дротяних є більша (до 50 %) зміна опору тензоперетворювача внаслідок деформування.

Найсильніше тензоефект виражений у германію, кремнію, антимоніда індію, арсеніда галію та ін. Але для масового виготовлення тензодатчиків застосовують лише кремній і германій. Вони мають високу тензочутливість, хімічно інертні, витримують нагрівання до 500°…540°С і дають змогу виготовляти тензодатчики різної форми.

Властивості і характеристики напівпровідникових тензодатчиків визначаються застосованим матеріалом, питомим опором і типом провідності. Знак тензоефекту (за розтягання) у напівпровідниках n- типу від’ємний , а p- типу - додатній.

Коефіцієнт тензочутливості малогабаритних кремнієвих тензодатчиків становить 100±10; номінальний робочий струм 15мА; максимальний робочий струм 15 мА; граничнодопустима деформація 0.3%. Тензодатчики розраховані на роботу в діапазоні температур від -60° до +115°С. Наклеюють напівпровідникові тензодатчики на досліджувану поверхню за допомогою лаку ВЛ-931 (ГОСТ 10402-63).

Головними недоліками напівпровідникових тензодатчиків є малі механічна міцність і гнучкість. Хороші характеристики цих тензодатчиків реалізувати досить складно через обмежену лінійність, високу чутливість до впливу зовнішніх умов (температури, освітлення тощо) та істотну різницю параметрів кожного датчика.

 


Читайте також:

  1. Густина повного струму дрейфу у власному напівпровідникові
  2. Напівпровідниковими діодами називаються напівпровідникові прилади з одним р-n переходом і двома виводами, у яких використовуються властивості переходу.
  3. Напівпровідникові лічильники
  4. Напівпровідникові підсилювачі
  5. Напівпровідникові структури
  6. Підсилювачі. Напівпровідникові підсилювачі. Гідравлічні підсилювачі. Релейні підсилювачі




Переглядів: 984

<== попередня сторінка | наступна сторінка ==>
Резистивні перетворювачі | Приклад формування умовного позначення тензодатчика

Не знайшли потрібну інформацію? Скористайтесь пошуком google:

 

© studopedia.com.ua При використанні або копіюванні матеріалів пряме посилання на сайт обов'язкове.


Генерація сторінки за: 0.008 сек.