Статичні ВАХ біполярних транзисторів

Є дві основні характеристики – вхідна і вихідна. Найчастіше розглядають для схеми зі спільним емітером.

Вхідна характеристика – це залежність базового струму від напруги між базою і емітером при різних значеннях напруги між колектором і емітером для біполярного транзистора це сім’я характеристик, тобто декілька кривих, тому що для біполярного транзистора режим роботи вихідного кола впливає на режим роботи вхідного кола.

Вихідна характеристика – це залежність колекторного струму від напруги між колектором і емітером при різних значеннях базового струму.

Вхідна характеристика по інакшому називається характеристикою керування.

І – початкова ділянка (не застосовується)

ІІ – область лінійної залежності між струмами (в ній ми працюємо)

ІІІ – область лавинного розмноження (в ній не можна працювати, транзистор швидко зруйнується).

І_к – початковий струм колектора зумовлений неосновними носіями, чим менший, тим кращий, зумовлений неосновними носіями, швидко зростає при збільшені температури.

Р_с < 1 Вт – малопотужні

1 Вт < P_c < 10 Вт – середньої потужності

P_c > 10 Вт – великої потужності

f_гр < 30 мГц – низько частотні

30 мГц < f_гр < 300 МГц – середньо частотні

f_гр > 300 МГц – високо частотні

Приклад:

2Т3115А – кремнієвий біполярний транзистор загального призначення, малопотужний, високочастотний, порядок розробки 115, класифікаційна літера по важливому параметру А

КП955А – кремнієвий польовий транзистор великої потужності, високочастотний, порядок розробки 55, класифікаційна літера А

<== попередня сторінка	\|	наступна сторінка ==>
Приблизні параметри активних схем ввімкнення	\|	Транзистор як активний чотирьохполюсник

Не знайшли потрібну інформацію? Скористайтесь пошуком google:

Генерація сторінки за: 0.005 сек.