В RLC-контуре сопротивление 1.2 Ом, индуктивность 40 мГн, ёмкость 2 мФ. Определить период колебаний.
57 мс
В RLC-контуре сопротивление 1.2 Ом, индуктивность 40 мГн, ёмкость 2 мФ. Определить время релаксации.
67 мс
В RLC-контуре сопротивление 2 Ом, индуктивность 20 мГн, ёмкость 2 мФ. Определить период колебаний.
42 мс
В RLC-контуре сопротивление 2 Ом, индуктивность 20 мГн, ёмкость 2 мФ. Определить время релаксации.
20 мс
В RLC-контуре сопротивление 1.2 Ом, индуктивность 40 мГн, ёмкость 2 мФ. Определить циклическую частоту колебаний.
110 с-1
В RLC-контуре сопротивление 1.2 Ом, индуктивность 40 мГн, ёмкость 2 мФ. Определить коэффициент затухания.
15 с-1
В RLC-контуре сопротивление 2 Ом, индуктивность 20 мГн, ёмкость 2 мФ. Определить циклическую частоту колебаний.
150 с-1
В RLC-контуре сопротивление 2 Ом, индуктивность 20 мГн, ёмкость 2 мФ. Определить коэффициент затухания.
50 с-1
В RLC-контуре сопротивление 1.2 Ом, индуктивность 40 мГн, ёмкость 2 мФ. Определить логарифмический декремент затухания.
0.85
В RLC-контуре сопротивление 1.2 Ом, индуктивность 40 мГн, ёмкость 2 мФ. Определить добротность контура.
3.7
В RLC-контуре сопротивление 2 Ом, индуктивность 20 мГн, ёмкость 2 мФ. Определить логарифмический декремент затухания.
2.1
Не знайшли потрібну інформацію? Скористайтесь пошуком google:
|
|