Докладніше

16 грудня 1947 року фізик-експериментатор Волтер Браттейн, що працював з теоретиком Джоном Бардіном, зібрав перший працездатний точковий транзистор. Через півроку, але до оприлюднення робіт Бардіна та Браттейна, німецькі фізики Герберт Матаро і Генріх Велкер представили розроблений у Франції точковий транзистор («транзістрон»). Так з безуспішних спроб створити спочатку твердотільний аналог вакуумного тріода, а потім польовий транзистор, народився перший недосконалий точковий біполярний транзистор.

Точковий транзистор, що випускався серійно близько десяти років, виявився тупиковою гілкою розвитку електроніки — йому на зміну прийшли германієві площинні транзистори. Теорію pn-переходу і площинного транзистора створив у 1948–1950 роках Вільям Шоклі. Перший площинний транзистор був виготовлений 12 квітня 1950 методом вирощування з розплаву. За ним послідували сплавний транзистор, «електрохімічний» транзистор і дифузійний Меза-транзистор.

У 1954 році Texas Instruments випустила перший кремнієвий транзистор. Відкриття процесу мокрого окислення кремнію зробило можливим випуск в 1958 році перших кремнієвих Меза-транзисторів, а в березні 1959 року Жан Ерні створив перший кремнієвий планарний транзистор. Кремній витіснив германій, а планарний процес став основною технологією виробництва транзисторів і зробив можливим створення монолітних інтегральних схем.

<== попередня сторінка	\|	наступна сторінка ==>
Застосування	\|	Різновиди

Не знайшли потрібну інформацію? Скористайтесь пошуком google:

Генерація сторінки за: 0.002 сек.