Студопедия
Новини освіти і науки:
МАРК РЕГНЕРУС ДОСЛІДЖЕННЯ: Наскільки відрізняються діти, які виросли в одностатевих союзах


РЕЗОЛЮЦІЯ: Громадського обговорення навчальної програми статевого виховання


ЧОМУ ФОНД ОЛЕНИ ПІНЧУК І МОЗ УКРАЇНИ ПРОПАГУЮТЬ "СЕКСУАЛЬНІ УРОКИ"


ЕКЗИСТЕНЦІЙНО-ПСИХОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ПОРУШЕННЯ СТАТЕВОЇ ІДЕНТИЧНОСТІ ПІДЛІТКІВ


Батьківський, громадянський рух в Україні закликає МОН зупинити тотальну сексуалізацію дітей і підлітків


Відкрите звернення Міністру освіти й науки України - Гриневич Лілії Михайлівні


Представництво українського жіноцтва в ООН: низький рівень культури спілкування в соціальних мережах


Гендерна антидискримінаційна експертиза може зробити нас моральними рабами


ЛІВИЙ МАРКСИЗМ У НОВИХ ПІДРУЧНИКАХ ДЛЯ ШКОЛЯРІВ


ВІДКРИТА ЗАЯВА на підтримку позиції Ганни Турчинової та права кожної людини на свободу думки, світогляду та вираження поглядів



Стабілітрон

Вольт-амперна характеристика напівпровідникового стабілітрона приведена на рис. 1.6.

 
 

 

 


Рисунок 1.6 - Вольт-амперна характеристика напівпровідникового стабілітрона

 

В області пробою напруга на стабілітроні UCT тільки незначно змінюється при більших змінах струму стабілізації . Тому характеристику стабілітрона використовують для одержання стабільної напруги, наприклад, у параметричних стабілізаторах напруги.

Головні характеристики стабілітрона:

־ напруга на ділянці стабілізації ;

־ мінімальний струм стабілізації ;

־ максимальний струм стабілізації ;

־ температурний коефіцієнт напруги на ділянці стабілізації

.

Напруга стабілізації сучасних стабілітронів лежить у границях В і залежить від товщини запірного шару р-n переходу. Ділянка стабілізації перебуває на характеристиці стабілітрона від до , мА, мА. Значення мінімального струму відділено нелінійною ділянкою характеристики стабілітрона, значення максимального струму стабілізації припустимою температурою напівпровідника.

На ділянці стабілізації динамічний опір , для більшості стабілітронів Ом. Важливим параметром стабілітрона є температурний коефіцієнт напруги , що показує на скільки відсотків збільшиться напруга стабілізації при зміні температури напівпровідника на 10С для більшості стабілітронів 0С. При цьому негативним володіють стабілітрони з низькою напругою стабілізації .

Стабілізацію постійної напруги можна також одержати за допомогою діода, включеного в прямому напрямку.

Стабілітрони допускають послідовні включення, при цьому загальна напруга стабілізації дорівнює сумі напруг стабілітронів:

Паралельне з'єднання стабілітронів неприпустимо, тому що з усіх паралельно з'єднаних стабілітронів струм буде тільки в одному стабілітроні, що має найменшу напругу стабілізації.

Принцип дії стабілітрона розглянемо на прикладі генератора однополярної (рис.1.7) трапеціїдальної імпульсної напруги, яка одержується із синусоїдальної напруги. У позитивний напівперіод на стабілітрон подається зворотна напруга, і до величин напруги пробою стабілітрона вся напруга прикладається до стабілітрона, тому що струм у ланцюзі дорівнює нулю. Після електричного пробою стабілітрона напруга на стабілітроні залишається без змін і вся вхідна напруга, що залишилася, буде прикладено до резистора.

 

а) б)

Рисунок 1.7 - Однополярний генератор імпульсів

 

У негативний напівперіод стабілітрон включений у провідному напрямку, падіння напруги на ньому менше одного вольта, а вхідна напруга, що залишилася, прикладена до резистора (рис1.7, а).

На рис.1.7, б показаний розрахунок схеми для амплітудних значень напруг. Принцип роботи схеми пояснюється часовими діаграмами. Можна показати, що при зміні величини вхідної напруги після пробою стабілітрона величина напруги на стабілітронах залишається без змін. Ця особливість використовується в параметричних стабілізаторах постійної напруги

 

 

Контрольні питання

 

До пункту 1.2.1

 

1) Дати визначення напівпровідникових діодів.

2) Навести класифікацію діодів.

3) Дати визначення крапкових діодів.

4) Дати визначення площинних діодів.

5) Замалювати умовно графічне позначення випрямного діода.

6) Замалювати ВАХ випрямного діода.

7) Замалювати умовно графічне позначення стабілітрона.

8) Замалювати ВАХ стабілітрона.

9) Замалювати умовно графічне позначення тунельного діода.

10) Замалювати ВАХ випрямного діода.

11) Замалювати умовно графічне позначення зверненого діода.

12) Замалювати ВАХ зверненого діода.

13) Замалювати умовно графічне позначення світлодіода.

14) Замалювати ВАХ світлодіода.

15) Замалювати умовно графічне позначення фотодіода.

16) Замалювати ВАХ фотодіода.

17) Замалювати умовно графічне позначення варикапа.

18) Замалювати ВАХ варикапа.

 

До пункту 1.2.2

 

1) Дати визначення випрямних діодів. Навести параметри.

2) Дати визначення стабілітрона. Навести параметри.

3) Дати визначення тунельного діода. Навести параметри.

4) Дати визначення зверненого діода. Навести параметри.

5) Дати визначення варикапа. Навести характеристики та параметри варикапів.



Читайте також:

  1. Використання стабілітронів у стабілізаторах напруги
  2. Вплив нестабільності ЕРС стабілітрона на вихідну напругу ПСН




Переглядів: 5850

<== попередня сторінка | наступна сторінка ==>
Випрямний діод | Фізичні явища й принцип дії БТ за схемою із загальним емітером

Не знайшли потрібну інформацію? Скористайтесь пошуком google:

  

© studopedia.com.ua При використанні або копіюванні матеріалів пряме посилання на сайт обов'язкове.


Генерація сторінки за: 0.009 сек.