Схема зміщення біполярного транзистора на низьких частотах і розрахунок її параметрів

В режимі мікрострумів вхідний І_С≈100 мкА вхідний опір зростає від 2 до 10 разів порівняно з розрахунковим.

R_вх = r_B + (r_e+ R_e)(h_11e + 1)

Якщо вмикають R_e без С то є зворотній зв'язок по І

r_B = 100 Ом r_e = 20 Ом R_E₁ = 0 Ом

h₂₁_e = 100 R_E₂ = 300 Ом

R_вх1 = 2120 Ом

R_вх2 = 32420 Ом

Аналогічно одержують вирази для коефіцієнтів підсилення по напрузі, струму та вихідного опору.

Схема підсилювача зі спільним колектором (емітерний повторювач)

Коефіцієнт підсилення по напрузі близький 1. Схема має високий вхідний опір і малий вихідний. Схема охоплена 100% від’ємним зворотнім зв’язком по постійному і змінному струму. Її застосовують для узгодження.

r_e = 20 Ом П_з = 200 Ом

R_g = 1000 Ом h₂₁_e = 100

Rвих = 23 Ом

<== попередня сторінка	\|	наступна сторінка ==>
Підсилювальний КАСКАД зі спільним емітером	\|	Складений транзистор (схема Дарвінгтона)

Не знайшли потрібну інформацію? Скористайтесь пошуком google:

Генерація сторінки за: 0.003 сек.