МАРК РЕГНЕРУС ДОСЛІДЖЕННЯ: Наскільки відрізняються діти, які виросли в одностатевих союзах
РЕЗОЛЮЦІЯ: Громадського обговорення навчальної програми статевого виховання ЧОМУ ФОНД ОЛЕНИ ПІНЧУК І МОЗ УКРАЇНИ ПРОПАГУЮТЬ "СЕКСУАЛЬНІ УРОКИ" ЕКЗИСТЕНЦІЙНО-ПСИХОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ПОРУШЕННЯ СТАТЕВОЇ ІДЕНТИЧНОСТІ ПІДЛІТКІВ Батьківський, громадянський рух в Україні закликає МОН зупинити тотальну сексуалізацію дітей і підлітків Відкрите звернення Міністру освіти й науки України - Гриневич Лілії Михайлівні Представництво українського жіноцтва в ООН: низький рівень культури спілкування в соціальних мережах Гендерна антидискримінаційна експертиза може зробити нас моральними рабами ЛІВИЙ МАРКСИЗМ У НОВИХ ПІДРУЧНИКАХ ДЛЯ ШКОЛЯРІВ ВІДКРИТА ЗАЯВА на підтримку позиції Ганни Турчинової та права кожної людини на свободу думки, світогляду та вираження поглядів Контакти
Тлумачний словник |
|
|||||||
Теоретичні відомостіНапівпровідниковим діодом називається прилад, який складається з двох структур р та п і призначений для випрямлення змінного струму. Напівпровідник струк тури п дістають, додаючи в основний елемент (кремній або германій) невелику кількість домішки (п'ятивалентний елемент - миш'як або сурму), що дає змогу здобути велику кількість вільних електронів.. Щоб дістати недостачу електронів (дірок), у напівпровідники додають домішку індію або галію, що спричинює збіль шення кількості дірок і зменшення кількості електронів. Таким чином в одному напівпровіднику вдається створити дві області з різною електропровідністю (р та п). На межі між двома структурами різної електропровідності утворюється електронно-дірковий перехід - замикаючий або запірний, що має однобічну провідність. Якщо до напівпровідника прикласти зовнішню напругу (рис. 1,а)так, щоб негативний полюс джерела живлення GBбув приєднаний до структури п, а позитивний - до структури р, то основні носії заряду (електрони зі структури п, а дірки - зі структури р) переміщатимуться до запірного шару й переходитимуть через нього. При цьому запірний шар зменшується і через нього проходить великий прямий струм Іпр (рис. 1,б). Якщо поміняти місцями полюси джерела живлення (рис. 1,в), то основні носії заряду будуть відтягуватися від запірного шару і він зростатиме. Його опір збільшується, а зворотний струм Ізв, який проходить, зменшується (рис. 1,г).Звідси можна зробити висновок, що струм через запірний шар проходить тільки в одному напрямку. Промисловістю випускається велика кількість різноманітних напівпровідникових приладів. Для того щоб відрізнити їх один від одного
а) б)
в) г ці прилади кодують, використовуючи буквено-цифровий код. Перший елементозначає напівпровідниковий матеріал (буква або цифра): Г або 1 - германій; К або 2 - кремній; А або 3 - сполуки галію; И або 4 - сполуки індію Другий елемент(буква) вказує тип напівпровідникових діодів: Д - діоди випрямні та імпульсні; Ц - випрямні стовпи та блоки; В - варикапи; И - тунельні діоди; А - надвисокочастотні діоди; С - стабілітрони та стабістори; Г - генератори шуму; Л - випромінюючі оптоелектронні прилади; О - оптопари; Н - діодні тиристори; У - тріодні тиристори. Третій елемент(цифра) визначає якісні можливості приладу. Кожний тип приладу утворює кілька підкласів:діоди - дев'ять підкласів; випрямні стовпи та блоки -чотири підкласи;варикапи - два підкласи; тунельні діоди - чотири підкласи; надвисокочастотні діоди - вісім підкласів; стабілітрони та стабістори -дев'ять підкласів; генератори шуму - два підкласи; оптопари - чотири підкласи; діодні тиристори - два підкласи. Випромінюючі оптоелектронні прилади поділяються на джерела інфрачервоного випромінювання та прилади візуального подання інформації; тріодні тиристори -на незапірні, запірні та симетричні. Четвертий елементозначає порядковий номер розробки (від 01 до 99). П'ятий елемент(буква) встановлює класифікацію приладу, що виготовлений за єдиною технологією. Як класифікаційна літера використовуються букви російського алфавіту, а як додаткові елементи - символи, що складаються із цифр (1...9) і букв. Приклади позначень напівпровідникових діодів: КД202А - кремнієвий випрямний діод, струм випрямлення не більше 10А, номер розробки 2, група А. АИ201И - арсенідогалієвий тунельний генераторний діод, номер розробки І, група И. АЛ307А - арсенідогалієвий випромінюючий діод, номер розробки 7, група А.
|
||||||||
|