Студопедия
Новини освіти і науки:
МАРК РЕГНЕРУС ДОСЛІДЖЕННЯ: Наскільки відрізняються діти, які виросли в одностатевих союзах


РЕЗОЛЮЦІЯ: Громадського обговорення навчальної програми статевого виховання


ЧОМУ ФОНД ОЛЕНИ ПІНЧУК І МОЗ УКРАЇНИ ПРОПАГУЮТЬ "СЕКСУАЛЬНІ УРОКИ"


ЕКЗИСТЕНЦІЙНО-ПСИХОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ПОРУШЕННЯ СТАТЕВОЇ ІДЕНТИЧНОСТІ ПІДЛІТКІВ


Батьківський, громадянський рух в Україні закликає МОН зупинити тотальну сексуалізацію дітей і підлітків


Відкрите звернення Міністру освіти й науки України - Гриневич Лілії Михайлівні


Представництво українського жіноцтва в ООН: низький рівень культури спілкування в соціальних мережах


Гендерна антидискримінаційна експертиза може зробити нас моральними рабами


ЛІВИЙ МАРКСИЗМ У НОВИХ ПІДРУЧНИКАХ ДЛЯ ШКОЛЯРІВ


ВІДКРИТА ЗАЯВА на підтримку позиції Ганни Турчинової та права кожної людини на свободу думки, світогляду та вираження поглядів



МДН-транзистори з вбудованим каналом

 

Розглянемо особливості МДН-транзисторів з вбудованим каналом. Конструкція такого транзистора з каналом n-типу показана на рисунку У вихідній пластині кремнію р-типу за допомогою дифузійної технології утворені областівитоку, стоку й каналу n-типу. Шар окисла SiO2 виконує функцію захисту поверхні, що близько лежить до витокуй стоку, а також ізоляції затвора від каналу. Вивід подложки (якщо він є) іноді приєднують до витоку.

В

Рисунок 1.20 - Конструкція МДН-транзистора з вбудованим каналом

 

Зовнішня напруга прикладена до ділянки виток- стік позитивним полюсом до стоку. Оскільки , через прилад протікає струм, що визначається вихідною провідністю каналу. Спочатку, коли падіння напруги в каналі мало, залежність близька до лінійного. Далі падіння напруги в каналі приводить до істотного впливу його звуження на провідність каналу. Розглянемо вплив напруги затвор - витокна хід характеристики транзистора.

У випадку прикладання до затвора напруги () поле затвора робить відштовхуючу дію на електрони - носії зарядів у каналі, що приводить до зменшення їхньої концентрації в каналі й провідності каналу. Внаслідок цього стокові характеристики при розташовується нижче кривій, що відповідає . Режим роботи транзистора (), при якому відбувається зменшення концентрації заряду в каналі, називається режимом збідніння.

При подачі на затвор напруги поле затвора притягає електрони в канал з р-області напівпровідникової пластини. Концентрація носіїв заряду в каналі збільшується, що відповідає режиму збагачення каналу носіями.

Провідність каналу зростає, струм збільшується. Стокові характеристики при розташовуються вище вихідної кривої ().

 


Читайте також:

  1. Лекція 10. АСДУ ІЗ ІНДУКТИВНИМ КАНАЛОМ ЗВ’ЯЗКУ
  2. МДН- транзистори з індукованим каналом.
  3. Самотестовані ВІС та ВІС з вбудованим тестуванням.




Переглядів: 1348

<== попередня сторінка | наступна сторінка ==>
Польові транзистори з ізольованим затвором | МДН- транзистори з індукованим каналом.

Не знайшли потрібну інформацію? Скористайтесь пошуком google:

  

© studopedia.com.ua При використанні або копіюванні матеріалів пряме посилання на сайт обов'язкове.


Генерація сторінки за: 0.002 сек.