МАРК РЕГНЕРУС ДОСЛІДЖЕННЯ: Наскільки відрізняються діти, які виросли в одностатевих союзах
РЕЗОЛЮЦІЯ: Громадського обговорення навчальної програми статевого виховання ЧОМУ ФОНД ОЛЕНИ ПІНЧУК І МОЗ УКРАЇНИ ПРОПАГУЮТЬ "СЕКСУАЛЬНІ УРОКИ" ЕКЗИСТЕНЦІЙНО-ПСИХОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ПОРУШЕННЯ СТАТЕВОЇ ІДЕНТИЧНОСТІ ПІДЛІТКІВ Батьківський, громадянський рух в Україні закликає МОН зупинити тотальну сексуалізацію дітей і підлітків Відкрите звернення Міністру освіти й науки України - Гриневич Лілії Михайлівні Представництво українського жіноцтва в ООН: низький рівень культури спілкування в соціальних мережах Гендерна антидискримінаційна експертиза може зробити нас моральними рабами ЛІВИЙ МАРКСИЗМ У НОВИХ ПІДРУЧНИКАХ ДЛЯ ШКОЛЯРІВ ВІДКРИТА ЗАЯВА на підтримку позиції Ганни Турчинової та права кожної людини на свободу думки, світогляду та вираження поглядів Контакти
Тлумачний словник |
|
|||||||||
МДН- транзистори з індукованим каналом.
Канал провідності струму в цьому транзисторі спеціально не створюється, а утворюється (індукується) завдяки припливу електронів з напівпровідникової пластини у випадку прикладання до затвора напруги позитивної полярності щодо витоку. За рахунок припливу електронів у приповерхневому шарі відбувається зміна електропровідності напівпровідника, тобто індукується струмопровідний канал n-типу, що з'єднує області стоку й витоку. Провідність каналу росте з підвищенням прикладеної до затвора напруги позитивної полярності. Таким чином, транзистор з індукованим каналом працює тільки в режимі збагачення. Вольтамперні характеристики на вид близькі аналогічним характеристикам транзистора з вбудованим каналом і мають той же характер залежності . Відмінність полягає в тому, що керування струмом транзистора здійснюється напругою однієї полярності, що збігається з полярністю напруги . Струм дорівнює нулю при , у той час як у транзисторі з вбудованим каналом для цього необхідно змінити полярність напруги на затворі щодо джерела. МДН - транзистори обох типів випускається на той же діапазон струмів і напруг, що й транзистори з переходом. Приблизно такий же порядок величин мають крутизнаі внутрішній опір . МДН- транзистори мають кращі показники по вхідному опору й міжелектродним ємностям, чим транзистори з переходом. Як раніше говорилося, вхідний опір у них становить Ом. Значення міжелектродних ємностей не перевищує: для , — 10 пФ, для — 2 пФ. МДП - транзистори широко використовуються в інтегральних мікросхемах. Мікросхеми на МДН-транзисторах мають гарну технологічність, низьку вартість, здатність працювати при більше високій напрузі живлення, чим мікросхеми на біполярних транзисторах.
Читайте також:
|
||||||||||
|