Студопедия
Новини освіти і науки:
МАРК РЕГНЕРУС ДОСЛІДЖЕННЯ: Наскільки відрізняються діти, які виросли в одностатевих союзах


РЕЗОЛЮЦІЯ: Громадського обговорення навчальної програми статевого виховання


ЧОМУ ФОНД ОЛЕНИ ПІНЧУК І МОЗ УКРАЇНИ ПРОПАГУЮТЬ "СЕКСУАЛЬНІ УРОКИ"


ЕКЗИСТЕНЦІЙНО-ПСИХОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ПОРУШЕННЯ СТАТЕВОЇ ІДЕНТИЧНОСТІ ПІДЛІТКІВ


Батьківський, громадянський рух в Україні закликає МОН зупинити тотальну сексуалізацію дітей і підлітків


Відкрите звернення Міністру освіти й науки України - Гриневич Лілії Михайлівні


Представництво українського жіноцтва в ООН: низький рівень культури спілкування в соціальних мережах


Гендерна антидискримінаційна експертиза може зробити нас моральними рабами


ЛІВИЙ МАРКСИЗМ У НОВИХ ПІДРУЧНИКАХ ДЛЯ ШКОЛЯРІВ


ВІДКРИТА ЗАЯВА на підтримку позиції Ганни Турчинової та права кожної людини на свободу думки, світогляду та вираження поглядів



МДН- транзистори з індукованим каналом.

 

В
Конструкція МДН - транзистора з індукованим каналом n-типу показана на рисунку 1.21.


Рисунок 1.21 - Конструкція МДН - транзистора з індукованим каналом

Канал провідності струму в цьому транзисторі спеціально не створюється, а утворюється (індукується) завдяки припливу електронів з напівпровідникової пластини у випадку прикладання до затвора напруги позитивної полярності щодо витоку. За рахунок припливу електронів у приповерхневому шарі відбувається зміна електропровідності напівпровідника, тобто індукується струмопровідний канал n-типу, що з'єднує області стоку й витоку. Провідність каналу росте з підвищенням прикладеної до затвора напруги позитивної полярності. Таким чином, транзистор з індукованим каналом працює тільки в режимі збагачення. Вольтамперні характеристики на вид близькі аналогічним характеристикам транзистора з вбудованим каналом і мають той же характер залежності . Відмінність полягає в тому, що керування струмом транзистора здійснюється напругою однієї полярності, що збігається з полярністю напруги . Струм дорівнює нулю при , у той час як у транзисторі з вбудованим каналом для цього необхідно змінити полярність напруги на затворі щодо джерела.

МДН - транзистори обох типів випускається на той же діапазон струмів і напруг, що й транзистори з переходом. Приблизно такий же порядок величин мають крутизнаі внутрішній опір . МДН- транзистори мають кращі показники по вхідному опору й міжелектродним ємностям, чим транзистори з переходом. Як раніше говорилося, вхідний опір у них становить Ом. Значення міжелектродних ємностей не перевищує: для , — 10 пФ, для — 2 пФ. МДП - транзистори широко використовуються в інтегральних мікросхемах. Мікросхеми на МДН-транзисторах мають гарну технологічність, низьку вартість, здатність працювати при більше високій напрузі живлення, чим мікросхеми на біполярних транзисторах.

 


Читайте також:

  1. ЛІЗМОН-транзистори
  2. МДН-транзистори з вбудованим каналом
  3. МЕН-транзистори (транзистори Шотки)
  4. МНОН - транзистори
  5. Польові транзистори з ізольованим затвором
  6. Польові транзистори з керуючим переходом
  7. Складені транзистори в компенсаційних стабілізаторах
  8. Транзистори
  9. Транзистори Шотки




Переглядів: 3304

<== попередня сторінка | наступна сторінка ==>
МДН-транзистори з вбудованим каналом | ЛІЗМОН-транзистори

Не знайшли потрібну інформацію? Скористайтесь пошуком google:

  

© studopedia.com.ua При використанні або копіюванні матеріалів пряме посилання на сайт обов'язкове.


Генерація сторінки за: 0.002 сек.