• Гідрологія і Гідрометрія
• Господарське право
• Економіка будівництва
• Економіка природокористування
• Економічна теорія
• Земельне право
• Історія України
• Кримінально виконавче право
• Медична радіологія
• Методи аналізу
• Міжнародне приватне право
• Міжнародний маркетинг
• Основи екології
• Предмет Політологія
• Соціальне страхування
• Технічні засоби організації дорожнього руху
• Товарознавство продовольчих товарів

МДН- транзистори з індукованим каналом.

Рисунок 1.21 - Конструкція МДН - транзистора з індукованим каналом

Канал провідності струму в цьому транзисторі спеціально не створюється, а утворюється (індукується) завдяки припливу електронів з напівпровідникової пластини у випадку прикладання до затвора напруги позитивної полярності щодо витоку. За рахунок припливу електронів у приповерхневому шарі відбувається зміна електропровідності напівпровідника, тобто індукується струмопровідний канал n-типу, що з'єднує області стоку й витоку. Провідність каналу росте з підвищенням прикладеної до затвора напруги позитивної полярності. Таким чином, транзистор з індукованим каналом працює тільки в режимі збагачення. Вольтамперні характеристики на вид близькі аналогічним характеристикам транзистора з вбудованим каналом і мають той же характер залежності . Відмінність полягає в тому, що керування струмом транзистора здійснюється напругою однієї полярності, що збігається з полярністю напруги . Струм дорівнює нулю при , у той час як у транзисторі з вбудованим каналом для цього необхідно змінити полярність напруги на затворі щодо джерела.

МДН - транзистори обох типів випускається на той же діапазон струмів і напруг, що й транзистори з переходом. Приблизно такий же порядок величин мають крутизнаі внутрішній опір . МДН- транзистори мають кращі показники по вхідному опору й міжелектродним ємностям, чим транзистори з переходом. Як раніше говорилося, вхідний опір у них становить Ом. Значення міжелектродних ємностей не перевищує: для , — 10 пФ, для — 2 пФ. МДП - транзистори широко використовуються в інтегральних мікросхемах. Мікросхеми на МДН-транзисторах мають гарну технологічність, низьку вартість, здатність працювати при більше високій напрузі живлення, чим мікросхеми на біполярних транзисторах.

Читайте також:

1. ЛІЗМОН-транзистори
2. МДН-транзистори з вбудованим каналом
3. МЕН-транзистори (транзистори Шотки)
4. МНОН - транзистори
5. Польові транзистори з ізольованим затвором
6. Польові транзистори з керуючим переходом
7. Складені транзистори в компенсаційних стабілізаторах
8. Транзистори
9. Транзистори Шотки

Переглядів: 3320