Студопедия
Новини освіти і науки:
МАРК РЕГНЕРУС ДОСЛІДЖЕННЯ: Наскільки відрізняються діти, які виросли в одностатевих союзах


РЕЗОЛЮЦІЯ: Громадського обговорення навчальної програми статевого виховання


ЧОМУ ФОНД ОЛЕНИ ПІНЧУК І МОЗ УКРАЇНИ ПРОПАГУЮТЬ "СЕКСУАЛЬНІ УРОКИ"


ЕКЗИСТЕНЦІЙНО-ПСИХОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ПОРУШЕННЯ СТАТЕВОЇ ІДЕНТИЧНОСТІ ПІДЛІТКІВ


Батьківський, громадянський рух в Україні закликає МОН зупинити тотальну сексуалізацію дітей і підлітків


Відкрите звернення Міністру освіти й науки України - Гриневич Лілії Михайлівні


Представництво українського жіноцтва в ООН: низький рівень культури спілкування в соціальних мережах


Гендерна антидискримінаційна експертиза може зробити нас моральними рабами


ЛІВИЙ МАРКСИЗМ У НОВИХ ПІДРУЧНИКАХ ДЛЯ ШКОЛЯРІВ


ВІДКРИТА ЗАЯВА на підтримку позиції Ганни Турчинової та права кожної людини на свободу думки, світогляду та вираження поглядів



Польові транзистори з керуючим переходом

Фізичні явища та принцип дії ПТ

 

У транзисторі з n-каналом основними носіями заряду в каналі є електрони, які рухаються уздовж каналу від джерела з низьким потенціалом до стоку з більшим потенціалом створюючи струм стоку . Між затвором і витоком прикладена напруга, що замикає перехід, утворений n-областю каналу й р-областю затвора (рис1.18). Таким чином, у польовому транзисторі з n-каналом полярності прикладених напруг наступні: , . У транзисторі з р-каналом основними носіями заряду є дірки, які рухаються в напрямку зниження потенціалу, тому полярності прикладених напруг повинні бути іншими: , . Розглянемо більш докладно роботу польового транзистора з n-каналом. Транзистори з р-каналом працюють аналогічно.

 

Рисунок 1.18 - Конструкція польового транзистора

з керуючим переходом

 

При подачі напруги запирання на перехід між затвором і каналом на границях каналу утвориться рівномірний шар, об'єднаний носіями заряду й володіючий високим питомим опором. Напруга, прикладена між стоком і витоком приводить до появи нерівномірного збідненого шару, тому що різниця потенціалів між затвором і каналом збільшується в напрямку від витоку до стоку, і найменший перетин каналу розташований поблизу стоку. Якщо одночасно подати напруга , , то товщина збідненого шару, а значить і перетину каналу будуть визначатися дією цих двох напруг.

 

Рисунок 1.19 - Схема включення польового транзистора з

керуючим переходом

 

 

При цьому мінімальний перетин каналу визначається їхньою сумою. Коли сумарна напруга досягає напруги запирання: , об'єднані області замикаються й опір каналу різко росте.

Залежності струму стоку від напруги при постійній напрузі на затворі позначають вихідні або стокові характеристики польового транзистора. На початковій ділянці характеристик , струм стоку росте зі збільшенням . При підвищенні напруги стік-виток до відбувається перекриття каналу й подальший ріст струму припиняється (ділянку насичення) Негативна напруга між затвором і витоком зміщує момент перекриття каналу убік менших значень напруги й токи . Ділянка насичення є робочою областю вихідних характеристик польового транзистора.

Подальший ріст напруги приводить до пробою переходу між затвором і каналом і виводить транзистор з ладу. По вихідних характеристиках може бути побудована передатна характеристика . На ділянці насичення вона практично не залежить від напруги . Вхідна характеристика польового транзистора — залежність струму джерела затвора від напруги затвор-виток, звичайно, не використовується, тому що при перехід між затвором і каналом закритий і струм затвора дуже малий, тому в більшості випадків його можна не приймати до уваги.

 


Читайте також:

  1. Будова та принцип дії польового транзистора з p-n-переходом
  2. ЛІЗМОН-транзистори
  3. МДН- транзистори з індукованим каналом.
  4. МДН-транзистори з вбудованим каналом
  5. МЕН-транзистори (транзистори Шотки)
  6. МНОН - транзистори
  7. Напівпровідниковими діодами називаються напівпровідникові прилади з одним р-n переходом і двома виводами, у яких використовуються властивості переходу.
  8. Підготовчі та передпольові роботи, складання проекту і кошторису
  9. Польовий транзистор із керуючим переходом - польовий транзистор, у якого затвор електрично відділений від каналу закритим р-n переходом.
  10. Польові записи результатів спостережень за групою особин виду чи за популяцією
  11. Польові роботи
  12. Польові роботи




Переглядів: 2055

<== попередня сторінка | наступна сторінка ==>
Польовий транзистор із керуючим переходом - польовий транзистор, у якого затвор електрично відділений від каналу закритим р-n переходом. | Польові транзистори з ізольованим затвором

Не знайшли потрібну інформацію? Скористайтесь пошуком google:

  

© studopedia.com.ua При використанні або копіюванні матеріалів пряме посилання на сайт обов'язкове.


Генерація сторінки за: 0.051 сек.