• Гідрологія і Гідрометрія
• Господарське право
• Економіка будівництва
• Економіка природокористування
• Економічна теорія
• Земельне право
• Історія України
• Кримінально виконавче право
• Медична радіологія
• Методи аналізу
• Міжнародне приватне право
• Міжнародний маркетинг
• Основи екології
• Предмет Політологія
• Соціальне страхування
• Технічні засоби організації дорожнього руху
• Товарознавство продовольчих товарів

Тлумачний словник
Авто
Автоматизація
Архітектура
Астрономія
Аудит
Біологія
Будівництво
Бухгалтерія
Винахідництво
Виробництво
Військова справа
Генетика
Географія
Геологія
Господарство
Держава
Дім
Екологія
Економетрика
Економіка
Електроніка
Журналістика та ЗМІ
Зв'язок
Іноземні мови
Інформатика
Історія
Комп'ютери
Креслення
Кулінарія
Культура
Лексикологія
Література
Логіка
Маркетинг
Математика
Машинобудування
Медицина
Менеджмент
Метали і Зварювання
Механіка
Мистецтво
Музика
Населення
Освіта
Охорона безпеки життя
Охорона Праці
Педагогіка
Політика
Право
Програмування
Промисловість
Психологія
Радіо
Регилия
Соціологія
Спорт
Стандартизація
Технології
Торгівля
Туризм
Фізика
Фізіологія
Філософія
Фінанси
Хімія
Юриспунденкция

МЕН-транзистори (транзистори Шотки)

Польові транзистори МЕН-типу мають структуру “метал-напівпровідник”; їх будують на основі арсеніду галію (AsGa — з'єднання галію з миш'яком). У порівнянні з германієм AsGa має наступні переваги:

• більше високу рухливість електронів у слабких електричних полях (приблизно в п'ять разів);

• майже в півтора разу ширше заборонену зону, що забезпечує високий питомий опір підкладки (як наслідок, підкладки з AsGa служать напівізолюючим матеріалом);

• дуже малі паразитні ємності між електродами МЕН-транзистора. На основі арсеніду галію досягається десятикратне підвищення швидкодії схем при зниженні потужності споживання вдвічі. Однак арсенід галію не дозволяє будувати МЕН-транзистори з ізольованим затвором, оскільки він не утворить стійких оксидів. У польових МЕН-транзисторах використовують бар'єр Шотки на границі контакту металу з напівпровідником. Тому МЕН-транзистори також називають "польовими транзисторами з бар'єром Шотки" (ПТШ).

а) б)

Рисунок 1.24 - Стуруктура та стоко-затворні характеристики МЕН-транзистора

Для забезпечення омічних контактів із витокомі стоком застосовують металеві електроди на основі композиції германій-золото. На поверхню підкладки між контактами наносять шар діелектрика, наприклад, діоксида кремнію. Металевий електрод затвора створює в каналі збіднений електронами шар — бар'єр Шотки висотою 0,8 В. Просторові розміри бар'єра змінюються під дією напруги затвора. Властиво провідний канал товщиною обмежений областю бар'єра й підкладкою. Між затвором і витоком подається керуюча напруга , а на стік — напруга живлення плюс . При зміні, що управляє напруги змінюється товщина збідненого шару й провідного каналу , його провідність і струм стоку.

На рис.1.24,б представлені стоко-затворні характеристики нормально відкритого (крива 1) і нормально закритого (крива 2) МЕН-транзистора, а також їхня вхідна характеристика (крива 3). Для нормально відкритих МЕН-транзисторів керуюча напруга на затворі, при якому протікає струм стоку , може змінюватися від негативних значень до невеликих позитивних (не більше 0,6 В). При напругах, більших В, у його каналі виникає струм затвора , оскільки відкривається перехід метал-напівпровідник. Тому струм стоку обмежений значенням . Для нормально закритих транзисторів напруга затвора, при якій протікає струм стоку, позитивна й може змінюватися тільки у вузьких межах (0...0,6 В). Максимальний струм стоку обмежений значенням . Для транзисторів з однаковими розмірами каналу (довжиною й шириною) . У схемотехніці застосовують нормально закриті й нормально відкриті МЕН-транзистори.

Контрольні питання

До пункту 1.4.1

1) Дати визначення польового транзистора.

2) Дати класифікацію ПТ.

3) Дати визначення транзистора з керованим р-n переходом.

4) Замалювати умовне графічне позначення транзистора з керованим р - n переходом з каналом р - типу.

5) Замалювати умовне графічне позначення транзистора з керованим р - n переходом з каналом n - типу.

6) Замалювати ВАХ польового транзистора з керованим р - n переходом.

7) Дати визначення польових транзисторів з ізольованим затвором (визначення) (МДН).

8) Замалювати умовне графічне позначення транзистора з ізольованим затвором вбудованим каналом.

9) Замалювати ВАХ польового транзистора з ізольованим затвором вбудованим каналом.

10)Замалювати умовне графічне позначення транзистора з ізольованим затвором індукованим каналом

11)Замалювати ВАХ польового транзистора з ізольованим затвором індукованим каналом

12)Навести параметри польових транзисторів.

До пунктів 1.4.2 - 1.4.6

1) Замалювати структурну схему.

2) Описати принцип дії польового транзистора з керованим р - n переходом.

3) Визначити напругу затвор – виток транзистора з р - каналом.

4) Визначити напругу затвор - виток транзистора з n - каналом.

5) Навести конструкцію МДН-транзисторів.

6) Описати принцип дії МДН-транзисторів.

7) Навести конструкцію МДН-транзистора з вбудованим каналом.

8) Описати принцип дії.

9) Визначити режим збіднення.

10) Визначити режим збагачення.

11) Навести конструкцію МДН-транзистора з індукованим каналом.

12) Описати принцип дії.

13) Визначити полярність напруги затвор -виток.

14) Визначити полярність напруги стік -виток.

15) Навести конструкцію ЛІЗМОН-транзисторів з одним і двома затворами.

16) В яких режимах можуть працювати ЛІЗМОН-транзистори?

17) Описати режими работи ЛІЗМОН-транзисторів.

18) Навести конструкцію МНОН-транзистора.

19) Привести ВАХ МНОН-транзистора.

20) Описати принцип дії МНОН-транзистора.

21) Навести конструкцію польових транзисторів МЕН-типу.

22) Привести ВАХ польових транзисторів МЕН-типу.

Переглядів: 1601