• Гідрологія і Гідрометрія
• Господарське право
• Економіка будівництва
• Економіка природокористування
• Економічна теорія
• Земельне право
• Історія України
• Кримінально виконавче право
• Медична радіологія
• Методи аналізу
• Міжнародне приватне право
• Міжнародний маркетинг
• Основи екології
• Предмет Політологія
• Соціальне страхування
• Технічні засоби організації дорожнього руху
• Товарознавство продовольчих товарів

МЕН-транзистори (транзистори Шотки)

Польові транзистори МЕН-типу мають структуру “метал-напівпровідник”; їх будують на основі арсеніду галію (AsGa — з'єднання галію з миш'яком). У порівнянні з германієм AsGa має наступні переваги:

• більше високу рухливість електронів у слабких електричних полях (приблизно в п'ять разів);

• майже в півтора разу ширше заборонену зону, що забезпечує високий питомий опір підкладки (як наслідок, підкладки з AsGa служать напівізолюючим матеріалом);

• дуже малі паразитні ємності між електродами МЕН-транзистора. На основі арсеніду галію досягається десятикратне підвищення швидкодії схем при зниженні потужності споживання вдвічі. Однак арсенід галію не дозволяє будувати МЕН-транзистори з ізольованим затвором, оскільки він не утворить стійких оксидів. У польових МЕН-транзисторах використовують бар'єр Шотки на границі контакту металу з напівпровідником. Тому МЕН-транзистори також називають "польовими транзисторами з бар'єром Шотки" (ПТШ).

а) б)

Рисунок 1.24 - Стуруктура та стоко-затворні характеристики МЕН-транзистора

Для забезпечення омічних контактів із витокомі стоком застосовують металеві електроди на основі композиції германій-золото. На поверхню підкладки між контактами наносять шар діелектрика, наприклад, діоксида кремнію. Металевий електрод затвора створює в каналі збіднений електронами шар — бар'єр Шотки висотою 0,8 В. Просторові розміри бар'єра змінюються під дією напруги затвора. Властиво провідний канал товщиною обмежений областю бар'єра й підкладкою. Між затвором і витоком подається керуюча напруга , а на стік — напруга живлення плюс . При зміні, що управляє напруги змінюється товщина збідненого шару й провідного каналу , його провідність і струм стоку.

На рис.1.24,б представлені стоко-затворні характеристики нормально відкритого (крива 1) і нормально закритого (крива 2) МЕН-транзистора, а також їхня вхідна характеристика (крива 3). Для нормально відкритих МЕН-транзисторів керуюча напруга на затворі, при якому протікає струм стоку , може змінюватися від негативних значень до невеликих позитивних (не більше 0,6 В). При напругах, більших В, у його каналі виникає струм затвора , оскільки відкривається перехід метал-напівпровідник. Тому струм стоку обмежений значенням . Для нормально закритих транзисторів напруга затвора, при якій протікає струм стоку, позитивна й може змінюватися тільки у вузьких межах (0...0,6 В). Максимальний струм стоку обмежений значенням . Для транзисторів з однаковими розмірами каналу (довжиною й шириною) . У схемотехніці застосовують нормально закриті й нормально відкриті МЕН-транзистори.

Контрольні питання

До пункту 1.4.1

1) Дати визначення польового транзистора.

2) Дати класифікацію ПТ.

3) Дати визначення транзистора з керованим р-n переходом.

4) Замалювати умовне графічне позначення транзистора з керованим р - n переходом з каналом р - типу.

5) Замалювати умовне графічне позначення транзистора з керованим р - n переходом з каналом n - типу.

6) Замалювати ВАХ польового транзистора з керованим р - n переходом.

7) Дати визначення польових транзисторів з ізольованим затвором (визначення) (МДН).

8) Замалювати умовне графічне позначення транзистора з ізольованим затвором вбудованим каналом.

9) Замалювати ВАХ польового транзистора з ізольованим затвором вбудованим каналом.

10)Замалювати умовне графічне позначення транзистора з ізольованим затвором індукованим каналом

11)Замалювати ВАХ польового транзистора з ізольованим затвором індукованим каналом

12)Навести параметри польових транзисторів.

До пунктів 1.4.2 - 1.4.6

1) Замалювати структурну схему.

2) Описати принцип дії польового транзистора з керованим р - n переходом.

3) Визначити напругу затвор – виток транзистора з р - каналом.

4) Визначити напругу затвор - виток транзистора з n - каналом.

5) Навести конструкцію МДН-транзисторів.

6) Описати принцип дії МДН-транзисторів.

7) Навести конструкцію МДН-транзистора з вбудованим каналом.

8) Описати принцип дії.

9) Визначити режим збіднення.

10) Визначити режим збагачення.

11) Навести конструкцію МДН-транзистора з індукованим каналом.

12) Описати принцип дії.

13) Визначити полярність напруги затвор -виток.

14) Визначити полярність напруги стік -виток.

15) Навести конструкцію ЛІЗМОН-транзисторів з одним і двома затворами.

16) В яких режимах можуть працювати ЛІЗМОН-транзистори?

17) Описати режими работи ЛІЗМОН-транзисторів.

18) Навести конструкцію МНОН-транзистора.

19) Привести ВАХ МНОН-транзистора.

20) Описати принцип дії МНОН-транзистора.

21) Навести конструкцію польових транзисторів МЕН-типу.

22) Привести ВАХ польових транзисторів МЕН-типу.

Переглядів: 1670