Студопедия
Новини освіти і науки:
МАРК РЕГНЕРУС ДОСЛІДЖЕННЯ: Наскільки відрізняються діти, які виросли в одностатевих союзах


РЕЗОЛЮЦІЯ: Громадського обговорення навчальної програми статевого виховання


ЧОМУ ФОНД ОЛЕНИ ПІНЧУК І МОЗ УКРАЇНИ ПРОПАГУЮТЬ "СЕКСУАЛЬНІ УРОКИ"


ЕКЗИСТЕНЦІЙНО-ПСИХОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ПОРУШЕННЯ СТАТЕВОЇ ІДЕНТИЧНОСТІ ПІДЛІТКІВ


Батьківський, громадянський рух в Україні закликає МОН зупинити тотальну сексуалізацію дітей і підлітків


Відкрите звернення Міністру освіти й науки України - Гриневич Лілії Михайлівні


Представництво українського жіноцтва в ООН: низький рівень культури спілкування в соціальних мережах


Гендерна антидискримінаційна експертиза може зробити нас моральними рабами


ЛІВИЙ МАРКСИЗМ У НОВИХ ПІДРУЧНИКАХ ДЛЯ ШКОЛЯРІВ


ВІДКРИТА ЗАЯВА на підтримку позиції Ганни Турчинової та права кожної людини на свободу думки, світогляду та вираження поглядів



МНОН - транзистори

МНОН-транзистори (метал-нітрид-оксид-напівпровідник) має наступну конструкцію: на поверхні кристала перебуває тонкий шар діоксида кремнію, зверху на нього нанесений шар нітриду кремнію, що набагато більше шару діоксида кремнію а далі металевий затвор.

МНОН-транзистори як і ЛІЗМОН-транзистори застосовуються для побудови пам'яті. Елемент пам'яті, побудований на МНОН-транзисторі, може працювати в тих же режимах, що й ЛІЗМОН-транзистор (програмування, зберігання, зчитування й стирання інформації).

 

Uзв
В

а) б)

Рисунок 1.23 – МНОН-Транзистор:

а) - структурна схема;

б) - ВАХ МНОН-транзистора.

 

МНОН-транзистори з каналом -типу працюють у такий спосіб. До затвора МНОН-транзистора, у якому створюється заряд, подають позитивний імпульс напруги амплітудою близько 20 В. На електрони діє сильне електричне поле й вони розвивають достатню енергію, щоб пройти з підкладки через тонкий шар оксиду товщиною близько 5 нм у шар нітриду. У результаті в нітриді з’являється нерухливий негативний заряд. Цей заряд виконує функцію носія інформації. Наявність заряду свідчить про логічний нуль, а відсутність заряді – логічній одиниці. Транзистор, у якому відсутній заряд, відкривається робочим сигналом.

На рисунку 1.23, б зображена характеристика МНОН-транзистора , що показує, що в МНОН-транзисторі заряд екранує дія позитивної напруги на затвор, у результаті чого підвищується гранична напруга настільки, що робочий сигнал не може відкрити транзистор. Занесення заряду під затвор транзистора називається процесом програмування.

Процес зчитування інформації в МНОН-транзисторах здійснюється також як і в ЛІЗМОН-транзисторах.

Режим стирання забезпечується в такий спосіб: якщо в діелектрику транзистора є заряд (тобто транзистор перебуває в стані логічного нуля), те для переходу в стан логічної одиниці цей заряд виштовхують із під затвора негативним імпульсом напруги величиною 30-40 В, що подається на затвор щодо підкладки.

 


Читайте також:

  1. ЛІЗМОН-транзистори
  2. МДН- транзистори з індукованим каналом.
  3. МДН-транзистори з вбудованим каналом
  4. МЕН-транзистори (транзистори Шотки)
  5. Польові транзистори з ізольованим затвором
  6. Польові транзистори з керуючим переходом
  7. Складені транзистори в компенсаційних стабілізаторах
  8. Транзистори
  9. Транзистори Шотки




Переглядів: 1936

<== попередня сторінка | наступна сторінка ==>
ЛІЗМОН-транзистори | МЕН-транзистори (транзистори Шотки)

Не знайшли потрібну інформацію? Скористайтесь пошуком google:

  

© studopedia.com.ua При використанні або копіюванні матеріалів пряме посилання на сайт обов'язкове.


Генерація сторінки за: 0.001 сек.