• Гідрологія і Гідрометрія
• Господарське право
• Економіка будівництва
• Економіка природокористування
• Економічна теорія
• Земельне право
• Історія України
• Кримінально виконавче право
• Медична радіологія
• Методи аналізу
• Міжнародне приватне право
• Міжнародний маркетинг
• Основи екології
• Предмет Політологія
• Соціальне страхування
• Технічні засоби організації дорожнього руху
• Товарознавство продовольчих товарів

ЛІЗМОН-транзистори

ЛІЗМОН-транзистор — це МОН-транзистор ( метал-оксид-напівпровідник) з індукованим каналом типу або . ЛІЗМОН-транзистори застосовуються для побудови пам'яті. На МНОН-транзисторах звичайно будують елемент пам'яті, що може працювати в таких режимах:

- зберігання інформації;

- зчитування інформації;

- стирання інформації

- програмування.

Такі транзистори мають один або кілька затворів. Структурна схема ЛІЗМОН-транзистора з одним затвором показана на рис. 1.22,а. Металевий затвор цього транзистора розміщений у діелектрику, що являє собою діоксид кремнію, і не має металевого виводу. Він відділений від кристала діелектриком товщиною 0,1 нм. Цей затвор називають плаваючим (ПЗ).

а) б

х_І у_І X₁

Vt2 VT1

Vt1 Y₁

в) г)

Рисунок 1.22 – Структурна схема ЛІЗМОН-транзистора:

а) з одним затвором;

б) із двома затворами;

в) умовне позначення ЛІЗМОН-транзистора з одним затвором;

г) умовне позначення ЛІЗМОН-транзистора з двома затвороми;

При подачі напруги на плаваючий затвор з'являється провідний канал і транзистор відкривається, відбувається записування логічної одиниці, при відсутності напруги транзистор закривається, у цьому випадку відбувається записування логічного нуля.

На структурній схемі (рис.1.22,б) показаний транзистор із двома затворами. У цьому випадку робота транзистора здійснюється в такий спосіб. Для забезпечення режиму програмування на стік і виток подається позитивний імпульс напруги амплітудою 25 В. При цьому на -переходах виток-підкладка й сток-підкладка спостерігається інжекція заряду. Частина електронів попадає на ПЗ, у результаті накладки на ПЗ негативного заряду гранична напруга на передатній характеристиці зміщається в область більш високого рівня. Це відповідає логічному нулю. Якщо заряд на ПЗ відсутній - це відповідає логічній одиниці.

Стирання записаної інформації складається у витисненні заряду із ПЗ, при чому дана операція здійснюється одним зі способів:

־ За допомогою імпульса напруги на затворі. У цьому випадку електрони на ПЗ витісняються в підкладку електричним полем і відновлюється стан логічної одиниці.

־ За допомогою ультрафіолетового випромінювання через прозоре скло в кришці корпуса. У цьому випадку ультрафіолетове випромінювання викликає посилення теплового руху й електрони розсмоктуються із ПЗ у підкладку.

ЛІЗМОН-транзистори в режимі зчитування працюють у такий спосіб. На затвор подається напруга зчитування, значення якої лежить між двома граничними рівнями. Якщо в елемент пам'яті записана логічна одиниця, то транзистор відкривається, якщо ж логічний нуль - закривається.

Забезпечення роботи транзистора в режимі зберігання інформації здійснюється за рахунок відсутності заряду на електродах ПЗ, що не допускає розпливу заряду в підложку.

Переглядів: 1532