МАРК РЕГНЕРУС ДОСЛІДЖЕННЯ: Наскільки відрізняються діти, які виросли в одностатевих союзах
РЕЗОЛЮЦІЯ: Громадського обговорення навчальної програми статевого виховання ЧОМУ ФОНД ОЛЕНИ ПІНЧУК І МОЗ УКРАЇНИ ПРОПАГУЮТЬ "СЕКСУАЛЬНІ УРОКИ" ЕКЗИСТЕНЦІЙНО-ПСИХОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ПОРУШЕННЯ СТАТЕВОЇ ІДЕНТИЧНОСТІ ПІДЛІТКІВ Батьківський, громадянський рух в Україні закликає МОН зупинити тотальну сексуалізацію дітей і підлітків Відкрите звернення Міністру освіти й науки України - Гриневич Лілії Михайлівні Представництво українського жіноцтва в ООН: низький рівень культури спілкування в соціальних мережах Гендерна антидискримінаційна експертиза може зробити нас моральними рабами ЛІВИЙ МАРКСИЗМ У НОВИХ ПІДРУЧНИКАХ ДЛЯ ШКОЛЯРІВ ВІДКРИТА ЗАЯВА на підтримку позиції Ганни Турчинової та права кожної людини на свободу думки, світогляду та вираження поглядів Контакти
Тлумачний словник |
|
|||||||||||||||||||||||||||||||
ЛІЗМОН-транзисториЛІЗМОН-транзистор — це МОН-транзистор ( метал-оксид-напівпровідник) з індукованим каналом типу або . ЛІЗМОН-транзистори застосовуються для побудови пам'яті. На МНОН-транзисторах звичайно будують елемент пам'яті, що може працювати в таких режимах: - зберігання інформації; - зчитування інформації; - стирання інформації - програмування. Такі транзистори мають один або кілька затворів. Структурна схема ЛІЗМОН-транзистора з одним затвором показана на рис. 1.22,а. Металевий затвор цього транзистора розміщений у діелектрику, що являє собою діоксид кремнію, і не має металевого виводу. Він відділений від кристала діелектриком товщиною 0,1 нм. Цей затвор називають плаваючим (ПЗ).
а) б
хІ уІ X1 Vt2 VT1 Vt1 Y1
в) г)
Рисунок 1.22 – Структурна схема ЛІЗМОН-транзистора: а) з одним затвором; б) із двома затворами; в) умовне позначення ЛІЗМОН-транзистора з одним затвором; г) умовне позначення ЛІЗМОН-транзистора з двома затвороми;
При подачі напруги на плаваючий затвор з'являється провідний канал і транзистор відкривається, відбувається записування логічної одиниці, при відсутності напруги транзистор закривається, у цьому випадку відбувається записування логічного нуля. На структурній схемі (рис.1.22,б) показаний транзистор із двома затворами. У цьому випадку робота транзистора здійснюється в такий спосіб. Для забезпечення режиму програмування на стік і виток подається позитивний імпульс напруги амплітудою 25 В. При цьому на -переходах виток-підкладка й сток-підкладка спостерігається інжекція заряду. Частина електронів попадає на ПЗ, у результаті накладки на ПЗ негативного заряду гранична напруга на передатній характеристиці зміщається в область більш високого рівня. Це відповідає логічному нулю. Якщо заряд на ПЗ відсутній - це відповідає логічній одиниці. Стирання записаної інформації складається у витисненні заряду із ПЗ, при чому дана операція здійснюється одним зі способів: ־ За допомогою імпульса напруги на затворі. У цьому випадку електрони на ПЗ витісняються в підкладку електричним полем і відновлюється стан логічної одиниці. ־ За допомогою ультрафіолетового випромінювання через прозоре скло в кришці корпуса. У цьому випадку ультрафіолетове випромінювання викликає посилення теплового руху й електрони розсмоктуються із ПЗ у підкладку. ЛІЗМОН-транзистори в режимі зчитування працюють у такий спосіб. На затвор подається напруга зчитування, значення якої лежить між двома граничними рівнями. Якщо в елемент пам'яті записана логічна одиниця, то транзистор відкривається, якщо ж логічний нуль - закривається. Забезпечення роботи транзистора в режимі зберігання інформації здійснюється за рахунок відсутності заряду на електродах ПЗ, що не допускає розпливу заряду в підложку.
|
||||||||||||||||||||||||||||||||
|