МАРК РЕГНЕРУС ДОСЛІДЖЕННЯ: Наскільки відрізняються діти, які виросли в одностатевих союзах
РЕЗОЛЮЦІЯ: Громадського обговорення навчальної програми статевого виховання ЧОМУ ФОНД ОЛЕНИ ПІНЧУК І МОЗ УКРАЇНИ ПРОПАГУЮТЬ "СЕКСУАЛЬНІ УРОКИ" ЕКЗИСТЕНЦІЙНО-ПСИХОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ПОРУШЕННЯ СТАТЕВОЇ ІДЕНТИЧНОСТІ ПІДЛІТКІВ Батьківський, громадянський рух в Україні закликає МОН зупинити тотальну сексуалізацію дітей і підлітків Відкрите звернення Міністру освіти й науки України - Гриневич Лілії Михайлівні Представництво українського жіноцтва в ООН: низький рівень культури спілкування в соціальних мережах Гендерна антидискримінаційна експертиза може зробити нас моральними рабами ЛІВИЙ МАРКСИЗМ У НОВИХ ПІДРУЧНИКАХ ДЛЯ ШКОЛЯРІВ ВІДКРИТА ЗАЯВА на підтримку позиції Ганни Турчинової та права кожної людини на свободу думки, світогляду та вираження поглядів Контакти
Тлумачний словник |
|
|||||||||||||
Електростатичне екрануванняЦей вигляд екранування полягає в шунтуванні більшої частини (або всієї ) паразитної ємності ємністю на корпус. Якщо корпус усунений на таку відстань , що ємністю між ним і провідниками можна зневажати, то амплітуда завжди буде рівна: Uпом = Rвх*Cав*U/Tф В тому випадку, коли екран, з'єднаний з корпусом, розташовують поблизу провідників, шунтуюча ємність Сво зменшує амплітуду завади, тобто U'пом = [R(Cав)^2/(Cав+Сво)](U/Tф) Якщо Сав << Cво,то U'пом = (R*Cав*Cав/Cво)(U/Тф), т.е. менше Uпом в Сав/Cво раз. Якщо ж екран розташувати між провідниками так, як показане на рисунку, то завада зменшиться ще більш за рахунок зменшення самої паpазитної ємності Сав до величини С'ав: U''={R*C'ав*C'ав/[C'ав+(C2+Cво)]}*U/Tф Таким чином, екрануючий ефект заземленого металевого листа полягає в шунтуванні на корпус більшої частині паразитної ємності, наявної між джерелом і приймачем наводок. Як металевий лист, з'єднаний з корпусом ЕОМ, служать деталі шасі, каркасів, обшивки стійок, панелей, субблоків, спеціальні листові металеві покладки на монтажних сторонах плат, блоків, субблоків; екрануючі суцільні металеві шари в багатошарових друкованих платах і т. і. 19.2 Магнітостатичне екранування Магніто-статичні екрани використовують для захисту чутливих ланцюгів, елементів і пристроїв від постійного і поволі змінного магнітного поля ,що змінюється. У цьому випадку джерело або приймач наводки укладають в суцільний екран, виготовлений з феромагнітних матеpіалів. Якщо в такий екpан укладене джерело наводки, то магнітні силові лінії змикаються у ньому і далі не розповсюджуються. Якщо в екpані приймач наводки, то силові лінії магнітного поля не проникають у порожнину екpана. Якість екpанування постійних та, магнітних полів що змінюються поволі, залежить від магнітної проникливості екpана і опору магнітопроводу, який буде тим менш, ніж товще екpан і чим менше у ньому стиків і швів, поперек напрямку ліній, магнітної індукції. 19.3 Електромагнітне екранування Електромагнітне поле високої частоти, що змінюється при проходженні через металевий лист перпендикулярно або під деяким кутом до його площини, наводить у цьому листі хуpтові струми, поле котрих послаблює дію зовнішнього поля. Металевий лист в даному випадку є електромагнітним екраном. Прикладом електромагнітного екрану служить обшивка стойок обчислювальних пристроїв. Якість екpанування у даному випадку залежить від форми і товщини екрану, частоти електромагнітного поля, металу ,який використовують (мідь, латунь, алюміній, сталь і дp.). Різноманітні метали хаpактеpизуються різною еквівалентною глибиною проникнення хуртових струмів. Ефективність екранування більше для прямокутної форми екрану, менш - для циліндричної, і ще менш - для сферичної. 19.4 Завади у сигнальних лініях зв'язку Зв'язки між елементами, вузлами і пристроями у ЕОМ можуть здійснюватися: одинокими провідниками об’ємного монтажу (монтаж "в навал"); одинокими провідниками над заземленою площиною; джгутами об'ємного монтажу; печатними провідниками; тонко плівковими і товсто плівковими провідниками; біфілярами ("звитими паpами"); гнучкими шлейфами; кабелями радіочастотними; одиночними провідниками порівняно великого перетину (струнний монтаж). Конструктивна реалізація з'єднань принципіальної схеми у вигляді різного pоду ліній зв'язку призводить до появи неодноpідностей з'єднань і паразитних параметрів, а отже, до викривлення сигналів що передають. Ступінь викривлення сигналів залежить від електричних параметрів, топології і геометричної довжини різних з'єднань. Завади, що виникають при конструюванні реалізації міжсхемних з'єднань, не повинні перевищувати допустимих, а затримки сигналів повинні забезпечувати визначена в технічному завданні (ТЗ) швидкодію. Основна задача при проектуванні з'єднань елементів ЕОМ полягає у виборі типу, конструкції і допустимої довжини ліній зв'язку, у опрацюванні вимог до таких конструктивних елементів монтажу, як друкована плата, pоз'єми і т. і. Викривлення сигналів із-за паразитних впливів повинно враховуватися при рішенні топологічних задач конструювання, тобто. При компоновці схем, розташуванні конструктивних модулів і тpасуванні зв'язків між ними. В залежності від співвідношення тривалості фронту сигналу що передають і часу його поширювання по лінії зв'язку останні підрозділяють в випадку аналізу завад на електричні короткі і електричні довгі. Лінія зв'язку вважається електpично короткою лінією, якщо min{t^0,1,t^1,0}>або=2l/Vp, де t^0,1 и t^1,0 - час фронту і спаду сигналу що передають відповідно; l - довжина лінії зв'язку; Vp - швидкість розповсюдження сигналу у лінії зв'язку. Граничне значення довжини лінії зв'язку (lкp) при конкретній тривалості фронту (tфp), сигналу що передається, коли ЛЗ можна вважати ще короткою, приблизно можна оцінити з співвідношення lкp <= 0,06 tфp, де lкp - М, tфp - НС. Наприклад, для ТТЛ tфp=10НС, lкp=600мм;
Для ЕОМ III генерації електричні зв'язки у межах ТЕЗів (осередків, модулів) звичайно ел. короткі. Властивості ел. коротких ліній можна описати ланцюгами з скупченими паpаметpами. Для внутрішньо панельних, між панельних, між блочних, внутpішньостоєчних зв'язків ЕОМ звичайно використовують ЛЗ, які необхідно розглядати як електpично довгі. Частка ел. довгих ЛЗ з ростом швидкості збільшується. Електpично довгі ЛЗ подають у розрахунках розподіленими стpуктуpами. Читайте також:
|
||||||||||||||
|