• Гідрологія і Гідрометрія
• Господарське право
• Економіка будівництва
• Економіка природокористування
• Економічна теорія
• Земельне право
• Історія України
• Кримінально виконавче право
• Медична радіологія
• Методи аналізу
• Міжнародне приватне право
• Міжнародний маркетинг
• Основи екології
• Предмет Політологія
• Соціальне страхування
• Технічні засоби організації дорожнього руху
• Товарознавство продовольчих товарів

КЛЮЧОВИЙ РЕЖИМ РОБОТИ БІПОЛЯРНИХ ТРАНЗИСТОРІВ

Основою усіх схем імпульсної техніки є ключова схема, яка являє собою транзисторний підсилювальний каскад, що працює у ключовому режимі. Тран­зистор у ключовій схемі (рис. 8.3, а)виконує функцію безконтактного ключа в послідовному колі з резистором R_С та джерелом живлення Е_С. Якість такого ключа визначається здебільшого залишковою напругою на транзисторі в за­мкненому (відкритому) стані, а також залишковим струмом транзистора у ви­мкнутому (закритому) стані.

Аналіз процесів у схемі транзисторного ключа легко проводити графоаналі­тичним методом, скориставшись лінією аб навантаження постійним струмом (рис. 8.3, 6), збудованою на ряді статистичних характе­ристик транзистора при опорі навантаження R та напрузі джерела живлення Е_С.Ключова схема виконана на транзисторі за схемою із ЗЕ.

Рис. 8.3

Якщо робоча точка р не виходить за межі ділянки BF навантажувальної прямої, то такий режим роботи транзистора навивають лінійним або підси­лювальним. При цьому зі зміною вхідного (базового) струму пропорційно змінюється вихідний (колекторний) струм На рис. 8.3, б лінійний режим відзначений як активна область І. Якщо вхідний струм досягне І_Вmах = І_ВНАС (точка В на рис. 8.3, б),то подальше підвищення не призведе до зростання колекторного струму, який досягає струму насичення І_СНАС.

При цьому напруга на колекторі U_СЕНАС невелика (звичайно кілька десятків мілівольт), отже, U_СЕНАС << Е_C, Параметр І_ВНАС називають струмом бази на межі насичення. У режимі насичення на вхід подається відкриваючий позитивний стрибок напруги U_вх(полярність по казана без дужок на рис. 8.3, а),емітерний та колекторний переходи транзистора зміщуються у пря­мому напрямі. Тому умова насичення транзистора, виражена через напругу, має вигляд

U_ВЕ > 0; U_ВС > 0, (8.1)

а транзистор можна зобразити у вигляді замкненого ключа (рис. 8.3, в). Зі схеми видно, що транзистор в режимі насичення можна розглядати як еквіпотенційну точку з однаковими потенціалами всіх електродів. Безперечно, в цьому випадку струми в транзисторі визначаються лише параметрами зовнішніх елементів схе­ми. Умовою насичення транзистора, яка виражена через струм, є нерівність

І_В ≥ І_ВНАС = І_СНАС /h_21Е . (8.2)

Читайте також:

1. II. Вимоги безпеки перед початком роботи
2. II. Вимоги безпеки праці перед початком роботи
3. III. Вимоги безпеки під час виконання роботи
4. III. Вимоги безпеки під час виконання роботи
5. Internet. - це мережа з комутацією пакетів, і її можна порівняти з організацією роботи звичайної пошти.
6. IV. Вимоги безпеки під час роботи на навчально-дослідній ділянці
7. Q6 розраховують тільки при нестаціонарному режимі
8. S Визначення оптимального темпу роботи з урахуванням динаміки наростання втоми.
9. VII. Прибирання робочих місць учнями (по завершенню роботи) і приміщення майстерні черговими.
10. АВТОРИТАРНИЙ РЕЖИМ
11. Авторитарний режим
12. Адиабатический режим

Переглядів: 609