• Гідрологія і Гідрометрія
• Господарське право
• Економіка будівництва
• Економіка природокористування
• Економічна теорія
• Земельне право
• Історія України
• Кримінально виконавче право
• Медична радіологія
• Методи аналізу
• Міжнародне приватне право
• Міжнародний маркетинг
• Основи екології
• Предмет Політологія
• Соціальне страхування
• Технічні засоби організації дорожнього руху
• Товарознавство продовольчих товарів

При цьому струм колектора в режимі насичення

І_СНАС = (Е_С – |U_СЕНАС |)/R_С ≈ Е_С /R_С (8.3)

визначається лише напругою джерела живлення та опором навантаження і не за­лежить від вибору транзистора. Струм бази в режимі насичення з урахуванням виразу (8.2) має вигляд

(8.4)

Для кількісної оцінки глибини насичення використовують параметр, що називається ступенем насичення,

К_НАС = І_В /І_ВНАС , (8.5)

звідки отримуємо умову насичення з урахуванням нерівності (8.2)

К_НАС ≥ 1. (8.6)

Область насичення ІІ (рис. 8.3, б) розміщується зліва від некерованої ділянки статистичної колекторної характеристики. Для збереження нормального тепло­вого режиму в транзисторі струм І_СНАС не повинен перевищувати максимально

допустимий струм колектора І_Сmах

t_ф= τ_h21Е ln[K_HАC /(К_НАС –1)], (8.7)

τ_h21Е = 1/ω_h21Е = 1/2πƒ_h2ІЕ – стала часу перехідного процесу в транзисторі з ЗЕ; ƒ_h2ІЕ – гранична частота підсилення транзистора. З формули випливає, що тривалість ввімкнення найменша тоді, коли найбільший ступінь насичення К_НАС транзистора або чим більший відкриваючий струм бази І_В.Область від­січки ІІІ (рис. 8.3, б) відповідає закритому стану транзистора, який можна зобра­зити схематично як розімкнений ключ (коло емітера вимкнуте) (рис. 8.3, г). За­критий стан транзистора досягається зміщенням емітерного та колекторного переходів у зворотному напрямі. Тому умову відсічки транзистора можна запи­сати у вигляді

U_ВЕ ≤ 0; U_ВС ≤ 0, (8.8)

У режимі відсічки на вхід підсилювального каскаду подається закриваючий не­гативний стрибок напруги U_вх (на рис. 8.3, а полярність показана в дужках). Коли обидва переходи транзистора зміщені в зворотному напрямі, через них

протікають лише зворотні некеровані струми. При цьому в колекторному колі протікає струм І_С = І_С0, а в базовому – 1_В = – І_С0 , змінюючи напрям. Стру­мом емітера нехтуємо. Напруга на колекторі закритого транзистора.

U_{СЕ відс}= Е_С – І_С0R_С.(8.9)

Виходячи з того, що Е_С >> І_С0R_С, вважаємо, що U_{СЕ відс}дорівнює на­прузі джерела живлення.

Тривалість процесу вмикання транзистора (розімкнення ключа) значною мірою визначається часом розсмоктування надлишкових носіїв заряду в його базі. Коли концентрація надлишкових носіїв більша за глибину насичення транзисторів, то час розсмоктування

t_р = τ_h21Е lnK_HАC (8.10)

можна зменшити, знижуючи ступінь насичення транзистора.

Тривалість процесів вмикання та вимикання транзистора визначає швид­кодію транзистора в ключовому режимі. Головною особливістю ключового режиму (режиму відсічки та насичення) є некерованість колекторного струму транзистора.

Читайте також:

1. D) оснащення виробництва обладнанням, пристроями, інструментом, засобами контролю.
2. PR-ІНСТРУМЕНТАРІЙ І МАНІПУЛЯТИВНІ ТЕХНОЛОГІЇ
3. Q6 розраховують тільки при нестаціонарному режимі
4. Автоматичне розвантаження по струму.
5. Адаптація законодавства України до законодавства ЄС - один із важливих інструментів створення в Україні нової правової системи та громадянського суспільства
6. Адаптація законодавства України до законодавства ЄС - один із важливих інструментів створення в Україні нової правової системи та громадянського суспільства
7. Активний опір у ланцюзі синусоїдального струму
8. Аналіз відхилень – основний інструмент оцінки діяльності центрів відповідальності
9. Аналіз відхилень — основний інструмент оцінки діяльності центрів відповідальності
10. Аналіз умов ураження людини електричним струмом.
11. Аналітичні методи та інструменти підтримки прийняття управлінських рішень.
12. Анкета — основний інструмент дослідження

Переглядів: 570