МАРК РЕГНЕРУС ДОСЛІДЖЕННЯ: Наскільки відрізняються діти, які виросли в одностатевих союзах
РЕЗОЛЮЦІЯ: Громадського обговорення навчальної програми статевого виховання ЧОМУ ФОНД ОЛЕНИ ПІНЧУК І МОЗ УКРАЇНИ ПРОПАГУЮТЬ "СЕКСУАЛЬНІ УРОКИ" ЕКЗИСТЕНЦІЙНО-ПСИХОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ПОРУШЕННЯ СТАТЕВОЇ ІДЕНТИЧНОСТІ ПІДЛІТКІВ Батьківський, громадянський рух в Україні закликає МОН зупинити тотальну сексуалізацію дітей і підлітків Відкрите звернення Міністру освіти й науки України - Гриневич Лілії Михайлівні Представництво українського жіноцтва в ООН: низький рівень культури спілкування в соціальних мережах Гендерна антидискримінаційна експертиза може зробити нас моральними рабами ЛІВИЙ МАРКСИЗМ У НОВИХ ПІДРУЧНИКАХ ДЛЯ ШКОЛЯРІВ ВІДКРИТА ЗАЯВА на підтримку позиції Ганни Турчинової та права кожної людини на свободу думки, світогляду та вираження поглядів Контакти
Тлумачний словник |
|
|||||||
Підсилювачах
Застосування автогенераторів з коливальним контуром має обмеження як при надвисоких частотах, так і при низьких. із зростанням частоти розміри коливальної системи зменшуються настільки, що вона стає сумірною з довжиною хвилі коливань, тобто не може розглядатися як система із зосередженими параметрами. Тому для надвисоких частот коливальні системи будують у вигляді резонаторів (лінійних або об'ємних) і застосовують спеціальні електронні прилади. При дуже низьких частотах (нижче 100...200 кГц) для побудови коливальної системи потрібні конденсатори та котушки значних розмірів, щоб забезпечити великі ємності й індуктивності. До того ж конструктивні вимоги до конденсатора змінної ємності на таких частотах майже неможливо задовольнити, що утруднює перестроювання резонансної частоти. Ось чому при побудові автогенераторів гармонічних коливань для низькочастотних діапазонів використовують аперіодичні вузько-смугові підсилювачі, в колі позитивного частотозалежного 33 яких на одній з частот одночасно забезпечують виконання умов балансу фаз й амплітуд. Виконання умови балансу амплітуд забезпечують вибором коефіцієнта підсилення каскаду, а виконання умови балансу фаз — зміною на 180° фази напруги в колі 33 на певній частоті f0. Ще на 180°, як відомо, фазу змінює сам аперіодичний підсилювач. Найпростішим колом, яке здатне змінити фазу сигналу на 180°, є три- або чотириланковий ланцюжковий RС-фільтр.
Рис. 7.7. Принципова схема автогенератора з ланцюжковим ФВЧ у колі ЗЗ
У схемі на рис. 7.7 використано ланцюжковий ФВЧ й емітерний повторювач, який потрібен для узгодження вихідного опору підсилювача з вхідним опором фільтра. Проте такий найпростіший автогенератор має багато недоліків; перш за все, в ньому утруднено регулювання частоти. Тому найпоширенішими RС-генераторами є двокаскадні автогенератори (рис. 7.8), в яких і баланс фаз, і баланс амплітуд досягаються завдяки підсилювальним каскадам, а мостові схеми фільтрів в колах частотозалежного позитивного 33 забезпечують вибір частоти та її перестроювання. Зміну частоти коливань у таких генераторах легко здійснювати синхронною зміною опору резисторів мостової схеми. З аналізу роботи автогенератора з триланковим RС-фільтром (див. рис. 7.7), виходячи з властивостей цього фільтра (див. п. 4.2) за умови, що RФ1 = Rф2 = Rфз = Rф i CФ1 = CФ2 = Сф3 = Сф, маємо (7.9) При чотириланковому RС-фільтрі в аналогічній схемі (7.10) У схемі на рис. 7.8, а коливання виникають з частотою (7.11) при коефіцієнті підсилення двокаскадного підсилювача (7.12) Для випадку, коли Rф1 = Rф2 і Сф1 = Сф2, маємо (7.13) Рис. 7.8. Принципові схеми автогенераторів з моствими схемами фільтрів у колі позитивного ЗЗ: з мостом Віна (а) і 2Т-мостом (б)
Особливість схем автогенераторів, зображених на рис. 7.7 і 7.8, полягає в застосуванні безпосереднього зв'язку між транзисторами. В таких схемах узгодження каскадів за постійним струмом забезпечується вибором резисторів у колі емітера таким чином, щоб напруга на колекторі першого каскаду дорівнювала сумі напруг між базою та емітером U0БЕ і напруги на резисторі другого каскаду. Наприклад, для схеми на рис. 7.7 . (7.14) У схемі на рис. 7.8, б застосовано диференціальний каскад, в якому положення РТ лівого транзистора визначається співвідношенням . (7.15)
Читайте також:
|
||||||||
|