Мікросхеми

Інтегральна мікросхема (ІС) являє собою функціональний мініатюрний мікроелектронний блок, в якому містяться транзистори, діоди, резистори, конденсатори та інші радіоелементи, які виконані методом молекулярної електроніки. За конструктивно – технологічним виконанню мікросхеми діляться на кілька основних груп:

гібридні, напівпровідникові (монолітні) і плівкові.

Гібридні мікросхеми виконуються на діелектричній підкладці з використанням монтажу дискретних радіокомпонентів пайкою або зварюванням на контактних майданчиках.

У напівпровідникових ІС всі елементи схеми формуються в кристалі напівпровідника.

У плівкових ІС радіоелементи виконані у вигляді плівок, нанесених на поверхню діелектрика.

Всі ці мікросхеми діляться на схеми з малим (до 10 елементів), середнім (10 ... 100 елементів) і великим (понад 100 елементів) ступенем інтеграції.

Промисловість випускає велику кількість найрізноманітніших ІС, які залежно від функціонального призначення ділять на аналогові і цифрові (логічні).

Аналогові мікросхеми застосовують для генерації, посилення і перетворення сигналів.

Цифрові ІС служать для обробки дискретного сигналу, вираженого в двійковому або цифровому коді, тому їх частіше називають логічними мікросхемами. Ці мікросхеми застосовують в обчислювальній техніці, автоматиці і в інших областях промисловості.

Інтегральні мікросхеми характеризуються такими основними параметрами:

- Напругою живлення U_n .

- Потужністю споживання енергії елементом від джерела живлення Р_п (в заданому режимі).

- Перешкодостійкістю І_пом, найбільша напруга перешкоди на вході ІС, яка не викликає порушення правильності роботи елементу.

Мікросхеми зберігають свої параметри тільки в тому випадку, якщо виконані технічні умови норм їх експлуатації. Норми експлуатації ІС зазвичай містяться в довідниках або доданому до них паспорті.

За конструктивним виконання ІС поділяють на: такі, що мають корпус та безкорпусні.

Існує 5 основних типів корпусів:

перший тип – прямокутний з виводами, перпендикулярними площині основи;

другий тип – прямокутний з виводами, перпендикулярними площині підстави, що виходять за межі проекції корпусу;

третій тип – круглий;

четвертий тип –. прямокутний з виводами, розташованими паралельно площині підстави і що виходять за межі його тіла в цій площині;

п'ятий тип – прямокутний "безвиводний корпус".

Плівкова – ІС, елементи якої виконані у вигляді плівок, нанесених на поверхню діелектричного матеріалу.

Тонкоплівкові – ІС з товщиною плівок до 1.10^-6м (1 мкм). Елементи тонкоплівочної ІС наносяться методами термовакуумного осадження і катодного напилення.

Товстоплівкові – плівкова ІС з товщиною плівок понад 1.10^-6м (1 – 100 мкм). Елементи товстоплівочної ІС наносяться переважно методом шовкографії.

Гібридна – ІС, частина елементів якої має самостійне конструктивне оформлення.

Підкладка – підстава, на поверхні або в об'ємі якої формуються елементи ІС.

Елемент – частина ІС, що виконує функції якого – не будь радіоелементу (резистора, конденсатора, діода, транзистора та ін.)

Серія – сукупність ІС, що виконують різні функції, мають єдину конструктивно – технологічну основу і призначених для спільного застосування в радіоелектронній апаратурі.

Корпус – частина ІС, призначена для її захисту від зовнішніх впливів і монтажу в апаратурі за допомогою відповідних виводів.

Гібридні інтегральні мікросхеми серії К 224 призначені для застосування в побутовій техніці.

Відносна простота технологічного процесу дозволяє при необхідності розширити дану номенклатуру, змінити технологію виготовлення залежно від конкретних схемотехнічних рішень.

Мікросхеми оформляються в полімерному корпусі пенального типу з габаритними розмірами 12 х 22 х 4,5мм . Вага не більше 3г.

Позначення мікросхем літеро – цифрове, складається з п'яти елементів і розшифровується наступним чином (наприклад К2УС241).

Перший елемент – буква К – вказує на те що мікросхеми призначені для апаратури широкого застосування;

Другий елемент – цифра 2 – визначає технологію виготовлення;

Третій елемент – букви УС – позначає функціональне призначення мікросхеми (підсилювач сінусоідальний);

Четвертий елемент – 24 – порядковий номер серії;

П'ятий – 1 – порядковий номер різновиду мікросхеми даного функціонального призначення.

Мікросхеми, що виготовляють на основі товстоплівкової технології та безкорпусних дискретних елементів – транзисторів і конденсаторів. Технологія виготовлення мікросхем цієї серії досить проста і являє собою послідовність декількох операцій.

На підготовлену відповідним чином керамічну плату (підкладку) за допомогою сітчастих трафаретів наносять спеціальні пасти, що утворюють провідники і резистори, і при температурі 400 – 600°С вжигають пасти. Далі монтують конденсатори і транзистори. Для герметизації мікросхем і виготовлення виводів, змонтовані по п'ять штук плати встановлюють у спеціально підготовлену латунну стрічку. Герметизують плати методом опресування пластмасою. Після опресовування мікросхеми вирубують зі стрічки і роблять контроль параметрів.

В якості дискретних елементів в мікросхемах використовують конденсатори К10 – 9 ємністю 4700пФ і 0,033мкФ, що мають розміри 4 х 2 х 0,6 і 5x4x1мм відповідно, а також мікротранзистори КТТ – 5, спеціально розроблені для використання в мікросхемах радіоапаратури широкого застосування.

Читайте також:

<== попередня сторінка	\|	наступна сторінка ==>
Правила поводження з напівпровідниковими приладами і мікросхемами	\|	Маркування

Не знайшли потрібну інформацію? Скористайтесь пошуком google:

Генерація сторінки за: 0.015 сек.