Студопедия
Новини освіти і науки:
МАРК РЕГНЕРУС ДОСЛІДЖЕННЯ: Наскільки відрізняються діти, які виросли в одностатевих союзах


РЕЗОЛЮЦІЯ: Громадського обговорення навчальної програми статевого виховання


ЧОМУ ФОНД ОЛЕНИ ПІНЧУК І МОЗ УКРАЇНИ ПРОПАГУЮТЬ "СЕКСУАЛЬНІ УРОКИ"


ЕКЗИСТЕНЦІЙНО-ПСИХОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ПОРУШЕННЯ СТАТЕВОЇ ІДЕНТИЧНОСТІ ПІДЛІТКІВ


Батьківський, громадянський рух в Україні закликає МОН зупинити тотальну сексуалізацію дітей і підлітків


Відкрите звернення Міністру освіти й науки України - Гриневич Лілії Михайлівні


Представництво українського жіноцтва в ООН: низький рівень культури спілкування в соціальних мережах


Гендерна антидискримінаційна експертиза може зробити нас моральними рабами


ЛІВИЙ МАРКСИЗМ У НОВИХ ПІДРУЧНИКАХ ДЛЯ ШКОЛЯРІВ


ВІДКРИТА ЗАЯВА на підтримку позиції Ганни Турчинової та права кожної людини на свободу думки, світогляду та вираження поглядів



Пайка напівпровідників

Поверхню виробу з напівпровідника, що підлягає пайці, попередньо лудять у розплаві припою за допомогою ультразвукового паяльника, способом гальванічного покриття (нікелювання, золочення).

Пайку роблять у печах з контрольованою атмосферою, у вакуумі або методом опору попередньо пролуджених поверхонь. При сполуці виробів із уже готовим переходом потрібно суворо витримувати температуру нагрівання, для чого застосовують терморегулятори.

Пайку тонких електричних виводів можна здійснювати на повітрі мікропаяльниками з використанням захисних або активних флюсів (спиртового розчину каніфолі, флюсу на основі хлористого амонію). Після флюсової пайки вироб промивають деіонізованою водою та сушать.

При пайцці напівпровідникових елементів припої повинні утворювати електронно – дірковий перехід або омічний контакт. У виробництві германієвих і кремнієвих приладів як основу застосовують алюміній, індій і сплави на основі олова й свинцю. Для створення в місці контакту провідності електронного типу в основу припоїв у якості домішки уводять фосфор, миш'як, сурьму й вісмут. Для забезпечення омічного контакту, в основу припоїв додають бор і галій.

Для пайки напівпровідників застосовують також припої – пасти на основі гелію. Для забезпечення надійності змочування контактної поверхні використають ультразвук.

Як флюси використовують спиртові й водяні розчини хлористого цинку й хлористого амонію або вазелінової пасти (безкислотні флюси – розчин каніфолі в спирті). При високотемпературній пайці застосовують флюси на основі бури.

Дифузійні процеси між припоєм і напівпровідником сприяють утворенню сполук, що збільшують перехідний опір термоелемента, тому час контакту напівпровідника із припоєм у процесі лудіння й пайки повинен бути гранично обмеженим. Відхилення температури нагрівання при пайкі не повинне перевищувати 2 – 3°С.

 

 

Тема № 6

 

Тема: Встановлення та пайка інтегральних мікросхем
Мета роботи: Навчитися розпаювати на печатній платі інтегральні мікросхеми та читати їх маркування.

 

ПРАКТИЧНА ЧАСТИНА

Підготувати робоче місце, переконатись у наявності інструментів та матеріалів, що працює вентиляція, непошкоджена ізоляція електропроводів. Прилади та матеріали для виконання практичної роботи: електричний паяльник потужністю від 25 до 40Вт, пінцет для тримання радіоелементів, провідники (одножильні), набір мікросхем, каніфоль, припой, робочий інструмент


Читайте також:

  1. Власна провідність напівпровідників
  2. Домішкова провідність напівпровідників
  3. Домішкова провідність напівпровідників
  4. Електропровідність металів і напівпровідників
  5. Механізм провідності напівпровідників
  6. Струми власних напівпровідників
  7. Характеристика напівпровідників. Основні визначення




Переглядів: 598

<== попередня сторінка | наступна сторінка ==>
ТЕОРЕТИЧНА ЧАСТИНА | Правила монтажу інтегральних мікросхем

Не знайшли потрібну інформацію? Скористайтесь пошуком google:

  

© studopedia.com.ua При використанні або копіюванні матеріалів пряме посилання на сайт обов'язкове.


Генерація сторінки за: 0.012 сек.