Студопедия
Новини освіти і науки:
МАРК РЕГНЕРУС ДОСЛІДЖЕННЯ: Наскільки відрізняються діти, які виросли в одностатевих союзах


РЕЗОЛЮЦІЯ: Громадського обговорення навчальної програми статевого виховання


ЧОМУ ФОНД ОЛЕНИ ПІНЧУК І МОЗ УКРАЇНИ ПРОПАГУЮТЬ "СЕКСУАЛЬНІ УРОКИ"


ЕКЗИСТЕНЦІЙНО-ПСИХОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ПОРУШЕННЯ СТАТЕВОЇ ІДЕНТИЧНОСТІ ПІДЛІТКІВ


Батьківський, громадянський рух в Україні закликає МОН зупинити тотальну сексуалізацію дітей і підлітків


Відкрите звернення Міністру освіти й науки України - Гриневич Лілії Михайлівні


Представництво українського жіноцтва в ООН: низький рівень культури спілкування в соціальних мережах


Гендерна антидискримінаційна експертиза може зробити нас моральними рабами


ЛІВИЙ МАРКСИЗМ У НОВИХ ПІДРУЧНИКАХ ДЛЯ ШКОЛЯРІВ


ВІДКРИТА ЗАЯВА на підтримку позиції Ганни Турчинової та права кожної людини на свободу думки, світогляду та вираження поглядів



Струми власних напівпровідників

 

Процеси провідності у напівпровідниках відрізняються від процесів провідності у металах. Основна відмінність полягає у тому, що провідність у напівпровідниках здійснюється двома різними та незалежними видами рухів електронів, і що цими видами можна керувати у широких межах, добавляючи дуже малу кількість відповідних елементів до основного напівпровідникового матеріалу.

Якщо до напівпровідника не прикладена електрична напруга, то електрони та дірки здійснюють хаотичний тепловий рух і ніякого струму немає. Під дією різниці потенціалів у напівпровіднику виникає електричне поле, яке прискорює рух електронів та дірок і надає їм деякого спрямованого руху. Це і є струм провідності.

Рух носіїв заряду під дією електричного поля називають дрейфом, а струм провідності - струмом дрейфу Iдр. Повний струм провідності складається з електронного Inдр та діркового струмів провідності Ipдр:

 

.

 

Незважаючи на те, що електрони та дірки рухаються у протилежних напрямах, їхні струми складаються, бо рух дірок являє собою переміщення електронів. Рухомість дірок менша від рухомості електронів, атому діркова складова менша від електронної.

Густина струму дрейфу Ідр складається з густини електронного та діркового струмів:

.

 

Густина струму І дорівнює кількості електрики, яка проходить через одиницю площини поперечного перерізу за 1 с, а тому можна записати:

 

,

,

 

де nі - концентрація електронів; q - заряд електрона; Vn - середня швидкість поступального руху електронів під дією поля.

Експериментальне встановлено,що дрейфова швидкість пропорційна напруженості поля

де m - коефіцієнт пропорційності, який називають рухомістю електронів:

Рухомість електронів — це середня швидкість їхнього поступального руху під дією електричного поля з одиничною напруженістю (Е = 1В). Одиниця рухомості електронів - квадратний сантиметр на вольт-секунду (см2/В-с). Рухомість електронів залежить від властивостей кристалічних ґрат, наявності домішок і температури. При кімнатній температурі рухомість електронів у германії, як показують вимірювання, дорівнює 3900 см2/(В-с), а у кремнії - 1350 см2/(В-с). Рухомість дірок за даними вимірювань, значно нижча від рухомості електронів. Так, наприклад, у германії вона становить 1900 см2/ (В-с), а у кремнії - 430 см2/(В-с). Зі збільшенням температури ру­хомість дірок зменшується швидше, ніж рухомість електронів.

Поняття рухомості носіїв заряду є важливим для оцінки динамічних властивостей напівпровідникових приладів. Чим більша рухомість, тим менша інерційність приладу, тобто ефективність керування приладом зберігається в широкому частотному діапазоні, а отже, прилад має більшу швидкодію. Тому активні прилади побудовані з використанням напівпровідників n-типу, мають поліпшені динамічні властивості. Густина електронної складової дрейфового струму

. (7.6)

У формулі (7.6) добуток niemn є питомою електронною провідністю sn, тому .

 

Густину діркового струму визначають за формулою

, (7.7)

де ріqmp=sp - питома діркова провідність.


Читайте також:

  1. Аблактування - щеплення зближенням двох кореневласних рослин.
  2. Б- не збуджена ділянка мембрани , на яку діють електричні струми збудженої ділянки. Стрілками показано напрям струмів, кружечками – дійсне переміщення іонів.
  3. В1ДМІНЮВАННЯ ВЛАСНИХ НАЗВ
  4. Визначення коефіцієнтів чотириполюсника за матрицею власних та взаємних опорів методу контурних струмів.
  5. Вихрові струми. Втрати в сталі
  6. Від власних автономних джерел.
  7. Власна провідність напівпровідників
  8. Гідроструминні насоси.
  9. Для структурних підрозділів без власних розрахункових рахунків дана позиція може бути визначена одним з наступних варіантів.
  10. Домішкова провідність напівпровідників
  11. Домішкова провідність напівпровідників
  12. Електропровідність металів і напівпровідників




Переглядів: 1541

<== попередня сторінка | наступна сторінка ==>
Отже, швидкість рекомбінацій | Густина повного струму дрейфу у власному напівпровідникові

Не знайшли потрібну інформацію? Скористайтесь пошуком google:

  

© studopedia.com.ua При використанні або копіюванні матеріалів пряме посилання на сайт обов'язкове.


Генерація сторінки за: 0.01 сек.