Студопедия
Новини освіти і науки:
МАРК РЕГНЕРУС ДОСЛІДЖЕННЯ: Наскільки відрізняються діти, які виросли в одностатевих союзах


РЕЗОЛЮЦІЯ: Громадського обговорення навчальної програми статевого виховання


ЧОМУ ФОНД ОЛЕНИ ПІНЧУК І МОЗ УКРАЇНИ ПРОПАГУЮТЬ "СЕКСУАЛЬНІ УРОКИ"


ЕКЗИСТЕНЦІЙНО-ПСИХОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ПОРУШЕННЯ СТАТЕВОЇ ІДЕНТИЧНОСТІ ПІДЛІТКІВ


Батьківський, громадянський рух в Україні закликає МОН зупинити тотальну сексуалізацію дітей і підлітків


Відкрите звернення Міністру освіти й науки України - Гриневич Лілії Михайлівні


Представництво українського жіноцтва в ООН: низький рівень культури спілкування в соціальних мережах


Гендерна антидискримінаційна експертиза може зробити нас моральними рабами


ЛІВИЙ МАРКСИЗМ У НОВИХ ПІДРУЧНИКАХ ДЛЯ ШКОЛЯРІВ


ВІДКРИТА ЗАЯВА на підтримку позиції Ганни Турчинової та права кожної людини на свободу думки, світогляду та вираження поглядів



Контакти
 


Тлумачний словник
Авто
Автоматизація
Архітектура
Астрономія
Аудит
Біологія
Будівництво
Бухгалтерія
Винахідництво
Виробництво
Військова справа
Генетика
Географія
Геологія
Господарство
Держава
Дім
Екологія
Економетрика
Економіка
Електроніка
Журналістика та ЗМІ
Зв'язок
Іноземні мови
Інформатика
Історія
Комп'ютери
Креслення
Кулінарія
Культура
Лексикологія
Література
Логіка
Маркетинг
Математика
Машинобудування
Медицина
Менеджмент
Метали і Зварювання
Механіка
Мистецтво
Музика
Населення
Освіта
Охорона безпеки життя
Охорона Праці
Педагогіка
Політика
Право
Програмування
Промисловість
Психологія
Радіо
Регилия
Соціологія
Спорт
Стандартизація
Технології
Торгівля
Туризм
Фізика
Фізіологія
Філософія
Фінанси
Хімія
Юриспунденкция






Струми власних напівпровідників

 

Процеси провідності у напівпровідниках відрізняються від процесів провідності у металах. Основна відмінність полягає у тому, що провідність у напівпровідниках здійснюється двома різними та незалежними видами рухів електронів, і що цими видами можна керувати у широких межах, добавляючи дуже малу кількість відповідних елементів до основного напівпровідникового матеріалу.

Якщо до напівпровідника не прикладена електрична напруга, то електрони та дірки здійснюють хаотичний тепловий рух і ніякого струму немає. Під дією різниці потенціалів у напівпровіднику виникає електричне поле, яке прискорює рух електронів та дірок і надає їм деякого спрямованого руху. Це і є струм провідності.

Рух носіїв заряду під дією електричного поля називають дрейфом, а струм провідності - струмом дрейфу Iдр. Повний струм провідності складається з електронного Inдр та діркового струмів провідності Ipдр:

 

.

 

Незважаючи на те, що електрони та дірки рухаються у протилежних напрямах, їхні струми складаються, бо рух дірок являє собою переміщення електронів. Рухомість дірок менша від рухомості електронів, атому діркова складова менша від електронної.

Густина струму дрейфу Ідр складається з густини електронного та діркового струмів:

.

 

Густина струму І дорівнює кількості електрики, яка проходить через одиницю площини поперечного перерізу за 1 с, а тому можна записати:

 

,

,

 

де nі - концентрація електронів; q - заряд електрона; Vn - середня швидкість поступального руху електронів під дією поля.

Експериментальне встановлено,що дрейфова швидкість пропорційна напруженості поля

де m - коефіцієнт пропорційності, який називають рухомістю електронів:

Рухомість електронів — це середня швидкість їхнього поступального руху під дією електричного поля з одиничною напруженістю (Е = 1В). Одиниця рухомості електронів - квадратний сантиметр на вольт-секунду (см2/В-с). Рухомість електронів залежить від властивостей кристалічних ґрат, наявності домішок і температури. При кімнатній температурі рухомість електронів у германії, як показують вимірювання, дорівнює 3900 см2/(В-с), а у кремнії - 1350 см2/(В-с). Рухомість дірок за даними вимірювань, значно нижча від рухомості електронів. Так, наприклад, у германії вона становить 1900 см2/ (В-с), а у кремнії - 430 см2/(В-с). Зі збільшенням температури ру­хомість дірок зменшується швидше, ніж рухомість електронів.

Поняття рухомості носіїв заряду є важливим для оцінки динамічних властивостей напівпровідникових приладів. Чим більша рухомість, тим менша інерційність приладу, тобто ефективність керування приладом зберігається в широкому частотному діапазоні, а отже, прилад має більшу швидкодію. Тому активні прилади побудовані з використанням напівпровідників n-типу, мають поліпшені динамічні властивості. Густина електронної складової дрейфового струму

. (7.6)

У формулі (7.6) добуток niemn є питомою електронною провідністю sn, тому .

 

Густину діркового струму визначають за формулою

, (7.7)

де ріqmp=sp - питома діркова провідність.


Читайте також:

  1. Аблактування - щеплення зближенням двох кореневласних рослин.
  2. Б- не збуджена ділянка мембрани , на яку діють електричні струми збудженої ділянки. Стрілками показано напрям струмів, кружечками – дійсне переміщення іонів.
  3. В1ДМІНЮВАННЯ ВЛАСНИХ НАЗВ
  4. Визначення коефіцієнтів чотириполюсника за матрицею власних та взаємних опорів методу контурних струмів.
  5. Вихрові струми. Втрати в сталі
  6. Від власних автономних джерел.
  7. Власна провідність напівпровідників
  8. Гідроструминні насоси.
  9. Для структурних підрозділів без власних розрахункових рахунків дана позиція може бути визначена одним з наступних варіантів.
  10. Домішкова провідність напівпровідників
  11. Домішкова провідність напівпровідників
  12. Електропровідність металів і напівпровідників




Переглядів: 1507

<== попередня сторінка | наступна сторінка ==>
Отже, швидкість рекомбінацій | Густина повного струму дрейфу у власному напівпровідникові

Не знайшли потрібну інформацію? Скористайтесь пошуком google:

 

© studopedia.com.ua При використанні або копіюванні матеріалів пряме посилання на сайт обов'язкове.


Генерація сторінки за: 0.004 сек.