• Гідрологія і Гідрометрія
• Господарське право
• Економіка будівництва
• Економіка природокористування
• Економічна теорія
• Земельне право
• Історія України
• Кримінально виконавче право
• Медична радіологія
• Методи аналізу
• Міжнародне приватне право
• Міжнародний маркетинг
• Основи екології
• Предмет Політологія
• Соціальне страхування
• Технічні засоби організації дорожнього руху
• Товарознавство продовольчих товарів

Отже, швидкість рекомбінацій

,

де g - коефіцієнт рекомбінації (визначається властивостями напівпровідника).

Швидкість генерації - кількість вивільнених за одиницю часу електрон­но-діркових пар - залежить від температури напівпровідника та ширини забороненої зони.

У сталому режимі існує динамічна рівновага - швидкість генерації дорівнює швидкості рекомбінації:

.

Звідси

.

Для переходу електронів власного напівпровідника у зону провідності потрібно, щоб енергія зовнішнього джерела перевищувала DW - мінімальну енергію, необхідну для вивільнення валентного електрона, тобто енер­гію іонізації. Значення цієї енергії (ширина забороненої зони) залежить від структури кристалічних ґрат і типу речовин. Наприклад, у германії DW=0,72 еВ, кремнії DW=1,12 еВ, арсеніді галію DW=1,41 еВ.

Значення енергії іонізації визначає число вільних електронів та дірок при нормальній кімнатній температурі. У чистому германії n_i =р_i= 2,37 10¹³ носіїв у 1 см³, у чистому кремнії n_i =р_i = 1,38 10¹⁰ см³, тобто на порядки менше. Число N атомів у 1 см³ металу або напівпровідника ста­новить близько 5 10²².

Отже, у власному напівпровіднику при кімнатній температурі число носіїв зарядів відносно загального числа атомів становить близько 10^-7 % для германію і 10^-10 % - для кремнію. Оскільки у германії один електрон провідності припадає приблизно на 1 млрд. атомів речовини, а у металах число електронів провідності не менше від числа атомів n ≥ N, то питома електрична провідність напівпровідника у мільйони і мільярди разів менша, ніж металів. Наприклад, при кімнатній температурі питомий опір міді дорівнює 0,017-10^-4 Ом-см (1 Ом-см - опір 1 см³ речовини), германію 50 Ом-см і кремнію 100 000 Ом-см.

Для виготовлення напівпровідникових приладів, крім германію та кремнію, використовують деякі хімічні сполуки, наприклад, арсенід галію GаАs, атимонід індію ІnSb, фосфід індію ІnР тощо.

Читайте також:

1. Vу -швидкість ударника
2. Видаток і середня швидкість ламінарного потоку.
3. Види генетичних рекомбінацій
4. Вимірювання інформації та швидкість її передачі
5. Вплив параметрів режиму буріння на механічну швидкість проходки
6. Групова швидкість і дисперсія хвиль
7. Етапи, швидкість і показники адаптації
8. Закон грошового обігу та швидкість обігу грошей.
9. На скільки збільшиться маса - частинки (в а.о.м.), якщо її швидкість збільшиться від 0 до 0,9с? Вважати,що маса спокою - частинки 4 а.о.м.
10. Отже, АС поєднують у собі елементи репресивного (карального), виховного та запобіжного характеру.
11. Отже, виділяється дві сфери людського інтересу - ма­теріальна (прагнення до комфорту) і духовна (прагнення задовольнити цікавість).
12. Отже, головне в покаранні — це те, що воно є неминучим наслідком злочину, відплатою за спричинене зло.

Переглядів: 710